显示面板、显示装置和显示面板的制备方法制造方法及图纸

本申请公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法，涉及显示面板技术领域；显示面板包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区，像素区包括开口区和非开口区，非开口区包括薄膜晶体管设置区域和电容设置区域，显示面板包括依次铺设的基板、隔离层、遮光层、缓冲层、第一导电层、第一绝缘层和第二导电层；第一导电层、第二导电层以及遮光层在沿垂直于显示面板的出光面的方向上部分重叠；遮光层与第一导电层形成第一电容，第一导电层与第二导电层形成第二电容；该显示面板在不影响显示装置开口率的条件下提高电容设置区域的电容容量。电容容量。电容容量。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置和显示面板的制备方法


[0001]本申请涉及显示面板
，尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003]有源矩阵有机发光显示装置(Active Matrix Organic Lighting Emitting Display，AMOLED)，利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管的亮度和灰阶表现。每个单独的有源矩阵有机发光显示装置具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。有源矩阵有机发光显示装置具有可大尺寸化、较省电、高解析度、面板寿命较长等特点，因此在显示
得到了高度重视。
[0004]随着显示面板的大尺寸化，显示装置的功耗越来越高，研究发现增大存储电容可有效增大驱动阶段的电流，从而有效降低功耗；另外，存储电容增大还可以有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压，因此，在不影响显示装置开口率的条件下，应尽量提高电容值。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法，在不影响显示装置开口率的条件下提高电容设置区域的电容容量。r/>[0006]本申请公开了一种显示面板，所述显示面板包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区，所述像素区包括开口区和非开口区，所述非开口区包括薄膜晶体管设置区域和电容设置区域，在沿垂直于显示面板的出光面的方向上，在所述电容设置区域，所述显示面板包括包括依次铺设的基板、隔离层、遮光层和缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层，所述显示面板还包括第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，所述第一导电层形成在所述缓冲层上，所述第一导电层包括第一面、第二面和第三面，所述第一面与所述显示面板的出光面平行，所述第二面和第三面在沿垂直于出光面的方向上位于所述第一面的两侧；所述第一绝缘层形成在所述缓冲层上且覆盖所述第一导电层；所述第二导电层形成在所述第一绝缘层上，所述第二导电层包括与显示面板的出光面平行的主体部、以及设置在所述主体部两侧的第一延伸部和第二延伸部；其中，所述第二导电层与所述薄膜晶体管设置区域的薄膜晶体管漏极连通，所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠，所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容，所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容；
[0007]其中，所述主体部与所述第一导电层的第一面形成第一子电容，所述第一延伸部
与所述第一导电层的第二面形成第一侧向电容，所述第二延伸部与所述第一导电层的第三面形成第二侧向电容，所述第一子电容与所述第一侧向电容以及所述第二侧向电容共同组成所述第二电容。
[0008]可选的，所述第一延伸部和所述第二延伸部均与所述显示面板的出光面呈倾斜设置；所述第一延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第一延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离，所述第二延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第二延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离。
[0009]可选的，在所述薄膜晶体管设置区域，所述显示面板包括包括有源层、栅绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层、源极、漏极、基板、隔离层、遮光层以及缓冲层，所述有源层形成在所述缓冲层上；所述栅绝缘层形成在所述有源层上；所述栅极金属层形成在所述栅绝缘层上；所述第二绝缘层形成在所述缓冲层上且覆盖所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极金属层，所述第二绝缘层上设有过孔；所述源极和漏极形成在所述第二绝缘层上，并通过所述过孔与所述有源层连接；其中，所述漏极与所述第二导电层连通，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置。
[0010]可选的，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成第一开口，所述漏极和所述第二导电层填充所述第一开口；其中，所述第一开口沿平行于所述显示面板的出光面的方向的长度大于等于10微米。
[0011]可选的，所述遮光层由金属制成，所述遮光层与所述第二导电层之间通过过孔连接。
