准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及制作方法，传感器包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电沟道。其工艺是：先合成准一维金属氧化物半导体纳米材料；再采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管；利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道；最后对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性，通过自组装的方法修饰与目标分子结合的连接物单分子层，通过连接物分子在纳米材料表面连接生物分子，用以检测疾病的标志性分子。具有快速响应、灵敏度高、选择性强、无标记分子等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
准一维金属氧化物纳米材料生物传感器，包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，其特征在于：由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电沟道；所述准一维金属氧化物半导体纳米材料的表面通过自组装修饰有与目标分子结合的连接物单分子层，所述连接物单分子层与生物探针分子连接；另外，由所述微流体通道掩盖栅极、源极和漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张蓓蓓，苏瑞巩，刘海滨，李宁，程国胜，
申请(专利权)人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]