生成曲线SRAF的方法、验证MRC的方法和制造掩模的方法技术

公开了一种生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法、一种用于对该曲线SRAF进行简单MRC验证的MRC验证方法以及一种包括生成该曲线SRAF的方法的掩模制造方法，该生成该曲线SRAF的方法能够容易地生成满足掩模规则检查(MRC)条件的曲线SRAF。该生成该曲线SRAF的方法包括：生成与主要特征相对应的用于生成该曲线SRAF的曲线轴；在该曲线轴的线上生成曲线点；以及基于该曲线点生成该曲线SRAF。以及基于该曲线点生成该曲线SRAF。以及基于该曲线点生成该曲线SRAF。

【技术实现步骤摘要】
生成曲线SRAF的方法、验证MRC的方法和制造掩模的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年12月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0175210的优先权，通过引用将其公开内容全部并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及掩模制造方法，更具体地，涉及生成亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法、验证掩模规则检查(MRC)的方法和包括生成SRAF的方法的制造掩模的方法。

技术介绍

[0004]在半导体工艺中，可以执行使用掩模的光刻工艺，以在诸如晶片的半导体衬底上形成图案。掩模可以简单地定义为图案转印体，其中不透明材料的图案形状形成在透明基体材料上。为了简要说明掩模的制造工艺，在设计所需的电路并且设计电路的布局(layout)之后，通过光学邻近校正(OPC)获得的掩模设计数据作为掩模流片(MTO)设计数据被传送。此后，基于MTO设计数据执行掩模数据准备(MDP)，并且可以通过执行诸如曝光工艺的前道(FEOL)工艺和诸如缺陷检查的后道(BEOL)工艺来制造掩模。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思提供了一种生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法、一种便于曲线SRAF的掩模规则检查(MRC)验证的MRC验证方法以及一种包括生成所述SRAF的方法的制造掩模的方法，生成所述曲线SRAF的方法能够容易地生成满足MRC条件的曲线SRAF。
[0006]此外，本专利技术构思要解决的问题不限于上述问题，本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解其他问题。
[0007]根据本专利技术构思的一方面，提供了一种曲线SRAF的方法，其包括：生成与主要特征相对应的用于生成所述曲线SRAF的曲线轴；在所述曲线轴的线上生成曲线点；以及基于所述曲线点生成所述曲线SRAF。
[0008]根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种对曲线SRAF进行MRC的方法，其包括：提取所述曲线SRAF；找到所述曲线SRAF的边缘的法线方向；基于所述法线方向在半宽度在曲线点两侧对称的位置处生成所述曲线点；连接所述曲线点以生成曲线轴；以及基于所述曲线点和所述曲线轴执行所述曲线SRAF的所述MRC。
[0009]根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造掩模的方法，其包括：将主要特征的边缘细分成多个分割边缘；在将为所述每个所述分割边缘中生成曲线SRAF的距离处生成曼哈顿型位置多边形；通过对所述位置多边形进行倒圆来生成用于生成所述曲线SRAF的曲线轴；在所述曲线轴的线上生成曲线点；对于每个所述曲线点，在形状方向上在半宽度的距离处生成形状点；连接所述形状点以生成所述曲线SRAF；对所述曲线SRAF执行MRC；根据执行所述MRC的结果确定是否存在缺陷；如果没有缺陷，则传送包括所述主要特征和所述曲线SRAF的布局图像作为掩模流片(MTO)设计数据；基于所述MTO设计数据来准备掩模数据；以
及基于所述掩模数据对掩模衬底进行曝光。
附图说明
[0010]根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的实施例，其中：
[0011]图1是示意性地示出根据本专利技术构思的示例实施例的生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法的工艺的流程图；
[0012]图2A至图2E是示出在图1的生成曲线SRAF的方法中从将主要特征的边缘细分成分割边缘至生成曲线点的过程的概念图；
