锗纳米点／硅纳米线阵列结构薄膜的制备方法技术

本发明专利技术的锗纳米点／硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用Ｐ型或Ｎ型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点／硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点／硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种锗纳米点／硅纳米线阵列结构薄膜，其特征在于包括硅纳米线阵列和锗纳米点，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶敏华，施毅，濮林，徐子敬，张荣，郑有炓，
申请(专利权)人：施毅，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]