净化台、净化台使用方法及半导体设备技术

技术编号:37861465 阅读:9 留言:0更新日期:2023-06-15 20:51
本发明专利技术公开了一种净化台、净化台使用方法和半导体设备。该净化台内部沿进舟方向分为热排区、降温区和主动进气区,在热排区顶部设置热排口,在降温区设置排风口和排风风机,通过热排口和排风口排出高温气体、腐蚀性气体等有害气体,形成逐渐排热、分区保护的结构,能够快速有效地排出跟随石英舟以及硅片进入净化台内的高温气体和腐蚀性气体等有害气体,同时能够大大降低有害气体的温度和浓度,防止硅片被污染,减少有害气体造成的热损伤和化学损伤。该净化台使用方法能根据气压值调整净化台的送风风机和排风风机的转速,既能够满足散热需要,也能够避免因气流速度过快而使硅片抖动受损。损。损。

【技术实现步骤摘要】
净化台、净化台使用方法及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体生产
,尤其涉及一种净化台、净化台使用方法及半导体设备。

技术介绍

[0002]净化台是半导体生产流程中,某些工艺设备的组成部分的统称,能够对高温产品进行冷却和净化,广泛应用于集成电路、电力电子、太阳能电池的生产等行业。
[0003]申请号为202022323704.6的在先专利公开了一种扩散炉净化台冷却系统,通过在净化台内设置风冷与水冷相结合的冷却方式,解决硅片出炉时产生的大量热量的影响,进而加快硅片和净化台内部冷却速度,提高工艺效率,并且降低电器设备的故障率。但是该扩散炉净化台冷却系统还至少存在以下问题:
[0004]1、以太阳能电池为例,现有的生产流程中,反应炉内的高温气体、腐蚀性气体等有害气体会跟随石英舟以及硅片进入净化台,使得污染硅片及难以降温。
[0005]2、硅片在冷却时会因气流抖动或温差过大,造成损伤。
[0006]3、当高温气体、腐蚀性气体等有害气体接触到净化台内电柜中的电路元器件时,容易造成热损伤和化学损伤,增加了维护和使用成本。
[0007]基于以上所述,亟需一种净化台、净化台使用方法和半导体设备,以解决上述问题之一。

技术实现思路

[0008]本专利技术的第一个目的在于提出一种净化台,能够减少高温气体和腐蚀性气体等有害气体跟随石英舟以及硅片进入净化台,并进一步使得硅片污染或难以降温。
[0009]净化台,包括机架,机架侧面具有进舟口,沿从所述进舟口向内的进舟方向,所述机架内具有依次连通的热排区、降温区和主动进气区,其中:
[0010]所述热排区设置有热排口,所述热排口用于排放有害气体,工艺后装载有硅片的舟经所述热排区进入所述降温区;
[0011]所述降温区用于放置和冷却所述舟,所述降温区设置有排风口,所述排风口处安装有转速可控的排风风机,所述排风风机驱动所述有害气体经所述排风口排出所述净化台;
[0012]所述主动进气区设置有第一进风口,所述第一进风口处安装有转速可控的送风风机。
[0013]可选地,所述净化台还包括电柜,所述电柜位于所述主动进气区。
[0014]可选地,所述机架具有与所述进舟方向平行设置的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁设置有若干第一缓存架,所述第一缓存架用于摆放所述舟;所述第二侧壁设置有若干第二缓存架,所述第二缓存架用于摆放所述舟;所述舟流转于所述第一缓存架和所述第二缓存架上。
[0015]可选地所述主动进气区设置有角度可控的导风板,所述导风板用于引导经所述送风风机进入所述降温区的气流的流向。
[0016]可选地,在所述第二缓存架长度方向的两端,即所述第二缓存架上靠近所述热排区的一端和靠近所述主动进气区的另一端,均设置温度传感器;所述温度传感器被配置为:若检测到靠近所述主动进气区的一端的温度小于靠近所述热排区的一端的温度的80%,则控制所述导风板引导气流吹向所述第一缓存架或所述第一缓存架与所述第二缓存架之间。
[0017]可选地,沿所述第一侧壁下方的长度方向设有第三进风口,所述第三进风口与所述热排区、所述降温区和所述主动进气区气流相通;和/或,沿所述第二侧壁下方的长度方向设有第二进风口,所述第二进风口与所述热排区、所述降温区和所述主动进气区气流相通。
[0018]可选地,所述第一侧壁在相对所述第一缓存架的位置设有所述排风口和所述排风风机。
[0019]可选地,在所述第一缓存架宽度方向的两侧,即靠近所述第一侧壁的一侧以及远离所述第一侧壁的另一侧,均设置有气压传感器;所述气压传感器被配置为:若检测到远离所述第一侧壁一侧的气压为0.9

1.1个标准大气压,且靠近所述第一侧壁一侧的气压小于远离所述第一侧壁一侧的气压的80%,则降低所述排风风机的转速直至靠近所述第一侧壁一侧的气压不小于远离所述第一侧壁一侧的气压的90%,且保持远离所述第一侧壁一侧的气压为0.9

