一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法技术

本发明专利技术属于计算机技术领域，具体涉及一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法，步骤如下：１）对计算机内部寄存器发送第一次取反指令；得到原始数据的取反数据；２）对计算机内部寄存器发送第二次取反指令，将取反后的数据恢复为原来数据；３）把外部存储器的原始数据读到主控计算机中；４）发送第一次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“５５Ｈ”；５）发送第二次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“ＡＡＨ”；６）把存入主控计算机中的原始数据又重新写入外部存储器，恢复原来数据。本发明专利技术对内部寄存器和外部存储器的存储单元中的数据进行取反操作的方法，可以有效消除总剂量效应对存储器件的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于计算机
，具体涉及一种消除存储器件总剂量 效应的数据取反方法。 现有技术空间辐射环境中存在大量电子，会导致存储器件发生总剂量效 应，严重影响航天器的可靠性及在轨寿命。总剂量效应是指辐射在半 导体器件内部不同界面附近产生了界面态电荷和在氧化层中产生了 陷阱电荷，从而导致半导体器件的参数(主要是阈值电压)漂移，进 而引发器件故障。应对总剂量效应的方法主要有器件加固和工艺加固 两种。器件加固主要采取备份冗余和冷备份两种方法。备份冗余是指 在系统中设置一些冗余单元，备份关键存储单元中的数据，当某存储 单元出现故障时，调用冗余备份单元中的数据，保证系统的正常运行。 冷备份是指在系统中设置一些处于不加电状态的存储器件，这些器件 不工作；当某个存储器件出现问题时，启用这些器件。这样，可以提 高系统的抗总剂量效应的能力。工艺加固是在器件的生产工艺过程中 采取一些加固措施提高器件的抗总剂量效应的能力。然而，器件出厂 以后，其抗总剂量效应的能力就确定了。目前尚无消除总剂量效应的 方法。
技术实现思路
针对现有技术中尚无消除存储器件中总剂量效应的方法的实际 情况，本专利技术提出一种数据取反的方法，可以通过对内部寄存器和外部存储器存储单元中的数据进行取反操作，进而消除总剂量效应对存 储器件的影响。，包括a. 对内部寄存器的数据取反-① 对计算机内部寄存器发送第一次取反指令；得到原始数据的取 反数据；② 对计算机内部寄存器发送第二次取反指令，将取反后的数据恢 复为原来数据；b. 对外部存储器的数据取反① 把外部存储器的原始数据读到主控计算机中；② 发送第一次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入 "55H";③ 发送第二次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入 "AAH"，将"55H"变成"AAH",对于二进制来说，即将"01010101B"变成"10101010B"，每一位取反；④ 再把存入主控计算机中的外部存储器的原始数据又重新写入 外部存储器，覆盖取反后的数据恢复外部存储器的原来数据。所述a.对内部寄存器的数据取反步骤Q中给内部寄存器发送的 第一次取反指令是应用汇编语言中的NOT语句。所述3.对内部寄存器的数据取反步骤步骤 中再次对内部寄存器发送的第二次取反指令是再次应用汇编语言中的NOT语句。本专利技术的消除存储器件总剂量效应的数据取反方法使用的硬件 系统由现有技术的主控计算机、测试控制板和存储器及传输线构成。 主控计算机负责系统的总体运行，执行软件指令，完成数据的读写、 取反等功能。测试控制板由锁存器、译码器、比较器组成，锁存器用 于数据的临时保存；译码器用于地址单元识别和设置；比较器用于与正确数据的比较，保证数据传输的正确性。传输线用于数据、地址信 息的传递。外部存储器为主控计算机的操作对象，记录保存数据信息。 本专利技术的消除存储器件总剂量效应的数据取反方法使用的软件 系统利用图1所示的硬件系统，1) 主控计算机对内部寄存器发送两次取反指令，即可消除总剂 量效应对内部寄存器的影响。以8086CPU为例，所用的数据取反的子程序为DELDOSE PROCNOTAX NOT BX NOT CX NOTDX NOT SI NOT DI NOT CS NOT DS NOT SS NOTES NOTAX NOTBX NOT CX NOTDX NOT SI NOTDI NOTCS NOT DS NOTSS NOTES DELDOSE ENDP2) 主控计算机发送写指令，给外部存储器的存储单元的每个字 节写入"55H"，然后再次发送写指令，写入"AAH"，即可消除总剂量效应对外部存储器的影响。