圆片级扇出芯片封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种圆片级扇出芯片封装结构，包括薄膜介质层Ⅰ（１０１），薄膜介质层Ⅰ（１０１）上形成有光刻图形开口Ⅰ（１０１１），在光刻图形开口以及薄膜介质层Ⅰ表面设置有与基板端连接之金属电极（１０２）和再布线金属走线（１０３），在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层Ⅰ表面覆盖有薄膜介质层Ⅱ（１０４），在薄膜介质层Ⅱ上形成有光刻图形开口Ⅱ（１０４１），在光刻图形开口Ⅱ设置有与芯片端连接之金属电极（１０５），将带有ＩＣ芯片（１０６）、金属柱／金属凸点（１０７）和焊料（１０８）的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极上，形成芯片倒装的圆片，在圆片表面注塑封料（１０９），在所述与基板端连接之金属电极（１０２）上设置有焊球凸点（１１０）。本发明专利技术封装成本低，具备载带功能，且能很好解决工艺过程芯片移位问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片封装结构及其封装方法。属半导体芯片封装技术 领域。(二)
技术介绍
在当前的半导体行业中，电子封装己经成为行业发展的一个重要方面。 几十年的封装技术的发展，传统的周边布线型低引脚数的封装形式越来越无法满足当前高密度、小尺寸的封装要求，球栅阵列(BGA)封装技术的 诞生为封装技术从周边布线到面阵布线提供了完整的解决方案。其优势在 于增加了单位芯片面积上的引脚数目。与传统的引线键合结构相比，球栅阵列结构縮短了芯片电路到基板之 间的距离，增加了电信号的传输速度，提高了芯片功能。引线键合结构由于结构本身的限制，封装尺寸较大，球栅阵列结构大 大减小封装尺寸，为电子产品的小型化提供了必需的解决方案。与引线键合结构相比较，球栅阵列提供高效的散热能力。球栅阵列封装结构中，有两种典型结构引线键合型和倒装芯片型。 引线键合型在芯片和载体之间采用引线键合的方式进行连接，相对于采用倒装方式的连接结构而言，其芯片散热和信号传输方面都处于劣势。所以 倒装芯片型球栅阵列结构在对信号和导热要求较高的产品中使用较为广 泛，但前提是载体的电极节距满足芯片节距要求。随着电子产品向更薄、更轻、更高引脚密度、更低成本方面发展，采 用单颗芯片封装技术已经逐渐无法满足产业需求， 一种新的封装技术一一 圆片级封装技术的出现为封装行业向低成本封装发展提供了契机。同时， 制约着封装技术向高密度方向发展的另外一个重要原因是基板技术本身在 细小电极节距方面的加工能力，必须通过载体，如塑料载带球栅阵列(PBGA)中的塑料载体和陶瓷载带球栅阵列(CBGA)中的陶瓷载体，对 阵列节距的放大完成封装过程。虽然行业中也有相关的圆片级扇出 (Fanout)封装技术，但在工艺过程中芯片的偏移是该技术发展的重大障碍o
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种封装成本低、具备载带功 能、且能很好解决工艺过程芯片移位问题的圆片级扇出芯片封装结构和封 装方法。本专利技术的目的是这样实现的 一种圆片级扇出芯片封装结构，所述结 构包括薄膜介质层I ，所述薄膜介质层I上形成有光刻图形开口 I ，在所 述图形开口以及薄膜介质层I的表面设置有与基板端连接之金属电极和再 布线金属走线，在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以 及薄膜介质层I的表面覆盖有薄膜介质层II ，在所述薄膜介质层II上形成有光刻图形开口 n，在所述光刻图形开口 n设置有与芯片端连接之金属电 极，将带有ic芯片、金属柱/金属凸点和焊料的芯片倒装在与芯片端连接 之金属电极上，形成芯片倒装的圆片，在所述圆片表面注塑封料，在所述 与基板端连接之金属电极上设置有焊球凸点。本专利技术的特点是通过在载体圆片上制作再布线电路和电极载体，完成 扇出结构薄膜载带的制作，再通过倒装的方式重建圆片级结构，实现芯片 与薄膜载带的连接，利用焊料在回流过程中自对位的特性，解决芯片工艺 中的移位问题，然后对倒装完的结构进行注模，实现扇出结构之塑封过程， 最终切割成单颗的芯片。本专利技术的圆片级扇出(Fanout)结构为先进封装技术提供全新的解决 方案。首先，利用圆片级封装的方式降低封装成本，其次，扇出(Fanout) 结构的载体薄膜具备了塑料载带球栅阵列(PBGA)和陶瓷载带球栅阵列 (CBGA)中载带的功能，与此同时，本专利技术的倒装焊接技术很好的解决 了工艺过程芯片移位的问题。 附图说明图1为本专利技术金属柱结构的扇出(Fanout)示意图，塑封料对芯片完 仝霜圭王俊皿o图2为本专利技术金属柱结构的扇出(Fanout)示意图，塑封料与芯片等局覆盖。图3为本专利技术金属凸点结构的扇出(Fanout)示意图，塑封料对芯片 元全覆盖o图4为本专利技术金属凸点结构的扇出(Fanout)示意图，塑封料与芯片楚古恵生 寺问復皿。