本申请提供一种芯片排晶方法及其装置，涉及芯片排晶技术领域。该方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；以第一速度将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；以第二速度顶升待排芯片上升所述实际高度值。本方法将芯片排晶过程中的顶起操作分为两步，并在第二次顶升前检测待排芯片与待置组件之间的实际间隙高度值。这样通过检测到的实际间隙高度值可以精准把控芯片被继续顶升的高度，以使芯片恰好贴置待置组件上，避免芯片因上升高度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片排晶方法及其装置
[0001]本专利技术涉及芯片排晶
，尤其涉及一种芯片排晶方法及其装置。
技术介绍
[0002]Mini/Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，其显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]然而，在利用微型LED芯片的过程中，微型LED芯片的批量转移一直是影响其产业化生产一大难点，而微型LED显示器必须经过大量重复转移的制程，才能使晶圆上的LED芯片切实运用到显示器上。
[0004]在现有的转移技术中，为了确保芯片在转移至玻璃面板上后仍然为合格芯片，专利CN2022105249814采用在转移至玻璃面板前增设检测芯片是否合格的技术手段。但在实际操作中，即使转移前检测到芯片为合格芯片，但最后的排晶结果中仍存在芯片暗伤或漏排的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的一个技术问题是：现有排晶过程中存在的排晶漏排和芯片暗伤的问题。
[0006]为解决上述技术问题，第一方面，本专利技术实施例提供一种芯片排晶方法，所述方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；将到达所述预升高度后的待排芯片顶升所述实际高度值，排置待置组件上。
[0007]在一些实施例中，待排芯片以第一速度被顶升所述预升高度，待排芯片以第二速度顶升所述实际高度值；其中，所述第二速度为匀速；所述第一速度的平均速度大于所述第二速度。
[0008]在一些实施例中，所述预升高度大于所述留白高度。在一些实施例中，所述第一速度和所述第二速度由先导电磁阀控制。
[0009]在一些实施例中，在将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度之前，所述方法还包括：确定待置组件中的待排晶范围，并在所述排晶范围中确定排晶基准点；确定载体上预排芯片范围，并确定首颗待排芯片；
按照所述排晶基准点与所述待排芯片的对应位置，将所述待置组件移至所述载体上方的作业位置。
[0010]在一些实施例中，在所述将待排芯片顶升所述预升高度之前，所述方法还包括：检测待排芯片是否无损；若待排芯片有损，则将所述排晶基准点移至与下一待排芯片对应的作业位置。
[0011]第二方面，本专利技术提供了一种芯片排晶装置，所述装置包括：高度划分组件，用于将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；第一顶升组件，用于将待排芯片顶升所述预升高度；监测组件，用于监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；第二顶升组件，用于将到达所述预升高度后的待排芯片顶升所述实际高度值，排置待置组件上。
[0012]在一些实施例中，所述装置还包括：第一确定组件，用于确定待置组件中的待排晶范围，并在所述排晶范围中确定排晶基准点；第二确定组件，用于确定载体上预排芯片范围，并确定首颗待排芯片；位移组件，用于按照所述排晶基准点与所述待排芯片的对应位置，将所述待置组件移至所述载体上方的作业位置。
[0013]在一些实施例中，所述装置还包括：检测组件，用于检测待排芯片是否无损；判断组件，用于若待排芯片有损，则将所述排晶基准点移至与下一芯片对应的作业位置。
[0014]在一些实施例中，所述第一顶升组件与所述第二顶升组件相同，包括先导电磁阀和顶针；其中先导电磁阀控制顶针上升或下降。
[0015]本专利技术提供一种芯片排晶方法。该方法将芯片排晶过程中的顶起操作分为两步，并在第二次顶升前检测待排芯片与待置组件之间的实际间隙高度值。这样通过检测到的实际间隙高度值可以精准把控芯片被继续顶升的高度，以使芯片恰好贴置待置组件上，避免因芯片厚度不一致使顶升高度不等而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1示出了本专利技术实施例公开的一种芯片排晶方法的流程图；图2示出了本专利技术实施例公开的一种芯片排晶方法的排晶过程示意图；图3示出了本专利技术实施例公开的一种芯片顶起过程示意图；图4示出了本专利技术实施例公开的一种芯片排晶装置的示意图。
具体实施方式
[0018]下面结合附图和实施例对本专利技术的实施方式作进一步详细描述。以下实施例的详细描述和附图用于示例性地说明本专利技术的原理，但不能用来限制本专利技术的范围，本专利技术可以以许多不同的形式实现，不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
[0019]本专利技术提供这些实施例是为了使本专利技术透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本专利技术的范围。应注意到：除非另外具体说明，这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
[0020]需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是大于或等于两个；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0021]此外，本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“垂直”并不是严格意义上的垂直，而是在误差允许范围之内。“平行”并不是严格意义上的平行，而是在误差允许范围之内。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。
[0022]还需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。
[0023]本专利技术使用的所有术语与本专利技术所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片排晶方法，其特征在于，所述方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；将到达所述预升高度后的待排芯片顶升所述实际高度值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，待排芯片以第一速度被顶升所述预升高度，待排芯片以第二速度顶升所述实际高度值；其中，所述第二速度为匀速；所述第一速度的平均速度大于所述第二速度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预升高度大于所述留白高度。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一速度和所述第二速度由先导电磁阀控制。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度之前，所述方法还包括：确定待置组件中的待排晶范围，并在所述排晶范围中确定排晶基准点；确定载体上预排芯片范围，并确定首颗待排芯片；按照所述排晶基准点与所述待排芯片的对应位置，将所述待置组件移至所述载体上方的作业位置。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述将待排芯片顶升所述预升高度之前，所述方法还包括：检测待排芯片是否无损...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭孟菲，胡恒广，闫冬成，赖余盟，周一航，黄星桦，刘开怀，
申请(专利权)人：东旭科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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