一种用于电池组件的功率调节电路结构制造技术

技术编号:37948128 阅读:20 留言:0更新日期:2023-06-29 08:07
本实用新型专利技术公开了一种用于电池组件的功率调节电路结构,其属于太阳能光伏的技术领域,其方案包括MOS管、控制模块、储能模块、框架、金属桥接件和金属键合件,所述框架包括第一集成封装单元和第二集成封装单元,所述MOS管焊接于第一集成封装单元的表面,所述控制模块和储能模块固定在第一集成封装单元的表面,所述MOS管、储能模块和第一集成封装单元均通过金属键合件和控制模块电连接,所述MOS管和第二集成封装单元之间通过金属桥接件桥接导通。本申请具有既能控制微控制功率电路模块温度,又能保证MOS管功耗低的效果,减少了微控制功率电路模块温度的额外损耗。功率电路模块温度的额外损耗。功率电路模块温度的额外损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电池组件的功率调节电路结构


[0001]本技术涉及太阳能光伏的
,尤其是涉及一种用于电池组件的功率调节电路结构。

技术介绍

[0002]太阳电池组件通常安装在地域开阔、阳光充足的地带。在长期使用中由于落上飞鸟、尘土、落叶等遮挡物,或者太阳电池组件方阵行间距不适合等原因,均会导致太阳电池组件局部形成阴影,而阴影区域的太阳能电池片的电流、电压将发生变化,局部呈现高功耗状态,造成组件输出功率损耗,甚至导致组件发热烧毁,严重影响组件的使用寿命,对电站发电产生安全隐患。
[0003]目前现有的太阳电池组件内设置有自动控制温度模块,包括制冷器、热敏电阻和温度控制电路,制冷器的冷端和太阳电池组件的光电器件连接,热敏电阻设置于太阳电池组件的光电器件上,热敏电阻和温度控制电路相连,自动控制功率电路与自动控制温度模块相连。
[0004]在实现本申请的过程中,专利技术人发现上述技术至少存在以下问题:通过控制温度导致电路内正向压降偏大,功耗变高,从而影响整体组件的发电效率。

