光电器件及其制造方法、植入式装置制造方法及图纸

本公开涉及一种光电器件及其制造方法、植入式装置。该制造方法包括：通过离子注入向绝缘衬底上的硅层中掺杂预设粒子，形成PN结薄膜；去除PN结薄膜与绝缘衬底之间的氧化层；在PN结薄膜上方制备第一导电薄膜；将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面上，得到光电器件；其中，柔性基底的第一面覆盖有具有预设形状的第二导电薄膜，且PN结薄膜上的第一导电薄膜与第二导电薄膜接触。本公开提供的光电器件及其制造方法、植入式装置。所提供的光电器件与被植入对象的生物兼容性好，在对象的体内完成治疗工作后能够降解排除体外，可以对神经的修复、刺激，以及对细胞的修复、刺激存在极好的效果。激存在极好的效果。激存在极好的效果。

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制造方法、植入式装置


[0001]本公开涉及电子器件制造领域，尤其涉及一种光电器件及其制造方法、植入式装置。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，将器件植入体内进行适应性治疗得到越来越多的关注。例如，利用植入式装置对神经进行电刺激，实现对药物难治的癫痫、抑郁症、疼痛等疾病的治疗缓解。相关技术中，植入式装置存在效率低、治疗效果差，难以加工制造差等问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开提出了一种光电器件及其制造方法、植入式装置。
[0004]根据本公开的一方面，提供了一种光电器件的制造方法，包括：
[0005]通过离子注入向绝缘衬底上的硅层中掺杂预设粒子，形成PN结薄膜；
[0006]去除所述PN结薄膜与所述绝缘衬底之间的氧化层；
[0007]在所述PN结薄膜上方制备第一导电薄膜；
[0008]将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面上，得到光电器件；
[0009]其中，所述柔性基底的第一面覆盖有具有预设形状的第二导电薄膜，且所述PN结薄膜上的第一导电薄膜与所述第二导电薄膜接触。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
[0011]在柔性基底上沉积第二导电薄膜；
[0012]按照预设形状的对所述第二导电薄膜进行刻蚀。
[0013]在一种可能的实现方式中，将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面上，得到光电器件，包括：
[0014]将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移至第一热释放胶带上，所述第一导电薄膜与所述第一热释放胶带粘贴在一起；
[0015]将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移至第二热释放胶带上，所述PN结薄膜的硅层一面与所述第二热释放胶带粘贴在一起；
[0016]利用所述第二热释放胶带，将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面，以使所述PN结薄膜上的第一导电薄膜与所述第二导电薄膜接触。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述柔性基底的材料为柔性、透光材料；所述第一导电薄膜与所述第二导电薄膜的材料相同，所述第一导电薄膜与所述第二导电薄膜为金属导电薄膜，所述金属导电薄膜的材料包括钼或金。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述预设形状包括阵列状、预设图案状；
[0019]其中，所述阵列状包括条带阵列，所述第二导电薄膜以条带形式间隔排布在所述柔性基底的第一面，所述条带的长为0.5cm
‑
2cm、宽为100μm
‑
500μm、厚度为200nm
‑
400nm，条带之间的间距为500μm
‑
900μm。
[0020]根据本公开的另一方面，提供了一种光电器件，包括：PN结薄膜、第一导电薄膜、第二导电薄膜和柔性基底，
[0021]所述第二导电薄膜按照预设形状覆盖在所述柔性基底的第一面；
[0022]所述第一导电薄膜覆盖在所述PN结薄膜的一面；
[0023]所述PN结薄膜位于所述柔性基底的第一面，且所述PN结薄膜上的所述第一导电薄膜与所述柔性基底第一面的所述第二导电薄膜接触；
[0024]其中，所述光电器件是基于上述方法制造的。
[0025]根据本公开的另一方面，提供了一种入式装置，包括：光电器件、光源和控制器，
[0026]所述光电器件，植入对象的目标位置，所述光电器件为权利要求1
‑
5任意一项所述的方法制造出的；
[0027]所述控制器，用于根据发射参数控制所述光源向所述光电器件发射激光；
[0028]其中，所述发射参数包括激光的波长，所述波长为622nm
‑
1000nm，所述目标位置包括以下任意一个位置：所述对象的受损神经表面、所述对象的心脏的受损心肌细胞所在的位置、所述对象的存在功能障碍的神经的表面。
