一种具有6阶滤波响应的双路电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有6阶滤波响应的双路电子装置，包括第一滤波结构、第二滤波结构、隔离网络Iso1、隔离网络Iso2、隔离网络Iso3、第一端口Port1、第二端口Port2和第三端口Port3。该具有6阶滤波响应的双路电子装置结合半导体无源集成工艺和多层基板工艺各自的优势，具有小型化、高性能的特性。该具有6阶滤波响应的双路电子装置集成了功率分配器和频率选择的功能，其滤波响应具有三个传输零点以及高选择性、宽阻带的特性。该具有6阶滤波响应的双路电子装置基于半导体无源集成工艺的平板电容芯片通过Bump（导通件）堆叠在三维电感之上，采用高密度电容和电容电阻电感垂直分布的方式可以大大减小器件的尺寸。大减小器件的尺寸。大减小器件的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种具有6阶滤波响应的双路电子装置


[0001]本专利技术属于无线通信领域，具体涉及一种具有6阶滤波响应的双路电子装置。

技术介绍

[0002]在现代无线通信系统中，功分器和带通滤波器发挥着不可替代的作用。在设计系统的过程中，这两个器件一般是级联存在于系统中的，这会导致过大的面积和较差的工作性能。为了解决这一问题，一种有效实现小型化和提供工作性能的方法是将这两个单独的电路集成到一个器件中，即具有6阶滤波响应的双路电子装置，同时提供功率分配器和频率选择的功能。
[0003]通常来说，对于小型化高密度集成的器件，其工艺体系往往采用基于CMOS或化合物的半导体无源集成工艺，其谐振器通常采用基于感性和容性结构的集总参数思路进行设计，而谐振器电感物理实现及其与电容的集成一般采用二维平面集成方式。但是，在这种集成方式下的电感Q值较低，会导致滤波器矩形系数明显下降；同时，平面集成方式导致电感占据了大量的器件平面载荷空间，致使滤波器的小型化集成能力受限。基于多层基板工艺的三维电感可以减少电感的平面面积同时提高电感的Q值，但是由于此工艺的金属层之间的高度过大，导致此工艺设计的容性结构的面积远远大于半导体无源集成工艺。