技术实现思路

[0005]为了解决通过控制温度导致电路内正向压降偏大,功耗变高,从而影响整体组件的发电效率的问题,本申请提供一种用于电池组件的功率调节电路结构。
[0006]本申请提供一种用于电池组件的功率调节电路结构,采用如下的技术方案:
[0007]一种用于电池组件的功率调节电路结构,包括MOS管、控制模块、储能模块、框架、金属桥接件和金属键合件,所述框架包括第一集成封装单元和第二集成封装单元,所述MOS管焊接于第一集成封装单元的表面,所述控制模块和储能模块固定在第一集成封装单元的表面,所述MOS管、储能模块和第一集成封装单元均通过金属键合件和控制模块电连接,所述MOS管和第二集成封装单元之间通过金属桥接件桥接导通。
[0008]通过采用上述技术方案,利用MOS管本身具有的正向导通电阻极低,反向漏电极小以及电压驱动开启的特殊特性,通过采用由MOS管、控制模块和储能模块组合的微控制电路技术方案在对控制微控制功率电路模块温度,并且MOS管的输入阻抗小,功耗低,从而达到既能控制微控制功率电路模块温度,又能保证MOS管功耗低的效果,减少了微控制功率电路模块温度的额外损耗。
[0009]在一个具体的可实施方案中,所述微控制功率电路模块的电路结构通过环氧树脂进行包封。
[0010]在一个具体的可实施方案中,所述控制模块和储能模块通过绝缘介质固定在第一集成封装单元的表面,所述绝缘介质包括绝缘粘合剂和/或绝缘陶瓷片。
[0011]在一个具体的可实施方案中,所述金属桥接件包括铜片或铜线或金线或铝线或铝
带。
[0012]在一个具体的可实施方案中,所述MOS管的漏极通过导电胶焊接于第一集成封装单元的表面,所述导电胶包括导电锡膏或导电银胶。
[0013]在一个具体的可实施方案中,所述第一集成封装单元和第二集成封装单元上均开设有汇流条通孔和储锡槽。
[0014]在一个具体的可实施方案中,所述MOS管、控制模块和储能模块的组合模式包括三者各自对应的芯片数量各为1颗的组合模式,或者三者各自对应的芯片数量各为若干颗的组合模式。
[0015]在一个具体的可实施方案中,所述MOS管、控制模块和储能模块采用独立设计和/或集成设计的方式。
[0016]综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
[0017]1、利用MOS管本身具有的正向导通电阻极低,反向漏电极小以及电压驱动开启的特殊特性,通过采用由MOS管、控制模块和储能模块组合的微控制电路技术方案在对控制微控制功率电路模块温度,并且MOS管的输入阻抗小,功耗低,从而达到既能控制微控制功率电路模块温度,又能保证MOS管功耗低的效果,减少了微控制功率电路模块温度的额外损耗。
附图说明
[0018]图1是本申请实施例1中一种用于电池组件的功率调节电路结构的整体结构示意图。
[0019]图2是本申请实施例1中框架的结构示意图。
[0020]图3是本申请实施例中金属桥接件处的结构示意图。
[0021]图4是本申请实施例2中一种用于电池组件的功率调节电路结构的结构示意图。
[0022]图5是本申请实施例3中一种用于电池组件的功率调节电路结构的结构示意图。
[0023]图6是本申请实施例4中一种用于电池组件的功率调节电路结构的结构示意图。
[0024]附图标记说明:
[0025]1、MOS管;2、控制模块;3、储能模块;4、框架;41、第一集成封装单元;42、第二集成封装单元;5、金属桥接件;6、金属键合件;7、汇流条通孔;8、储锡槽。
具体实施方式
[0026]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细说明。
[0027]以下结合说明书附图对本申请一种用于电池组件的功率调节电路结构的实施例作进一步详细描述。
[0028]实施例1
[0029]参照图1和图2,一种用于电池组件的功率调节电路结构包括MOS管1、控制模块2、储能模块3和框架4,MOS管1、控制模块2和储能模块3均设置在框架4的表面。
[0030]具体的,框架4包括第一集成封装单元41和第二集成封装单元42,第一集成封装单元41和第二集成封装单元42上均开设有汇流条通孔7和储锡槽8。MOS管1包括栅极、源极和
漏极,MOS管1的漏极焊接于第一集成封装单元41的表面,控制模块2和储能模块3均固定在第一集成封装单元41的表面。MOS管1的栅极、MOS管1的源极、储能模块3的正负极和第一集成封装单元41和控制模块2之间均设有金属键合件6,MOS管1的栅极、MOS管1的源极、储能模块3的正负极和第一集成封装单元41分别对应控制模块2的1个接口,MOS管1的栅极、MOS管1的源极、储能模块3的正负极和第一集成封装单元41通过金属键合件6分别与对应的控制模块2的接口电连接。微控制功率电路模块的电路结构通过环氧树脂进行包封。MOS管1的源极和第二集成封装单元42之间设有金属桥接件5,MOS管1的源极和第二集成封装单元42之间通过金属桥接件5桥接导通。
[0031]其中,金属桥接件5包括铜片或铜线或金线或铝线或铝带。
[0032]参照图3,金属桥接件5为铝带,铝带作为金属导体材料,可用于实现MOS管1和框架4之间的键合连接。
[0033]实施例2
[0034]参照图4,本申请实施例2与实施例1的区别在于:金属桥接件5为铝线,铝线作为半导体行业的一种常规金属导体材料,可用于实现MOS管1和框架4之间的键合连接,铝线相比较铝带,尺寸选择更多,使用起来更灵活,适用于芯片尺寸变化较多的产品。
[0035]实施例3
[0036]参照图5,本申请实施例3与实施例2的区别在于:金属桥接件5为铜线的一种实施例,铜线作为半导体行业的一种常规金属导体材料,常被用于芯片和框架4之间的键合连接,铜线线径本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电池组件的功率调节电路结构,其特征在于,包括MOS管(1)、控制模块(2)、储能模块(3)、框架(4)、金属桥接件(5)和金属键合件(6),所述框架(4)包括第一集成封装单元(41)和第二集成封装单元(42),所述MOS管(1)焊接于第一集成封装单元(41)的表面,所述控制模块(2)和储能模块(3)固定在第一集成封装单元(41)的表面,所述MOS管(1)、储能模块(3)和第一集成封装单元(41)均通过金属键合件(6)和控制模块(2)电连接,所述MOS管(1)和第二集成封装单元(42)之间通过金属桥接件(5)桥接导通。2.根据权利要求1所述的一种用于电池组件的功率调节电路结构,其特征在于,所述微控制功率电路模块的电路结构通过环氧树脂进行包封。3.根据权利要求1所述的一种用于电池组件的功率调节电路结构,其特征在于,所述控制模块(2)和储能模块(3)通过绝缘介质固定在第一集成封装单元(41)的表面,所述绝缘介质包括绝缘粘合剂和/或绝缘陶瓷片。4....

【专利技术属性】
技术研发人员:邰小俊蔡慧明钱兴李湘涛廖志雄
申请(专利权)人:苏州同泰新能源科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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