[0013]图3是示意性地示出在图1的生成曲线SRAF的方法中形成形状点和生成曲线SRAF的操作的概念图；
[0014]图4A至图6B是用于更详细地解释在图1的生成曲线SRAF的方法中形成形状点和生成曲线SRAF的操作的概念图；
[0015]图7A和图7B是用于解释在图1的生成曲线SRAF的方法中执行掩模规则检查(MRC)的操作中曲线SRAF的长度验证的概念图；
[0016]图8A和图8B是用于解释在图1的生成曲线SRAF的方法中执行MRC的操作中曲线SRAF的面积验证的概念图；
[0017]图9A和图9B是用于解释在图1的生成曲线SRAF的方法中执行MRC的操作中曲线SRAF的曲线轴连接角度验证和曲线轴校正的概念图；
[0018]图10A至图10E是用于解释在图1的生成曲线SRAF的方法中执行MRC的操作中曲线SRAF的空间验证的概念图；
[0019]图11是示意性地示出根据本专利技术构思的示例实施例的曲线SRAF的MRC验证方法的过程的流程图；
[0020]图12A至图12C是用于解释图11的曲线SRAF的MRC验证方法的概念图；
[0021]图13是示意性地示出根据本专利技术构思的示例实施例的包括生成曲线SRAF的方法的掩模制造方法的过程的流程图。
具体实施方式
[0022]在下文中，参照附图详细描述本专利技术构思的示例实施例。在附图中，相同的附图标记用于相同的组件，并且已经给出的对其的描述被省略。
[0023]图1是示意性地示出根据本专利技术构思的示例实施例的生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法的过程的流程图，图2A至图2E是示出在图1的生成曲线SRAF的方法中从将主要特征的边缘细分成分割边缘至生成曲线点的过程的概念图。
[0024]参考图1和图2A，在根据本实施例的生成曲线SRAF的方法中，首先，将主要特征Fm的边缘细分成分割边缘Pe(S110)。这里，主要特征Fm可以对应于将在诸如晶片的衬底上形成的目标图案。这种目标图案可以通过曝光工艺将掩模上的图案转移到衬底上来形成。因此，首先，可以设计与目标图案相对应的掩模上的图案的布局，即掩模布局。作为参考，通常，由于曝光工艺的性质，目标图案的形状可能不同于掩模上的图案的形状。此外，因为掩模上的图案被缩小投影并转移到衬底上，所以掩模上的图案可以具有比目标图案更大的尺寸。
[0025]另一方面，随着图案的精细化，由于相邻图案之间的影响而导致的光学邻近效应(OPE)在曝光工艺期间发生，为了克服这一点，可以执行通过校正掩模布局来抑制OPE的发生的光学邻近校正(OPC)。OPC主要分为两种类型，一种是基于规则的OPC，另一种是基于仿真或基于模型的OPC。基于模型的OPC在时间和成本方面可能是有利的，因为基于模型的OPC仅使用代表性图案的测量结果，而不需要测量所有的大量测试图案。另一方面，OPC可以不仅包括修改掩模布局，还包括在图案的角上添加称为衬线(serif)的亚光刻特征，或者添加SRAF，例如广义上的散射条。因此，本实施例的生成曲线SRAF可以包括在OPC中。另一方面，当芯片中的图案形成在高密度区域和低密度区域中时，SRAF是为了解决由于光学特性导致的每个区域中的不同衍射图案而出现由OPC引起的偏差的问题而引入的辅助图案，并且该SRAF不是实际形成在晶片上的图案。
[0026]OPC过程的简要描述如下。首先，准备用于OPC的基础数据。接下来，生成包括光学OPC模型和用于光刻胶(PR)的OPC模型的OPC模型。此后，获得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生成曲线亚分辨率辅助特征的方法，所述方法包括：生成与主要特征相对应的用于生成所述曲线亚分辨率辅助特征的曲线轴；在所述曲线轴的线上生成曲线点；以及基于所述曲线点生成所述曲线亚分辨率辅助特征。2.根据权利要求1所述的方法，其中，生成所述曲线轴包括：将所述主要特征的边缘细分成多个分割边缘；在为每个所述分割边缘生成所述曲线亚分辨率辅助特征的距离处，生成曼哈顿型位置多边形；以及对所述曼哈顿型位置多边形进行倒圆，其中，所述曲线轴的线是基于所述曼哈顿型位置多边形的节段来限定的。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述曲线点被分类为孤立型和线型，其中，所述孤立型包括一个中心点，并且其中，所述线型包括位于所述曲线亚分辨率辅助特征的端部处的两个尖端点和位于所述两个尖端点之间的至少一个桥接点，所述两个尖端点和所述至少一个桥接点具有沿一个方向定义的ID号。4.根据权利要求3所述的方法，其中，生成所述曲线亚分辨率辅助特征包括：相对于所述曲线点在形状方向上在半宽度的距离处生成形状点；以及将所述形状点相互连接。