1.1个标准大气压。
[0020]本专利技术的净化台的有益效果在于:通过将净化台内部沿进舟方向分为热排区、降温区和主动进气区,在热排区顶部设置热排口,在降温区设置排风口和排风风机,通过热排口和排风口排出高温气体、腐蚀性气体等有害气体,形成逐渐排热、分区保护的结构,能够快速有效地排出跟随石英舟以及硅片进入净化台内的高温气体和腐蚀性气体等有害气体,同时能够在有害气体接触到电柜内的电路元器件前大大降低有害气体的温度和浓度,防止硅片被污染,减少有害气体造成的热损伤和化学损伤。
[0021]本专利技术的第二个目的在于提出一种净化台使用方法,能够避免冷却时因气流导致硅片抖动或震动受损。
[0022]为实现上述技术效果,本专利技术的技术方案如下:
[0023]净化台使用方法,用于控制上述的净化台对工艺后装载有硅片的舟进行冷却处理,包括如下步骤:
[0024]S1、将所述舟放置在所述净化台内的第二缓存架上进行慢速冷却;
[0025]S2、判断所述舟是否慢速冷却到预设温度;
[0026]S3、若所述舟慢速冷却到预设温度,将所述舟放置在第一缓存架上进行快速冷却;
[0027]并且,在进行步骤S3的同时,还包括如下步骤:
[0028]S4、获取所述第一缓存架处的气压值;
[0029]S5、若所述第一缓存架处的气压值小于0.9个标准大气压或大于1.1个标准大气压,则调整排风风机和/或送风风机的转速以使所述第一缓存架处的气压值不小于0.9个标准大气压且不大于1.1个标准大气压。
[0030]本专利技术的净化台使用方法的有益效果在于:通过上述的净化台使用方法,既能够加快硅片的冷却效率,满足生产需求,且先慢速冷却后快速冷却的冷却方式能够避免硅片
因表面温差较大而产生裂纹,同时也防止了因冷却时的气流过大而导致硅片抖动受损。
[0031]本专利技术的第三个目的在于提出一种半导体设备,能够减少或避免净化台内电路元器件受到的热损伤和化学损伤,进而减少该设备的维护和使用成本。
[0032]为实现上述技术效果,本专利技术的技术方案如下:
[0033]半导体设备,包括所述的净化台。
[0034]本专利技术的半导体设备的有益效果在于:通过在半导体设备中设置逐渐排热、分区保护的结构,能够在有害气体接触到电柜内的电路元器件前大大降低有害气体的温度和浓度,防止电路元器件受损。。
附图说明
[0035]图1是本专利技术的净化台的第一轴测立体图;
[0036]图2是本专利技术的净化台的俯视图;
[0037]图3是图2中沿A

A的内部结构示意图;
[0038]图4是本专利技术的净化台内的部分气流流向示意图;
[0039]图5是本专利技术的净化台拆除排风孔板的结构示意图;
[0040]图6是本专利技术的净化台的第二轴测内部结构示意图;
[0041]图7是本专利技术中舟及硅片的示意图。
[0042]图中:...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.净化台,其特征在于,包括机架,机架侧面具有进舟口,沿从所述进舟口向内的进舟方向,所述机架内具有依次连通的热排区、降温区和主动进气区,其中:所述热排区设置有热排口(11),所述热排口(11)用于排放有害气体,工艺后装载有硅片(42)的舟(41)经所述热排区进入所述降温区;所述降温区用于放置和冷却所述舟(41),所述降温区设置有排风口,所述排风口处安装有转速可控的排风风机(22),所述排风风机(22)驱动所述有害气体经所述排风口排出所述净化台;所述主动进气区设置有第一进风口,所述第一进风口处安装有转速可控的送风风机(31)。2.根据权利要求1所述的净化台,其特征在于,所述净化台还包括电柜(32),所述电柜(32)位于所述主动进气区。3.根据权利要求1所述的净化台,其特征在于,所述机架具有与所述进舟方向平行设置的第一侧壁(101)和第二侧壁(102),所述第一侧壁(101)设置有若干第一缓存架(201),所述第一缓存架(201)用于摆放所述舟(41);所述第二侧壁(102)设置有若干第二缓存架(202),所述第二缓存架(202)用于摆放所述舟(41);所述舟(41)流转于所述第一缓存架(201)和所述第二缓存架(202)上。4.根据权利要求3所述的净化台,其特征在于,所述主动进气区设置有角度可控的导风板,所述导风板用于引导经所述送风风机(31)进入所述降温区的气流的流向。5.根据权利要求4所述的净化台,其特征在于,在所述第二缓存架(202)长度方向的两端,即所述第二缓存架(202)上靠近所述热排区的一端和靠近所述主动进气区的另一端,均设置温度传感器;所述温度传感器被配置为:若检测到靠近所述主动进气区的一端的温度小于靠近所述热排区的一端的温度的80%,则控制所述导风板引导气流吹向所述第一缓存架(201)或所述第一缓存架(201)与所述第二缓存架(202)之间。6.根据权利要求3所述的净化台,其特征在于,沿所述第一侧壁(101)下方的长度方向设有第三进风口(26),所述第三进风口(26)与所述热排区、所述降温区和所述主动进气区...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱太荣肖阳林佳继刘群
申请(专利权)人:拉普拉斯新能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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