一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装制造技术

本申请公开了一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，所述工装包括支架，所述支架上设有多根分割线，所述分割线适于插入切割后的所述晶体缝隙内并均匀分割所述晶体，以使得所述晶体适配于多线切割机中的线网。本申请设置了具有分割线的支架，当遇到晶片自然贴合的情况下，使用人员能够手持支架，利用工装简便快速地将贴合在一起地晶片均匀分割成与线网适配的状态，从而再次压入线网继续切割，可有效降低工作人员的劳动强度，并大量减少耗时，增加效率，并且，采用工装，相比手工，可有效防止手工操作不当，导致出现裂片的情况，从而避免晶片损失。晶片损失。晶片损失。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装


[0001]本申请涉及晶体加工
，具体涉及一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装。

技术介绍

[0002]晶体是由大量微观物质单位(原子、离子、分子等)按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。
[0003]而如今，越来越多的半导体器件采用晶体制作，例如SiC，其具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度等特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力，同时SiC又是制备高性能半导体器件一种理想的衬底材料，是当前第三代半导体材料中最有代表意义的一种单晶化合物。
[0004]但是SiC的莫氏硬度为9.2，属于超硬材料，仅次于金刚石，所以目前多线切割是半导体材料切割的主流方法，因SIC硬度较高，导致切割速度非常慢，6inch SiC晶体多线切割目前使用螺旋线切割，工艺用时约100h左右，由于切割工艺较长，切割中可能会由于各种辅材，设备故障，或外部因素，例如突发的停电、停气等等导致线网异常断线。
[0005]而一旦发生断线，需要将晶体与线网分离后，重新设置线网，但是如果切割位置已经比较高，失去线网限制作用的晶片已切过的部分会自然的吸合在一起，从而导致再次压入均匀分布的线网的时候很难压入，此时需要将晶片把线网压下去约3毫米，后人工使用美工刀片从第一片开始按照顺序逐片把刀片插入晶片的切割缝隙中把吸合在一起的晶片一片一片的拨进线网中，每完成整个过程需要4
‑
5个小时，耗时较长，操作中如操作不当还会导致裂片，耗时长，效率低。

技术实现思路

[0006]本申请的目的在于提供一种减少耗时，增加效率的用于晶体切割断线后恢复切割的工装。
[0007]为达到以上目的，本申请采用的技术方案为：一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，所述工装包括支架，所述支架上设有多根分割线，所述分割线适于插入切割后的所述晶体缝隙内并均匀分割所述晶体，以使得所述晶体适配于多线切割机中的线网。
[0008]作为一种优选，所述分割线为水平设置。
[0009]作为另一种优选，所述分割线线径与所述线网内的切割线线径相同。
[0010]进一步优选，相邻的所述分割线的间距与所述多线切割机中的槽距相同。
[0011]进一步优选，所述支架呈中空结构，且在其两侧边上分别设有多个相互对应的穿线孔，所述分割线适于穿过所述穿线孔，从而实现所述分割线与所述支架的连接。上述结构为分割线与支架连接的一种实施方式。
[0012]进一步优选，两侧同排的两个所述穿线孔为水平设置。
[0013]进一步优选，所述支架呈中空结构，且包括具有开口的主体部和安装部，所述主体
部与所述安装部之间为可拆卸连接，所述分割线的一端与所述主体部或所述安装部固定连接，对应的另一端与所述安装部或所述主体部可拆卸连接。上述结构为分割线与支架连接的另一种实施方式。
[0014]进一步优选，所述支架上设有120根所述分割线。
[0015]进一步优选，所述分割线线径为0.155mm。
[0016]进一步优选，相邻的所述分割线的间距为0.79mm。
[0017]与现有技术相比，本申请的有益效果在于：
[0018]本申请设置了具有分割线的支架，当遇到晶片自然贴合的情况下，使用人员能够手持支架，利用工装简便快速地将贴合在一起地晶片均匀分割成与线网适配的状态，从而再次压入线网继续切割，可有效降低工作人员的劳动强度，并大量减少耗时，增加效率，并且，采用工装，相比手工，可有效防止手工操作不当，导致出现裂片的情况，从而避免晶片损失。
附图说明
[0019]图1为本申请的工装的结构示意图；
[0020]图2为本申请的工装的俯视图；
[0021]图3为图2的局部放大图；
[0022]图4为本申请的工装的操作流程图；
[0023]图5为本申请的工装的操作流程图；
[0024]图6为本申请的工装的另一种实施方式的结构示意图。
[0025]图中：1、支架；11、穿线孔；12、主体部；13、安装部；2、分割线；3、晶体。
具体实施方式
[0026]下面，结合具体实施方式，对本申请做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0027]在本申请的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”、“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本申请的具体保护范围。
[0028]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0029]本申请的说明书和权利要求书中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0030]如今，越来越多的半导体器件采用晶体制作，例如SiC，其具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度等特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力，同时SiC又是制备高性能半导体器件一种理想的衬底材料，是当前第
三代半导体材料中最有代表意义的一种单晶化合物。
[0031]但是SiC的莫氏硬度为9.2，属于超硬材料，仅次于金刚石，所以目前多线切割是半导体材料切割的主流方法，因SIC硬度较高，导致切割速度非常慢，6inch SiC晶体多线切割目前使用螺旋线切割，工艺用时约100h左右，由于切割工艺较长，切割中可能会由于各种辅材，设备故障，或外部因素，例如突发的停电、停气等等导致线网异常断线。
[0032]而一旦发生断线，需要将晶体与线网分离后，重新设置线网，但是如果切割位置已经比较高，失去线网限制作用的晶片已切过的部分会自然的吸合在一起，从而导致再次压入均匀分布的线网的时候很难压入。
[0033]此时最为常见也是最为简单的方法就是先将晶片把线网压下去约3毫米，后人工使用美工刀片从第一片开始按照顺序逐片把刀片插入晶片的切割缝隙中把吸合在一起的晶片一片一片的拨进线网中，但是完成整个过程需要4
‑
5个小时，耗时较长，而且操作中如操作不当还会导致裂片，耗时长，效率低。
[0034]在实际生产中，本申请的专利技术人先做出了一定改进，采用优先根据实际切割片数准备相应根数的切割钢线的方式，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，其特征在于：所述工装包括支架，所述支架上设有多根分割线，所述分割线适于插入切割后的所述晶体缝隙内并均匀分割所述晶体，以使得所述晶体适配于多线切割机中的线网。2.如权利要求1所述的一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，其特征在于：所述分割线为水平设置。3.如权利要求1所述的一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，其特征在于：所述分割线线径与所述线网内的切割线线径相同。4.如权利要求1所述的一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，其特征在于：相邻的所述分割线的间距与所述多线切割机中的槽距相同。5.如权利要求1所述的一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装，其特征在于：所述支架呈中空结构，且在其两侧边上分别设有多个相互对应的穿线孔，所述分割线适于穿过所述穿线孔，从而实现所述分割线与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜海雷，浩瀚，赵新田，罗烨栋，周长青，师杰，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：