覆膜支架制造技术

本实用新型专利技术提供一种覆膜支架，包括主体支撑部及连接波圈；主体支撑部的远端开口呈斜切口状，使得主体支撑部远端在大弯侧的支撑位置与小弯侧的支撑位置发生一定程度的偏移，适应血管弯曲时内部的变化，增强覆膜支架在远端的贴壁性；主体支撑部包括主体支架及覆设于主体支架上的覆膜；连接波圈的至少部分近端波杆伸入主体支撑部的覆膜内与位于最远端的主体支架的主体波圈交叉叠压，增强开口边缘处的支撑性；连接波圈的部分远端伸出主体支撑部的远端开口，伸出部分形成勾挂结构，在释放时，靠近血管大弯侧的勾挂结构会优先释放与血管壁抵接锚定，保证后续释放时覆膜支架的稳定性。保证后续释放时覆膜支架的稳定性。保证后续释放时覆膜支架的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
覆膜支架


[0001]本技术涉及医疗器械
，尤其涉及一种覆膜支架。

技术介绍

[0002]胸主动脉腔内修复术(thoracic endovascular aortic repair，TEVAR)是治疗主动脉疾病的一种方法。TEVAR的目的是以覆膜支架封闭血管原发内膜破口，并扩张真腔、压缩假腔、促进假腔血栓化、防止夹层破裂、达到主动脉重构，改善近端分支血管供血的目的。TEVAR经过10多年的发展，随着支架的改进与技术的完善，这一微创技术得到广泛地应用，近、中期结果令人满意，在一定范围内取代了开放外科手术。与外科手术相比，TEVAR具有操作相对简便、手术成功率高、创伤小、患者恢复快等优点。
[0003]TEVAR在某些情况下会出现支架远端贴壁性不好的问题，容易引起I型内漏。比如由于升主动脉的生理弧度较大，植入支架的远端在升主动脉的小弯侧贴壁性较差，故有必要提供一种新的支架结构，能够使得释放后的支架在升主动脉血管内弯曲程度较大的区域具有良好贴壁性的同时，能够保证支架在释放时的位置准确性和稳定性。

