一种阵列基板、显示面板和终端设备制造技术

本公开提出一种阵列基板、显示面板和终端设备，其中，阵列基板包括：基板；第一薄膜晶体管，第一有源层包括：氧化物半导体；第二薄膜晶体管，第二有源层包括：低温多晶硅；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均设置在基板的第一侧，且第一有源层设置在第二有源层远离基板的一侧，第一电极、第三电极和第四电极均设置在第一有源层与第二有源层之间，第二电极设置在第二有源层与基板之间。在本公开的一种阵列基板、显示面板和终端设备中，第一有源层的制备顺序在第三电极和第四电极之后，从而在氢氟酸清洗第二有源层时避免损伤到第一有源层，进而使LTPO技术能够充分发挥出第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的优势，有效提升了显示性能。有效提升了显示性能。有效提升了显示性能。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板和终端设备


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和终端设备。

技术介绍

[0002]低温多晶氧化物(Low
‑
Temperature
‑
Polycrystalline
‑
Oxide，LTPO)技术是在同一背板上同时制备低温多晶硅(Low
‑
Temperature
‑
Poly
‑
Silicon，LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的技术，LTPO技术充分发挥了两种薄膜晶体管的优势，以使显示装置的功耗更低，性能更优越。
[0003]但由于低温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺会损伤到氧化物半导体薄膜晶体管，导致氧化物半导体薄膜晶体管的性能下降，进而使得LTPO技术难以发挥出最佳性能。

技术实现思路

[0004]本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0005]为此，本公开的目的在于提供一种阵列基板、显示面板和终端设备。
[0006]为达到上述目的，本公开第一方面提供一种阵列基板，包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一电极和第二电极，所述第一有源层包括：氧化物半导体；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第三电极和第四电极，所述第二有源层包括：低温多晶硅；其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均设置在所述基板的第一侧，且所述第一有源层设置在所述第二有源层远离所述基板的一侧，所述第一电极、所述第三电极和所述第四电极均设置在所述第一有源层与所述第二有源层之间，所述第二电极设置在所述第二有源层与所述基板之间。
[0007]可选的，所述阵列基板还包括：遮光金属层，所述遮光金属层设置在所述基板的第一侧，且所述遮光金属层与所述第二电极同层设置，所述遮光金属层在所述基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述基板上的正投影。
[0008]可选的，所述第一有源层包括：第一部分，所述第一部分和所述第一电极在所述基板上的正投影至少部分重合，所述第一部分与所述第一电极相连；第二部分，所述第二部分的一端与所述第一部分相连；第三部分，所述第三部分与所述第二部分远离所述第一部分的一端相连，所述第三部分与所述第二电极相连。
[0009]可选的，所述阵列基板还包括：连接层，所述连接层与所述第一电极同层设置，所述连接层和所述第二电极在所述基板上的正投影至少部分重合，所述第三部分与所述第二电极通过所述连接层相连。
[0010]可选的，所述第三部分靠近所述基板的一侧与所述连接层远离所述基板的一侧贴合，所述连接层与所述第二电极通过第一过孔相连。
[0011]可选的，所述第三部分和所述第二电极在所述基板上的正投影至少部分重合，所述第三部分与所述第二电极通过第一过孔相连。
[0012]可选的，所述第一部分靠近所述基板的一侧与所述第一电极远离所述基板的一侧
贴合。
[0013]可选的，所述第一电极与所述第三电极同层设置，且所述第一电极与所述第三电极相连。
[0014]可选的，所述第三电极与所述第四电极同层设置，所述第三电极和所述第二有源层在所述基板上的正投影至少部分重合，所述第四电极和所述第二有源层在所述基板上的正投影至少部分重合。
[0015]本公开第二方面提供一种显示面板，包括：如本公开第一方面提供的阵列基板。
[0016]本公开第三方面提供一种终端设备，包括：如本公开第二方面提供的显示面板。
[0017]本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0018]由于第一有源层设置在第二有源层远离基板的一侧，第一电极、第三电极和第四电极均设置在第一有源层与第二有源层之间，第二电极设置在第二有源层与基板之间，使阵列基板整体的制备顺序依次是第二电极、第二有源层、第一电极、第三电极、第四电极及第一有源层，由此可以看出，第一有源层的制备顺序在第三电极和第四电极之后，从而在氢氟酸清洗第二有源层时避免损伤到第一有源层，进而使第一薄膜晶体管能够发挥出载流子迁移率高、沉积温度低以及透明度高的优点，使LTPO技术能够充分发挥出第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的优势，有效提升了显示性能。
[0019]本公开附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本公开的实践了解到。
附图说明
[0020]本公开上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0021]图1是相关实施例提出的阵列基板的剖面示意图；
[0022]图2是相关实施例提出的阵列基板中氢氟酸清洗时的剖面示意图；
[0023]图3是本公开一实施例提出的阵列基板的剖面示意图；
[0024]图4是本公开一实施例提出的阵列基板的剖面示意图；
[0025]如图所示：S1、基板；
[0026]S2、第一薄膜晶体管，S201、第一有源层，S202、第一电极，S203、第二电极；
[0027]S3、第二薄膜晶体管，S301、第二有源层，S302、第三电极，S303、第四电极；
[0028]S4、过孔，S5、氢氟酸；
[0029]1、基板；
[0030]2、第一薄膜晶体管，201、第一有源层，2011、第一部分，2012、第二部分，2013、第三部分，202、第一电极，203、第二电极；
[0031]3、第二薄膜晶体管，301、第二有源层，302、第三电极，303、第四电极；
[0032]4、遮光金属层，5、连接层，6、第一过孔，7、缓冲层，8、栅绝缘层，9、层间绝缘层。
具体实施方式
[0033]下面详细描述本公开的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附
图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本公开，而不能理解为对本公开的限制。相反，本公开的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
[0034]低温多晶氧化物(Low
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Temperature
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Polycrystalline
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Oxide，LTPO)技术是在同一背板上同时制备低温多晶硅(Low
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Temperature
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Poly
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Silicon，LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的技术，低温多晶硅薄膜晶体管具有开关速度高、功耗小的优点，氧化物半导体薄膜晶体管具有载流子迁移率高、沉积温度低以及透明度高的优点，LTPO技术充分发挥了两种薄膜晶体管的优势。
[0035]如图1所示，在相关实施例中，阵列基板包括基板S1、第一薄膜晶体管S2和第二薄膜晶体管S3，第一薄膜晶体管S2包括第一有源层S201、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一电极和第二电极，所述第一有源层包括：氧化物半导体；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第三电极和第四电极，所述第二有源层包括：低温多晶硅；其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均设置在所述基板的第一侧，且所述第一有源层设置在所述第二有源层远离所述基板的一侧，所述第一电极、所述第三电极和所述第四电极均设置在所述第一有源层与所述第二有源层之间，所述第二电极设置在所述第二有源层与所述基板之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：遮光金属层，所述遮光金属层设置在所述基板的第一侧，且所述遮光金属层与所述第二电极同层设置，所述遮光金属层在所述基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述基板上的正投影。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括：第一部分，所述第一部分和所述第一电极在所述基板上的正投影至少部分重合，所述第一部分与所述第一电极相连；第二部分，所述第二部分的一端与所述第一部分相连；第三部分，所述第三部分与所述第二部分远离所述第一部分的一端相连，所述第三部分与所述第二电极相连。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢亮，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：新型
国别省市：