图5 17为本专利技术扇出(Fanout)结构封装方法示意图。 图中薄膜介质层I101、与基板端连接之金属电极102、再布线金属 走线103、薄膜介质层I1104、与芯片端连接之金属电极105、 IC芯片106、 金属柱/金属凸点107、焊料108、塑封料109、焊球凸点110、载体圆片111、 剥离膜112;光刻图形开口I1011、光刻图形开口I11041。 具体实施方式 参见图1，本专利技术圆片级扇出(Fanout)芯片封装结构，包括薄膜介质 层I 101，所述薄膜介质层I 101上形成有光刻图形开口 I 1011，在所述图 形开口 I 1011以及薄膜介质层I 101的表面设置有与基板端连接之金属电 极102和再布线金属走线103，在与基板端连接之金属电极102表面、再 布线金属走线103表面以及薄膜介质层I 101的表面覆盖有薄膜介质层II104，在所述薄膜介质层nio4上形成有光刻图形开口ni041，在所述光刻图形开口 II1041设置有与芯片端连接之金属电极105，将带有IC芯片106、 金属柱/金属凸点107和焊料108的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极 105上，形成芯片倒装的圆片，在所述圆片表面注塑封料109，在所述与基 板端连接之金属电极102上设置有焊球凸点110。本专利技术圆片级扇出(Fanout)芯片封装结构的实现过程如下 步骤一、准备与圆片尺寸一致的载体圆片111 (如6"、 8"等圆片或石 英玻璃等)，在载体圆片111表面覆盖剥离膜112。如图5、图6。步骤二、在剥离膜表面覆盖薄膜介质层I 101，并在所述薄膜介质层I 101上形成设计的光刻图形开口 I 1011。如图7。步骤三、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述薄膜介质层I 101的 图形开口 I 1011以及所述薄膜介质层I 101表面实现与基板端连接之金属 电极102和再布线金属走线103。如图8。重复步骤二和步骤三可实现多层走线。步骤四、在步骤三形成的与基板端连接之金属电极102表面、再布线 金属走线103表面以及没有实现与基板端连接之金属电极102和再布线金 属走线103的薄膜介质层I 101的表面覆盖薄膜介质层I1104，并在所述薄 膜介质层II 104上形成设计的光刻图形开口 II1041。如图9。步骤五、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述光刻图形开口I11041 实现与芯片端连接之金属电极105。如图10。步骤六、将带有IC芯片106、金属柱/金属凸点107和焊料108的芯片 按照载体圆片上的图形排列倒装至与芯片端连接之金属电极105，回流形 成可靠连接，完成芯片倒装。如图11、 12。步骤七、对完成芯片倒装的圆片进行注塑封料109并固化。形成带有 塑封料的封装体。如图13。步骤八、将载体圆片111和剥离膜112与带有塑封料的封装体分离。 形成塑封圆片。如图14。步骤九、在步骤八形成的塑封圆片表面的与基板端 接之金属电极 102上植球回流，形成焊球凸点IIO。如图15。步骤十、对形成焊球凸点的带有塑封料的封装体进行单片切割，形成最终的扇出(Fanout)芯片结构。如图16和图17。所述薄膜介质层I 101和薄膜介质层II104均为具有光刻特征的树脂， 如聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)等。所述与基板端连接之金属电极102、再布线金属走线103、与芯片端连 接之金属电极105均为单层或多层金属结构，如金属铜、镍或钛/铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述芯片包括薄膜介质层Ⅰ（１０１），所述薄膜介质层Ⅰ（１０１）上形成有光刻图形开口Ⅰ（１０１１），在所述光刻图形开口Ⅰ（１０１１）以及薄膜介质层Ⅰ（１０１）的表面设置有与基板端连接之金属电极（１０２）和再布线金属走线（１０３），在与基板端连接之金属电极（１０２）表面、再布线金属走线（１０３）表面以及薄膜介质层Ⅰ（１０１）的表面覆盖有薄膜介质层Ⅱ（１０４），在所述薄膜介质层Ⅱ（１０４）上形成有光刻图形开口Ⅱ（１０４１），在所述光刻图形开口Ⅱ（１０４１）设置有与芯片端连接之金属电极（１０５），将带有ⅠＣ芯片（１０６）、金属柱／金属凸点（１０７）和焊料（１０８）的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极（１０５）上，形成芯片倒装的圆片，在所述圆片表面注塑封料（１０９），在所述与基板端连接之金属电极（１０２）上设置有焊球凸点（１１０）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈栋，陈锦辉，曹凯，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]