技术实现思路

[0004]针对上述技术中存在的不足之处，本技术提供一种覆膜支架，包括主体支撑部及连接波圈；所述主体支撑部的远端开口呈斜切口状，所述主体支撑部包括具有远端主体波圈的主体支架及覆设于所述主体支架上的覆膜；所述连接波圈的至少部分波杆近端伸入所述主体支撑部的所述覆膜内，且所述连接波圈伸入所述覆膜内的至少部分波杆与所述主体支撑部的远端主体波圈的部分波杆一一交叉叠压，所述连接波圈的至少部分波峰伸出所述主体支撑部的远端开口，用于与输送器可拆卸连接。
[0005]在一个实施例中，所述连接波圈包括第一高波和第一低波，所述第一高波的轴向尺寸大于所述第一低波的轴向尺寸，所述第一高波的波峰伸出于所述覆膜的开口边缘，所述第一低波的波杆与所述主体波圈的波杆交叉叠压。
[0006]在一个实施例中，所述连接波圈在周向上包括更靠近所述覆膜支架大弯侧的第一波圈段，多个所述第一高波均设于所述第一波圈段内且间隔设置。
[0007]在一个实施例中，多个所述第一高波沿所述连接波圈的周向方向间隔设置。
[0008]在一个实施例中，多个所述第一低波的波峰与所述主体支撑部在远端开口的斜切口平齐，多个所述第一高波的波峰在周向方向上的连线所在的平面与所述斜切口所在的平面平行。
[0009]在一个实施例中，多个所述第一低波的波峰与所述主体支撑部在远端开口的斜切口平齐，多个所述第一高波的波峰在周向方向上的连线所在的平面与所述斜切口所在的平面所形成的夹角范围为0
°
～45
°
。
[0010]在一个实施例中，所述主体波圈包括第二高波和第二低波，所述第二高波的轴向尺寸大于所述第二低波的轴向尺寸，所述第二高波在所述主体波圈的周向方向上比所述第
二低波更靠近血管大弯侧。
[0011]在一个实施例中，所述斜切口为在矢状面和/或冠状面上弯曲的弧形切口状。
[0012]在一个实施例中，所述连接波圈伸出所述主体支撑部的远端开口的部分波峰朝所述连接波圈的轴心方向弯折，形成向内收拢的勾挂结构。
[0013]在一个实施例中，所述斜切口所在的平面相对所述覆膜支架沿周向的横截面所在的平面的倾斜角度范围为5
°
～25
°
。
[0014]本技术的有益效果是：与现有技术相比，本技术提供一种覆膜支架，包括主体支撑部及连接波圈；主体支撑部的远端开口呈斜切口状，使得主体支撑部远端在大弯侧的支撑位置与小弯侧的支撑位置发生一定程度的偏移，适应血管弯曲时内部的变化，增强覆膜支架在远端的贴壁性；主体支撑部包括主体支架及覆设于主体支架上的覆膜；连接波圈的至少部分近端波杆伸入主体支撑部的覆膜内与位于最远端的主体支架的主体波圈交叉叠压，增强开口边缘处的支撑性；连接波圈的部分远端伸出主体支撑部的远端开口，伸出部分形成勾挂结构，在释放时，靠近血管大弯侧的勾挂结构会优先释放与血管壁抵接锚定，保证后续释放时覆膜支架的稳定性。
附图说明
[0015]图1为本技术的覆膜支架的结构示意图；
[0016]图2为图1中覆膜支架在升主动脉血管内的安装示意图；
[0017]图3为本技术实施例一中的覆膜支架的远端段的一种实施方式结构示意图；
[0018]图4为本技术实施例一中的覆膜支架的远端段的另一种实施方式结构示意图；
[0019]图5为本技术实施例一中覆膜支架的远端段的波圈支架与主体波圈爆炸示意图；
[0020]图6为本技术实施例一中的连接波圈结构侧视图；
[0021]图7为本技术的实施例一中连接波圈的第一高波在第一波圈段内间隔分布示意图；
[0022]图8为本技术的实施例一中连接波圈的第一高波在第一波圈段内间隔所占弧度示意图；
[0023]图9为本技术的实施例一中连接波圈的结构立体图；
[0024]图10为本技术的实施例二中连接波圈的第一高波沿连接波圈的周向方向间隔设置示意图；
[0025]图11为本技术的实施例二中连接波圈的第一高波垂直对齐示意图；
[0026]图12为本技术的实施例二中连接波圈的第一高波倾斜对齐示意图；
[0027]图13为本技术的主体波圈的结构侧视图；
[0028]图14为本技术实施例三中的主体波圈的第二高波占比沿轴向朝远端逐渐降低的结构示意图；
[0029]图15为本技术实施例四中的斜切口为弧形切口的简示图；
[0030]图16为本技术实施例五中斜切口在矢状面和冠状面上弯曲的结构示意图；
[0031]图17为本技术实施例三中的主体波圈的第二高波占比示意图；
[0032]图18为本技术的连接波圈在远端铆勾挂连接侧视图；
[0033]图19为本技术的连接波圈在远端铆勾挂连接简示图；
[0034]图20为本技术的连接波圈与覆膜的缝合点位示意图；
[0035]图21为本技术的连接波圈与近端主体波圈交叉叠压后缝合示意图。
具体实施方式
[0036]为更好地理解本技术的构思，以下结合附图对本技术的实施方式做具体说明，以下具体实施例仅是本技术的部分实施例，并非对本技术的限制。
[0037]为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆膜支架，其特征在于，包括主体支撑部及连接波圈；所述主体支撑部的远端开口呈斜切口状，所述主体支撑部包括具有远端主体波圈的主体支架及覆设于所述主体支架上的覆膜；所述连接波圈的至少部分波杆近端伸入所述主体支撑部的所述覆膜内，且所述连接波圈伸入所述覆膜内的至少部分波杆与所述主体支撑部的远端主体波圈的部分波杆一一交叉叠压，所述连接波圈的至少部分波峰伸出所述主体支撑部的远端开口，用于与输送器可拆卸连接。2.根据权利要求1所述的覆膜支架，其特征在于，所述连接波圈包括第一高波和第一低波，所述第一高波的轴向尺寸大于所述第一低波的轴向尺寸，所述第一高波的波峰伸出于所述覆膜的开口边缘，所述第一低波的波杆与所述主体波圈的波杆交叉叠压。3.根据权利要求2所述的覆膜支架，其特征在于，所述连接波圈在周向上包括更靠近所述覆膜支架大弯侧的第一波圈段，多个所述第一高波均设于所述第一波圈段内且间隔设置。4.根据权利要求2所述的覆膜支架，其特征在于，多个所述第一高波沿所述连接波圈的周向方向间隔设置。5.根据权利要求3或4所述的覆膜支架，其特征在于，多个所述第一低波的波峰与所述主体支撑部在远端开口的斜切口平齐，多个所述第一高波的波峰在周向方向上的连线所在的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖本好，陈柔合，明廷伯，
申请(专利权)人：先健科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：