电子电路和电子系统技术方案

本公开的各实施例总体上涉及电子电路和电子系统。一种电子电路包括上基板和下基板。电子集成电路芯片位于上基板与下基板之间。芯片包括耦合到上基板的接触元件。由第一材料制成的第一区域布置在芯片和穿过下基板的传热区域之间。填充有第二材料的第二区域耦合下基板和上基板，并且横向地围绕第一区域。第一材料的导热率大于第二材料的导热率。本实用新型专利技术的实施例提供了对电子电路的散热的改进。的实施例提供了对电子电路的散热的改进。的实施例提供了对电子电路的散热的改进。

【技术实现步骤摘要】
电子电路和电子系统


[0001]本公开总体上涉及电子电路及其制造方法，特别是包括嵌入基板中的电子芯片的电子电路。

技术介绍

[0002]为了保护其免受环境条件(诸如湿度)的影响，现有电子电路可以包括通过模制工艺而嵌入树脂中的元件。这些树脂特别地限制了电子电路内生成的热量的耗散。此外，已经提供了模制嵌入式封装组件以使电子电路更紧凑。特别地，在这种组件中，电子芯片嵌入通过模制而形成的树脂中。然而，在这种类型的组件中，散热变得至关重要。由此产生的热量限制了性能，并且是故障的来源。
[0003]需要改善电子电路内部或电子电路堆叠时的散热。

