SiC肖特基结式Alpha放射性同位素电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳｉＣ肖特基结式Ａｌｐｈａ放射性同位素电池及其制作方法，属于微能源、半导体和核物理领域。该电池依次包括Ａｌｐｈａ核素６、上电极５、Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层４、ＳｉＯ↓［２］钝化层３、ｎ↑［－］型ＳｉＣ层２、ｎ↑［＋］型ＳｉＣ层１、欧姆接触层７、下电极８。其中ｎ↑［－］型ＳｉＣ层２和Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层４形成肖特基结，ＳｉＯ↓［２］钝化层３位于ｎ↑［－］型ＳｉＣ层２上方的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层４外围环形区域，Ａｌｐｈａ核素６为Ａｌｐｈａ放射性同位素。本发明专利技术公开的电池一方面使用抗辐射能力强的ＳｉＣ半导体材料，使得Ａｌｐｈａ放射性同位素电池的效率更高、使用寿命更长；另一方面使用肖特基结构，不需要通过离子注入来形成良好的欧姆接触，也不需要通过高温退火来对ｐ型ＳｉＣ表面进行保护以避免产生沟状的表面结构，从而简化了工艺，相应地降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＳｉＣ肖特基结式Ａｌｐｈａ放射性同位素电池，其特征在于：依次包括Ａｌｐｈａ核素（６）、上电极（５）、Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层（４）、ＳｉＯ↓［２］钝化层（３）、ｎ↑［－］型ＳｉＣ层（２）、ｎ↑［＋］型ＳｉＣ层（１）、欧姆接触层（７）、下电极（８）；ｎ↑［＋］型ＳｉＣ层（１）掺杂浓度为１×１０↑［１７］～１×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］，厚度为１５０～５００μｍ；ｎ↑［－］型ＳｉＣ层（２）掺杂浓度为１×１０↑［１０］～１×１０↑［１６］ｃｍ↑［－３］，厚度为１～１００μｍ，位于ｎ↑［＋］型ＳｉＣ层（１）的正面；ｎ↑［－］型ＳｉＣ层（２）上方为形状任意的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层（４），ＳｉＯ↓［２］钝化层（３）位于ｎ↑［－］型ＳｉＣ层（２）上方的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层（４）外围环形区域；上电极（５）将电信号从ＳｉＯ↓［２］钝化层（３）和Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层（４）的交界面上引出；Ａｌｐｈａ核素（６）为Ａｌｐｈａ放射性同位素，排布在Ｓｃｈｏｔｔｋｙ金属层（４）上方；欧姆接触层（７）、下电极（８依次排布于ｎ↑［＋］型ＳｉＣ层（１）的背面；ｎ↑［－］型ＳｉＣ层（２）、ｎ↑［＋］型ＳｉＣ层（１）、欧姆接触层（７）、下电极（８）的形状和大小一致。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔大勇，苑伟政，姚贤旺，臧博，吕湘连，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]