5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述线型的情况下，对于所述两个尖端点中的每一个尖端点，所述形状方向是该尖端点的径向方向，并且对于所述至少一个桥接点中的每一个桥接点，所述形状方向是该桥接点处的所述曲线轴的法线方向，并且其中，在所述孤立型的情况下，所述形状方向相对于所述中心点是径向的，并且其中，生成所述形状点包括：为所述至少一个桥接点中的每一个桥接点生成两个形状点；以及为所述两个尖端点中的每一个尖端点或为所述中心点生成多个形状点。6.根据权利要求4所述的方法，其中，曲线点间隔被定义为所述曲线点中的两个相邻曲线点之间的距离，其中，对于一个曲线点，曲线轴连接角度被定义为从所述一个曲线点到其两侧的曲线点的曲线轴的线之间的角度，并且其中，所述半宽度等于或小于掩模规则检查所需的亚分辨率辅助特征的参考宽度的1/2。7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：在生成所述曲线亚分辨率辅助特征之后，对所述曲线亚分辨率辅助特征执行掩模规则检查。8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述掩模规则检查包括：对于所述线型，通过确定通过将与所述两个尖端点中的每一者相对应的半宽度和全部曲线点间隔相加所获得的长度是否等于或小于所述掩模规则检查所需的亚分辨率辅助特
征的参考长度，来验证所述曲线亚分辨率辅助特征的长度，以及对于所述孤立型，不验证所述曲线亚分辨率辅助特征的长度。9.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述掩模规则检查包括：对于所述线型，通过确定半径分别为与所述两个尖端点相对应的半宽度的两个半圆的面积和至少一个梯形的面积之和是否等于或小于所述掩模规则检查所需的亚分辨率辅助特征的参考面积，来验证所述曲线亚分辨率辅助特征的面积，所述至少一个梯形中的每个梯形的高度是两个相邻曲线点之间的曲线点间隔，并且上边和下边分别是所述两个曲线点中的相应的曲线点的半宽度的两倍；并且对于所述孤立型，通过确定以所述中心点的所述半宽度为半径的圆的面积是否等于或小于所述掩模规则检查所需的亚分辨率辅助特征的参考面积，来验证所述曲线亚分辨率辅助特征的面积。10.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述掩模规则检查包括：通过确定所述曲线轴连接角度是否等于或大于所述掩模规则检查所需的亚分辨率辅助特征的参考曲线轴连接角度，来验证所述曲线亚分辨率辅助特征的所述曲线轴连接角度；以及当对于任意一个所述曲线点，所述曲线轴连接角度小于所述参考曲线轴连接角度时，通过省略该曲线点并将剩余的曲线点彼此连接来生成所述曲线轴的线。11.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述掩模规则检查包括：通过确定所述曲线亚分辨率辅助特征与所述主要特征之间的第一空间以及两个相邻曲线亚分辨率辅助特征之间的第二空间是否等于或大于所述掩模规则检查所需的参考空间，来验证所述曲线亚分辨率辅助特征的空间，其中，所述第一空间为：通过从所述曲线亚分辨率辅助特征的各个曲线点与所述主要特征的边缘之间的各个距离中的第一最短距离减去与该第一最短距离相对应的曲线点的半宽度而获得的距离，并且其中，所述第二空间为：通过从一个所述曲线亚分辨率辅助特征的各个曲线点与另一个曲线亚分辨率辅助特征的各个曲线点之间的各个距离中的第二最短距离减去与该第二最短距离对应的曲线点各自的半宽度。12.一种对曲线亚分辨率辅助特征进行掩模规则检查的方法，所述方法包括：提取所述曲线亚分辨率辅助特征；找到所述曲线亚分辨率辅助特征的边缘的法线方向；基于所述法线方向在半宽度在曲线点两侧对称的位置处生成所述曲线点；连接所述曲线点以生成曲线轴；以及基于所述曲线点和所述曲线轴对所述曲线亚分辨率辅助特征执行所述掩模规则检查。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述曲线点包括位于所述曲线亚分辨率辅助特征的端部处的两个尖端点和位于所述两个尖端点之间的至少一个桥接点，并且具有沿一个方向定义的ID号，其中，曲线点间隔被定义为所述曲线点之中的两个相邻曲线点之间的距离，并且其中，对于一个曲线点，曲线轴连接角度被定义为从所述一个曲线点到其两侧的曲线点的所述曲线轴的线之间的角度。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，执行所述掩模规则检查包括：执行所述曲线亚分辨率辅助特征的宽度验证、所述曲线亚分辨率辅助特征的长度验证、所述曲线亚分辨率辅助特征的面积验证、所述曲线亚分辨率辅助特征的曲线轴连接角度...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇镛，金禹成，李熙俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：