技术实现思路

[0004]一个实施例克服了已知电子电路的全部或部分缺点。
[0005]根据本公开的一个或多个方面，提供了一种电子电路，包括：上基板；下基板，包括穿过所述下基板的厚度以提供传热区的开口；电子芯片，位于所述上基板与所述下基板之间并且具有耦合到所述上基板的接触元件；第一区域，由第一材料制成并且布置在所述电子芯片与所述传热区之间；以及第二区域，填充有第二材料并且耦合所述下基板和所述上基板；其中所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。
[0006]在一个或多个实施例中，电子电路还包括布置在所述上基板与所述下基板之间的第一导热元件，所述第一导热元件紧固到所述上基板和所述下基板。
[0007]在一个或多个实施例中，电子电路还包括由第三电绝缘材料制成的第三区域，所述第三区域布置在所述上基板与所述电子芯片的面向所述上基板的表面之间，所述第三区域至少部分围绕所述电子芯片的所述接触元件。
[0008]在一个或多个实施例中，其中所述开口与所述电子芯片竖直对准。
[0009]在一个或多个实施例中，其中所述第一材料至少部分填充所述开口。
[0010]在一个或多个实施例中，电子电路还包括布置在所述开口中的热导体，所述热导体的导热率大于所述第二材料的导热率。
[0011]在一个或多个实施例中，电子电路还包括导热元件，所述导热元件布置在所述下基板的面向所述上基板的表面上，并且布置为与所述热导体接触；所述导热元件的导热率大于所述第二材料的导热率。
[0012]在一个或多个实施例中，其中所述热导体是导电板。
[0013]在一个或多个实施例中，其中所述导热元件是导电板，并且所述热导体是填充所述开口的金属过孔。
[0014]在一个或多个实施例中，其中所述导热元件由选自由铜或镍和金合金板组成的组中的材料板制成，并且其中所述热导体由选自由铜或镍和金合金板组成的组的材料板制
成。
[0015]在一个或多个实施例中，其中填充有第二材料的所述第二区域横向地围绕由所述第一材料制成的所述第一区域。
[0016]在一个或多个实施例中，其中所述上基板和所述下基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，所述接触焊盘被布置在所述基板的厚度的任一侧。
[0017]根据本公开的一个或多个方面，提供了一种电子系统，包括：上述的电子电路；以及至少另一电子电路，位于所述上基板上并且至少热耦合到所述电子电路的所述上基板。
[0018]根据本公开的一个或多个方面，提供了一种电子电路，包括：上基板；下基板，包括穿过所述下基板的厚度的开口；电子芯片，位于所述上基板与所述下基板之间并且具有耦合到所述上基板的接触元件；第一区域，由第一材料制成并且布置在所述电子芯片与所述下基板之间，所述第一材料进一步延伸到所述下基板中的所述开口中；第二区域，填充有第二材料、耦合所述下基板和所述上基板并且围绕所述第一区域；其中所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率；以及传导板，布置在所述开口中，所述传导板的底面与所述下基板的底面共面。
[0019]在一个或多个实施例中，电子电路还包括布置在所述上基板与所述下基板之间的第一导热元件，所述第一导热元件紧固到所述上基板和所述下基板。
[0020]在一个或多个实施例中，电子电路还包括由第三电绝缘材料制成的第三区域，所述第三区域布置在所述上基板与所述电子芯片的面向所述上基板的表面之间，所述第三区域至少部分围绕所述电子芯片的所述接触元件。
[0021]在一个或多个实施例中，其中所述上基板和所述下基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，所述接触焊盘被布置在所述基板的厚度的任一侧。
[0022]根据本公开的一个或多个方面，提供了一种电子电路，包括：上基板；下基板，包括穿过所述下基板的厚度的开口；电子芯片，位于所述上基板与所述下基板之间并且具有耦合到所述上基板的接触元件；传导板，安装到所述下基板的上表面并且覆盖所述开口；在所述开口中的传导过孔；第一区域，由第一材料制成并且布置在所述电子芯片与所述下基板之间，所述第一材料包封所述传导板；第二区域，填充有第二材料并且耦合所述下基板和所述上基板并且围绕所述第一区域；以及其中所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。
[0023]在一个或多个实施例中，电子电路还包括布置在所述上基板与所述下基板之间的第一导热元件，所述第一导热元件紧固到所述上基板和所述下基板。
[0024]在一个或多个实施例中，电子电路还包括由第三电绝缘材料制成的第三区域，所述第三区域布置在所述上基板与所述电子芯片的面向所述上基板的表面之间，所述第三区域至少部分围绕所述电子芯片的所述接触元件。
[0025]在一个或多个实施例中，其中所述上基板和所述下基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，所述接触焊盘被布置在所述基板的厚度的任一侧。一个实施例提供了一种电子电路，该电子电路包括：上基板和下基板；位于上基板与下基板之间并且具有耦合到上基板的接触元件的电子集成电路芯片；由第一材料制成并且布置在芯片和穿过下基板的传热区之间的第一区域；以及填充有第二材料并且耦合下基板和上基板的第二区域；其中第一材料的导热率大于第二材料的导热率。
[0026]通过使用根据本公开的实施例，可以至少解决前述问题的至少一部分，并实现相应的效果，例如能够有效改善电子电路的散热。
附图说明
[0027]上述特征和优点以及其他方面将在以下参考附图以说明而非限制的方式给出的具体实施例的描述中详细描述，在附图中：
[0028]图1示意性地示出了电子电路组装示例的横截面图；
[0029]图2示意性地示出了根据本说明书的实施例的电子电路的横截面图；
[0030]图3示意性地示出了根据本公开的另一实施例的电子电路的横截面图；
[0031]图4以框图形式示出了根据本公开的实施例的电子电路的制造方法的不同步骤；以及
[0032]图5a至图5g示意性地示出了图4的制造方法的不同步骤的横截面图。
具体实施方式
[0033]在各图中，相似的特征用相似的附图标记表示。特别地，在各种实施例中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
[0034]为了清楚起见，仅详细说明和描述了有助于理解本文所述实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子电路，其特征在于，包括：上基板；下基板，包括穿过所述下基板的厚度以提供传热区的开口；电子芯片，位于所述上基板与所述下基板之间并且具有耦合到所述上基板的接触元件；第一区域，由第一材料制成并且布置在所述电子芯片与所述传热区之间；以及第二区域，填充有第二材料并且耦合所述下基板和所述上基板；其中所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括布置在所述上基板与所述下基板之间的第一导热元件，所述第一导热元件紧固到所述上基板和所述下基板。3.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括由第三电绝缘材料制成的第三区域，所述第三区域布置在所述上基板与所述电子芯片的面向所述上基板的表面之间，所述第三区域至少部分围绕所述电子芯片的所述接触元件。4.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述开口与所述电子芯片竖直对准。5.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述第一材料至少部分填充所述开口。6.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括布置在所述开口中的热导体，所述热导体的导热率大于所述第二材料的导热率。7.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，还包括导热元件，所述导热元件布置在所述下基板的面向所述上基板的表面上，并且布置为与所述热导体接触；所述导热元件的导热率大于所述第二材料的导热率。8.根据权利要求7所述的电子电路，其特征在于，所述热导体是导电板。9.根据权利要求7所述的电子电路，其特征在于，所述导热元件是导电板，并且所述热导体是填充所述开口的金属过孔。10.根据权利要求7所述的电子电路，其特征在于，所述导热元件由选自由铜或镍和金合金板组成的组中的材料板制成，并且其中所述热导体由选自由铜或镍和金合金板组成的组的材料板制成。11.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，填充有第二材料的所述第二区域横向地围绕由所述第一材料制成的所述第一区域。12.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述上基板和所述下基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，所述接触焊盘被布置在所述基板的厚度的任一侧。13.一种电子系统，其特征在于，包括：根据权利要求1所述的电子电路；以及至少另一电子电路，位于所述上基板上并且至少热耦合到所述电子电路的所述上基板。14.一种电子电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：新型
国别省市：