所用子程序为void WrPort55( int address ) { asm{push ax 5 push dx jmov dx， address ; mov ax， 55H ; out dx，al j pop dx j pop ax ^} }void WrPortAA( int address) { asm{push ax ^ push dx ;mov dx, address ; mov ax， AAH ; out dx，al; pop dx j pop ax j本专利技术的对内部寄存器和外部存储器的存储单元中的数据进 行取反操作的方法，可以有效消除总剂量效应对存储器件的影响。 附图说明图i现有技术硬件系统组成示意图图2本专利技术的内部寄存器和外部存储器中的基本单元——MOS 晶体管示意图图3本专利技术的外部存储器的翻转截面随累积剂量的变化曲线图 图4未采取取反措施的外部存储器的翻转截面随累积剂量的变化示意图 具体实施例方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明本专利技术使用的硬件系统组成如图1所示，硬件系统由现有技术中 的主控计算机、测试控制板和存储器及传输线构成。主控计算机负责 系统的总体运行，执行软件指令，完成数据的读写、取反等功能。测 试控制板由锁存器、译码器、比较器组成，锁存器用于数据的临时保 存；译码器用于地址单元识别和设置；比较器用于与正确数据的比较， 保证数据传输的正确性。传输线用于数据、地址信息的传递。外部存 储器为主控计算机的操作对象，记录保存数据信息。，包括a. 对内部寄存器的数据取反① 对计算机内部寄存器发送第一次取反指令；得到原始数据的取 反数据；② 对计算机内部寄存器发送第二次取反指令，将取反后的数据恢 复为原来数据；b. 对外部存储器的数据取反① 把外部存储器的原始数据读到主控计算机中；② 发送第一次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入 "55H";③ 发送第二次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入 "AAH"，将"55H"变成"AAH",对于二进制来说，即将"01010101B"变成"10101010B"，每一位取反；④ 再把存入主控计算机中的外部存储器的原始数据又重新写入外部存储器，覆盖取反后的数据恢复外部存储器的原来数据。 本专利技术的原理说明以图2外部存储器中的基本单元~~MOS晶体管为例予以说明 其原理。MOS晶体管具有三个引脚，栅极G，源极S,漏极D,7图中斜纹深色部分为氧化层，下面为硅层。辐射在氧化层和氧化层与硅的界面处中产生陷阱电荷，导致MOS晶体管的阈值电压漂移，这 就是发生总剂量效应的机理。假设，外部存储单元的数据为"55H"时，该MOS管的偏置状 态为Ve-0V。辐射在氧化层产生的空穴向G端漂移；电子向衬底B 端漂移。空穴在氧化层和氧化层与硅的界面处中产生陷阱电荷，导致 MOS晶体管的阈值电压漂移。把外部存储器的存储单元中的数据取 反，外部存储器的存储单元的数据变为"AAH"时，改变了外部存 储器的存储单元的晶体管的偏置状态。此时MOS管的偏置状态为Vc =5V。辐射在氧化层产生的电子向G端漂移；空穴向衬底B端漂移。 即电子和空穴沿着与原来运动方向相反的方向运动，这样电子就与原 先在氧化层中和氧化层与硅的界面处的陷阱电荷——空穴复合，从而 消除了前一阶段总剂量辐照产生的界面态电荷和氧化层陷阱电荷，使 已经漂移的阈值电压又恢复到初始值(辐照前的值)。本专利技术的实验验证实验验证是在6GCo源和252Cf源上进行的。先用6QCo源辐照，然 后在252C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法，其特征在于，包括：　ａ．对内部寄存器的数据取反：　①对计算机内部寄存器发送第一次取反指令；得到原始数据的取反数据；　②对计算机内部寄存器发送第二次取反指令，将取反后的数据恢复为原来 数据；　ｂ．对外部存储器的数据取反：　①把外部存储器的原始数据读到主控计算机中；　②发送第一次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“５５Ｈ”；　③发送第二次写指令，给外部存储器的存储单元的每个字节写入“ＡＡＨ ”，将“５５Ｈ”变成“ＡＡＨ”，对于二进制来说，即将“０１０１０１０１Ｂ”变成“１０１０１０１０Ｂ”，每一位取反；　④再把存入主控计算机中的外部存储器的原始数据又重新写入外部存储器，覆盖取反后的数据恢复外部存储器的原来数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贺朝会，李永宏，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]