[0012]可选的，所述第一导电层和所述第二导电层为金属制成，所述第一导电层和所述第二导电层的材质为铜合金或铝合金。
[0013]可选的，在所述开口区，所述显示面板包括缓冲层、钝化层、色阻层、平坦层、阳极层、发光层、像素定义层、阴极层、基板和隔离层；所述缓冲层形成在所述隔离层上；所述钝化层形成在所述缓冲层上；所述色阻层形成在所述钝化层上；所述平坦层形成在所述钝化层上且覆盖所述色阻层；所述阳极层形成在所述平坦层上；所述发光层形成在所述阳极层上；所述像素定义层形成在所述平坦层上；所述阴极层形成在所述像素定义层上且覆盖所述发光层；其中，所述发光层覆盖部分所述像素定义层。
[0014]可选的，所述阴极层为铝合金制成，所述阴极层为所述发光层的反射层。
[0015]本申请还公开了一种显示装置，包括驱动电路和如上所述的显示面板，所述驱动电路用于驱动所述显示面板。
[0016]本申请还公开了一种显示面板的制备方法，用于制备如上所述的显示面板，所述制备方法包括步骤：
[0017]在基板上依次铺设隔离层、遮光层和缓冲层，且所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层；
[0018]在缓冲层上铺设第一导电层；
[0019]在缓冲层上依次铺设有源层、栅绝缘层和栅极金属层；
[0020]在缓冲层上铺设绝缘层，且所述绝缘层覆盖所述第一导电层、有源层、栅绝缘层和栅极金属层；
[0021]蚀刻所述绝缘层以形成位于薄膜晶体管设置区域的第二绝缘层和位于电容设置
区域的第一绝缘层，且蚀刻消除开口区的绝缘层；
[0022]在第二绝缘层上蚀刻形成用于设置源极和漏极的过孔；以及，
[0023]在第一绝缘层上铺设第二导电层，在第二绝缘层上铺设源极和漏极；
[0024]其中，所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠，所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容，所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容，所述第一绝缘层和第二绝缘层为同一光罩工艺蚀刻制成。
[0025]本申请通过将遮光层、第一导电层和第二导电层设置成沿垂直于显示面板的出光面的方向上存在部分重叠的面积，以使遮光层与第一导电层之间形成第一电容，第一导电层与第二导电层之间形成第二电容，第一电容和第二电容共同组成存储电容，以使得在不增加存储电容所占平面面积的前提下，且第二电容包括第一侧向电容和第二侧向电容，使得第二电容的主体部所占用的平面面积能够减少，从而减少电容设置区域所占用的平面面积，实现单位面积内电容容量的提升；总的来说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，所述显示面板包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区，所述像素区包括开口区和非开口区，非开口区包括薄膜晶体管设置区域和电容设置区域，在沿垂直于显示面板的出光面的方向上，在所述电容设置区域，所述显示面板包括包括依次铺设的基板、隔离层、遮光层和缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层，其特征在于，所述显示面板还包括：第一导电层，形成在所述缓冲层上，所述第一导电层包括第一面、第二面和第三面，所述第一面与所述显示面板的出光面平行，所述第二面和第三面在沿垂直于出光面的方向上位于所述第一面的两侧；第一绝缘层，形成在所述缓冲层上且覆盖所述第一导电层；以及，第二导电层，形成在所述第一绝缘层上，所述第二导电层包括与显示面板的出光面平行的主体部、以及设置在所述主体部两侧的第一延伸部和第二延伸部；其中，所述第二导电层与所述薄膜晶体管设置区域的薄膜晶体管的漏极连通，所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠，所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容，所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容
；
其中，所述主体部与所述第一导电层的第一面形成第一子电容，所述第一延伸部与所述第一导电层的第二面形成第一侧向电容，所述第二延伸部与所述第一导电层的第三面形成第二侧向电容，所述第一子电容与所述第一侧向电容以及所述第二侧向电容共同组成所述第二电容。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一延伸部和所述第二延伸部均与所述显示面板的出光面呈倾斜设置；所述第一延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第一延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离，所述第二延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第二延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述薄膜晶体管设置区域，所述显示面板包括：基板、隔离层、遮光层以及缓冲层；有源层，形成在所述缓冲层上；栅绝缘层，形成在所述有源层上；栅极金属层，形成在所述栅绝缘层上；第二绝缘层，形成在所述缓冲层上且覆盖所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极金属层，所述第二绝缘层上设有过孔；以及，源极和漏极，所述源极和漏极形成在所述第二绝缘层上，并通过所述过孔与所述有源层连接；其中，所述漏极与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邬可荣，李荣荣，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：