[0029]在一种可能的实现方式中，还包括：光纤，
[0030]所述光纤，连接在所述光电器件和所述光源之间，用于将所述激光传输至所述光电器件；
[0031]所述植入式装置为便携可穿戴装置。
[0032]在一种可能的实现方式中，所述控制器，还用于根据检测到的用户操作，控制所述光源发射出对应于所述用户操作的激光。
[0033]在一种可能的实现方式中，所述控制器还设置有触发按键，所述控制器还用于在检测到针对所述触发按键的操作的情况下，确定检测到所述用户操作。
[0034]本公开提出的光电器件及其制造方法、植入式装置。所提供的光电器件与被植入对象的生物兼容性好，在对象的体内完成治疗工作后能够降解排除体外，可以对神经的修复、刺激，以及对细胞的修复、刺激存在极好的效果。
[0035]根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。
附图说明
[0036]包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。
[0037]图1示出根据本公开一实施例的光电器件的结构示意图。
[0038]图2示出根据本公开一实施例的光电器件的立体结构示意图。
[0039]图3示出根据本公开一实施例的光电器件中柔性基底的结构示意图。
[0040]图4示出根据本公开一实施例的光电器件的制造方法的流程图。
[0041]图5示出根据本公开一实施例的光电器件的制造方法的流程示意图。
[0042]图6、图7分别示出根据本公开一实施例的植入式装置的结构示意图。
[0043]图8为三种光电器件的光电压随光强的变化曲线示意图。
[0044]图9为光电器件的光电流曲线计算电荷量的示意图。
[0045]图10A示出三种光电器件的法拉第电荷量示意图。
[0046]图10B示出三种光电器件的电容电荷量示意图。
[0047]图10C示出三种光电器件的注入电荷量示意图。
[0048]图11示出三种器件的CV曲线示意图。
[0049]图12示出示例2的XPS分析结果示意图。
[0050]图13示出三种器件的表面粗糙度示意图。
[0051]图14示出光电器件示例1、示例2在不同光照强度下检测到的大鼠坐骨神经信号示意图。
[0052]图15示出直接照射示例2器件所测得的肌电信号曲线图。
[0053]图16示出穿透皮肤照射示例2器件所测得的肌电信号曲线图。
[0054]图17A、图17B、图17C分别示出术后8周不同组的神经组织切片图。
[0055]图18示出不同组术后8周肌电信号幅值的对比图。
[0056]图19示出不同组术后8周肌电信号延迟时间的对比图。
具体实施方式
[0057]以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件的制造方法，其特征在于，包括：通过离子注入向绝缘衬底上的硅层中掺杂预设粒子，形成PN结薄膜；去除所述PN结薄膜与所述绝缘衬底之间的氧化层；在所述PN结薄膜上方制备第一导电薄膜；将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面上，得到光电器件；其中，所述柔性基底的第一面覆盖有具有预设形状的第二导电薄膜，且所述PN结薄膜上的第一导电薄膜与所述第二导电薄膜接触。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在柔性基底上沉积第二导电薄膜；按照预设形状的对所述第二导电薄膜进行刻蚀。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面上，得到光电器件，包括：将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移至第一热释放胶带上，所述第一导电薄膜与所述第一热释放胶带粘贴在一起；将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移至第二热释放胶带上，所述PN结薄膜的硅层一面与所述第二热释放胶带粘贴在一起；利用所述第二热释放胶带，将覆盖有第一导电薄膜的PN结薄膜转移到柔性基底的第一面，以使所述PN结薄膜上的第一导电薄膜与所述第二导电薄膜接触。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性基底的材料为柔性、透光材料；所述第一导电薄膜与所述第二导电薄膜的材料相同，所述第一导电薄膜与所述第二导电薄膜为金属导电薄膜，所述金属导电薄膜的材料包括钼或金。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设形状包括阵列状、预设图案状；其中，所述阵列状包括条带阵列，所述第二导电薄膜以条带形式间隔排布在所述柔性基底的第一面，所述条带的长为0.5cm
‑
2cm、宽为100μm
‑
500μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹斓，孙鹏程，杨灿，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：