技术实现思路

[0004]为了解决上述
技术介绍
提到的技术问题，本专利技术提出了一种具有宽带隔离特性的具有6阶滤波响应的双路电子装置。
[0005]为了实现上述技术目的，本专利技术的技术方案为：一种具有6阶滤波响应的双路电子装置，包括第一滤波结构、第二滤波结构、隔离网络Iso1、隔离网络Iso2和隔离网络Iso3、第一端口Port1、第二端口Port2和第三端口Port3；所述第一滤波结构包括第一谐振器Res1、第二谐振器Res2、第三谐振器Res3、第四谐振器Res4、第五谐振器Res5、第六谐振器Res6、匹配电容C7、匹配电容C8和匹配电感L7；第一谐振器Res1为电容C1和电感L1并联构成，第二谐振器Res2为电容C2和电感L2并联构成，第三谐振器Res3为电容C3和电感L3并联构成，第四谐振器Res4为电容C4和电感L4并联构成，第五谐振器Res5为电容C5和电感L5并联构成，第六谐振器Res6为电容C6和电感L6并联构成，第一谐振器Res1、第二谐振器Res2和第三谐振器Res3星形连接，第四谐振器Res4、第五谐振器Res5和第六谐振器Res6星形连接。第一谐振器Res1的另一端与匹配电容C7的一端连接，匹配电容C7的另一端接地，第二谐振器Res2的另一端接地，第三谐振器Res3的另一端与第四谐振器Res4的另一端连接，第五谐振器Res5的另一端接地，第六谐振器Res6的另一端与匹配电容C8的一端连接，匹配电容C8的另一端接地，第三谐振器Res3和第四谐振器Res4的公共端与匹配电感L7的一端连接，匹配电感L7的另一端接地；所述第二滤波结构具有与所述第一滤波结构相同的结构；所述第一端口Port1与所述第一滤波结构的第一谐振器Res1连接，所述第一端口Port1还与与所述第二滤波结构的第一谐振器Res1连接；所述第二
端口Port2与所述第一滤波结构的第六谐振器Res6连接；所述第三端口Port3与所述第二滤波结构的第六谐振器Res6连接。
[0006]优选地，所述隔离网络Iso1包括依次串联的电容Cr1、电阻R1和电容Cr1，所述隔离网络Iso3包括依次串联的电容Cr3、电阻R3和电容Cr3；所述隔离网络Iso1的一端与所述第一滤波结构的第一谐振器Res1、第二谐振器Res2和第三谐振器Res3星形连接的公共端连接，所述隔离网络Iso1的另一端与第二滤波结构的第一谐振器Res1、第二谐振器Res2和第三谐振器Res3星形连接的公共端连接；所述隔离网络Iso3的一端与所述第一滤波结构的第四谐振器Res4、第五谐振器Res5和第六谐振器Res6星形连接的公共端连接，所述隔离网络Iso3的另一端与所述第二滤波结构的第四谐振器Res4、第五谐振器Res5和第六谐振器Res6星形连接的公共端连接。
[0007]优选地，所述隔离网络Iso2为电阻R2；所述隔离网络Iso2的一端与第一滤波结构的第三谐振器Res3的一端连接，所述隔离网络Iso2的一端还与第一滤波结构的第四谐振器Res3的一端连接，所述隔离网络Iso2的另一端与第二滤波结构的第三谐振器Res3的一端连接，所述隔离网络Iso2的一端还与第二滤波结构的第四谐振器Res3的一端连接。
[0008]优选地，所述第三谐振器Res3和所述第四谐振器Res4被配置成其间发生电磁场耦合。
[0009]优选地，所述具有6阶滤波响应的双路电子装置还包括多层基板，所述多层基板由多个电介质层沿层叠方向层叠而成；所述匹配电感L7和第一至第六谐振器中的电感为三维螺旋结构，由金属化的材料构成。
[0010]优选地，所述电感L1和所述电感L2被设置为电感L1和电感L2的两端磁力线相互垂直且L1和L2之间存在至少一个接地通孔，所述电感L2和所述电感L3被设置为电感L2和电感L3的两端磁力线相互垂直。
[0011]优选地，所述电感L4和所述电感L5被设置为电感L4和电感L5的两端磁力线相互垂直且L4和L5之间存在至少一个接地通孔，所述电感L5和所述电感L6被设置为电感L5和电感L6的两端磁力线相互垂直。
[0012]优选地，所述匹配电感L7被设置为L7的两端的磁力线分别与电感L1、电感L3、电感L4、电感L6的两端的磁力线相互垂直。
[0013]优选地，还包括半导体无源集成基板，所述半导体无源集成基板由多个电介质层延层叠方向层叠而成，所述半导体无源集成基板采用倒扣的安装方式与所述多层基板异构集成，其连接处采用铜柱实现电连接。
[0014]优选地，所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容Cr1、电容Cr3由多个配置在导体无源集成基板中的金属化的电极耦合构成；所述电阻R1、电阻R2、电阻R3由配置在导体无源集成基板中的阻性材料构成。
[0015]采用上述技术方案带来的有益效果：本专利提出一种具有6阶滤波响应的双路电子装置，该具有6阶滤波响应的双路电子装置结合半导体无源集成工艺和多层基板工艺各自的优势，具有小型化、高性能的特性。该具有6阶滤波响应的双路电子装置集成了功率分配器和频率选择的功能，其滤波响应具有三个传输零点以及高选择性、宽阻带的特性。该具有6阶滤波响应的双路电子装置基于半导体无源集成工艺的平板电容芯片通过Bump（导通件）堆叠在三维电感之上，采用高密度电
容和电容电阻电感垂直分布的方式可以大大减小器件的尺寸；该具有6阶滤波响应的双路电子装置合理的放置三维螺旋电感的位置，使三维螺旋电感两端的磁力线方向相互垂直或者平行，能够大大的减小电感之间的耦合，同时将磁力线与另外两个电感的磁力线相垂直的电感放置在两个电感之间，可以进一步的减小这两个电感的耦合；将接地通孔设置在两个电感之间，可以进一步的减小这两个电感的耦合。
附图说明
[0016]图1是具有6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有6阶滤波响应的双路电子装置，其特征在于，包括第一滤波结构、第二滤波结构、隔离网络Iso1、隔离网络Iso2、隔离网络Iso3、第一端口Por t1、第二端口Port2和第三端口Port3；所述第一滤波结构包括第一谐振器Res1、第二谐振器Res2、第三谐振器Res3、第四谐振器Res4、第五谐振器Res5、第六谐振器Res6、匹配电容C7、匹配电容C8和匹配电感L7；第一谐振器Res1为电容C1和电感L1并联构成，第二谐振器Res2为电容C2和电感L2并联构成，第三谐振器Res3为电容C3和电感L3并联构成，第四谐振器Res4为电容C4和电感L4并联构成，第五谐振器Res5为电容C5和电感L5并联构成，第六谐振器Res6为电容C6和电感L6并联构成，第一谐振器Res1、第二谐振器Res2和第三谐振器Res3星形连接，第四谐振器Res4、第五谐振器Res5和第六谐振器Res6星形连接，第一谐振器Res1的另一端与匹配电容C7的一端连接，匹配电容C7的另一端接地，第二谐振器Res2的另一端接地，第三谐振器Res3的另一端与第四谐振器Res4的另一端连接，第五谐振器Res5的另一端接地，第六谐振器Res6的另一端与匹配电容C8的一端连接，匹配电容C8的另一端接地，第三谐振器Res3与第四谐振器Res4的连接的公共端与匹配电感L7的一端连接，匹配电感L7的另一端接地；所述第二滤波结构具有与所述第一滤波结构相同的结构；所述第一端口Port1与所述第一滤波结构的第一谐振器Res1连接，所述第一端口Port1还与所述第二滤波结构中的第一谐振器Res1连接；所述第二端口Port2与所述第二滤波结构中的第六谐振器Res6连接；所述第三端口Port3与所述第一滤波结构中的第六谐振器Res6连接。2.根据权利要求1所述一种具有6阶滤波响应的双路电子装置，其特征在于，所述隔离网络Iso1包括依次串联的电容Cr1、电阻R1和电容Cr1，所述隔离网络Iso3包括依次串联的电容Cr3、电阻R3和电容Cr3；所述隔离网络Iso1的一端与所述第一滤波结构的第一谐振器Res1、第二谐振器Res2和第三谐振器Res3星形连接的公共端连接，所述隔离网络Iso1的另一端与第二滤波结构的第一谐振器Res1、第二谐振器Res2和第三谐振器Res3星形连接的公共端连接；所述隔离网络Iso3的一端与所述第一滤波结构的第四谐振器Res4、第五谐振器Res5和第六谐振器Res6星形连接的公共端连接，所述隔离网络Iso3的另一端与所述第二滤波结构的第四谐振器Re...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雨进，韦皓宇，周骏，
申请(专利权)人：南京国博电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：