磁记录介质及磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质及磁存储装置。磁记录介质100依次具有基板1、基底层2以及磁性层3。磁性层3具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质及磁存储装置
[0001]本申请是申请日为2021年5月19日，申请号为202110544113.8的标题为“磁记录介质及磁存储装置”的中国专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及磁记录介质以及磁存储装置。

技术介绍

[0003]近年来，通过对于磁记录介质，照射近场光或微波以局部地加热，从而使顽磁力降低并进行记录的热辅助记录方式或微波辅助记录方式作为能够实现2Tbit/英寸2左右的高面记录密度的下一代记录方式而受到关注。如果使用这样的辅助记录方式的磁头，则能够容易记录于室温下的顽磁力为数十kOe的磁记录介质。因此，作为磁性层所包含的磁性粒子，能够使用结晶磁各向异性常数(Ku)高的磁性粒子，其结果是能够在维持热稳定性的状态下，将磁性粒子进行微细化。
[0004]作为结晶磁各向异性常数(Ku)高的磁性粒子，已知Fe
‑
Pt合金粒子(Ku～7
×
106J/m3)、Co
‑
Pt合金粒子(Ku～5
×
106J/m3)等具有L10结构的磁性粒子。
[0005]另一方面，作为构成具有粒状结构的磁性层所包含的晶界部的材料，已知各种非磁性材料(例如，参照专利文献1～3、非专利文献1)。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2016
‑
26368号公报
[0009]专利文献2：日本特开2017
‑
182861号公报
[0010]专利文献3：日本特开2015
‑
130223号公报
[0011]非专利文献
[0012]非专利文献1：APPLIED PHYSICS LETTERS 104，192404(2014)

技术实现思路

[0013]专利技术所要解决的课题
[0014]然而，期望进一步提高磁记录介质的面记录密度。
[0015]为了进一步提高磁记录介质的面记录密度，考虑使磁性层所包含的磁性粒子的粒径进一步变小，使磁性层所包含的磁性粒子的各向异性进一步提高，使磁记录介质的顽磁力进一步提高。
[0016]本专利技术的一方式的目的在于，提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质。
[0017]用于解决课题的方法
[0018](1)一种磁记录介质，其依次具有基板、基底层以及磁性层，上述磁性层具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，上述晶界部的含量在25体
积％～50体积％的范围内，上述晶界部包含硫属元素化物系层状物质。
[0019](2)根据(1)所述的磁记录介质，上述硫属元素化物系层状物质为TiS2、ZrS2、HfS2、VS2、NbS2、TaS2、MoS2、WS2、GaS、GeS或SnS2。
[0020](3)根据(1)或(2)所述的磁记录介质，上述基底层与上述磁性层之间进一步具有包含硼的磁性层。
[0021](4)一种磁存储装置，其具有(1)～(3)中任一项所述的磁记录介质。
[0022]专利技术的效果
[0023]根据本专利技术的一方式，能够提供顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质。
附图说明
[0024]图1为示出本实施方式的磁记录介质的层构成的一例的截面图。
[0025]图2为示出本实施方式的磁存储装置的一例的立体图。
[0026]图3为示出图2的磁头的示意图。
具体实施方式
[0027]以下，对于本具体实施方式，参照附图进行说明。另外，以下说明中所使用的附图为了易于理解特征，有时为了方便，将作为特征的部分放大来表示，并不限定于各构成要素的尺寸比率等相同。
[0028][磁记录介质][0029]图1示出本实施方式的磁记录介质的层构成的一例。
[0030]磁记录介质100依次具有基板1、基底层2以及磁性层3。
[0031]这里，磁性层3具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，晶界部包含硫属元素化物系层状物质。
[0032]所谓硫属元素化物系层状物质，为具有通过与第16族元素(氧族元素)的强的结合(例如，共价键、离子键)而形成的单元层介由弱的结合(例如，范德华力)，进行了层叠的层状结构的物质。
[0033]作为硫属元素化物系层状物质，可举出例如，TiS2、ZrS2、HfS2、VS2、NbS2、TaS2、MoS2、WS2、TiSe2、ZrSe2、HfSe2、VSe2、NbSe2、TaSe2、MoSe2、WSe2、TiTe2、ZrTe2、HfTe2、VTe2、NbTe2、TaTe2、MoTe2、WTe2、GaS、GaSe、GaTe、InSe、GeS、SnS2、SnSe2、PbO、Bi2Se3、Bi2Te3等。这些之中，由于阴离子的原子量小，流动性(mobility)比较高，因此优选为TiS2、ZrS2、HfS2、VS2、NbS2、TaS2、MoS2、WS2、GaS、GeS、SnS2。
[0034]硫属元素化物系层状物质为(001)面平行地重叠而成的六方晶系，由于易于取得层状结构，因此在使磁性层3生长时，能够在粒径小的磁性粒子之间，形成晶界部。此外，硫属元素化物系层状物质与具有L10结构的磁性粒子的反应性低，因此没有损害磁性粒子的规则化。而且，通过使磁性层3中的晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内，从而在使磁性层3生长时，能够减小磁性粒子的粒径，并且提高生长面中的磁性粒子的面积分率，其结果是能够提高磁性粒子的各向异性，并且提高磁记录介质100的顽磁力。
[0035]作为具有L10结构的磁性粒子，可举出例如，Fe
‑
Pt合金粒子、Co
‑
Pt合金粒子等。
[0036]磁性层3中的晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内，优选在35体积％～45体积％的范围内。在磁性层3中的晶界部的含量小于25体积％的情况下，或者超过50体积％的情况下，磁记录介质100的顽磁力和磁性层3所包含的磁性粒子的各向异性降低。
[0037]磁性层3所包含的磁性粒子优选相对于基板1，使其c轴取向，即，使其(001)面取向。
[0038]作为使磁性层3所包含的磁性粒子相对于基板1，c轴取向的方法，可举出例如，使用基底层2，使磁性层3在c轴向上外延生长的方法等。
[0039]这里，晶界部可以进一步包含碳化物、氮化物、氧化物、硼化物等硫属元素化物系层状物质以外的成分。
[0040]作为硫属元素化物系层状物质以外的成分，可举出例如，BN、B4C、C、MoO3、GeO2等。
[0041]磁记录介质100可以进一步具有磁性层3以外的磁性层。特别优选磁记录介质100在基底层2与磁性层3之间，进一步具有包含硼的磁性层。由此，如果减小包含硼的磁性层所包含的磁性粒子的粒径，则本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁记录介质，其依次具有基板、基底层以及磁性层，所述磁性层具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，所述晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内，所述晶界部包含硫属元素化物系层状物质。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，所述硫属元素化物系层状...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川浩太，福岛隆之，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：