具有保护环结构的微型核电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种ＰＮ结或ＰＩＮ结式的微型核电池及其制备方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该电池在传统的ＰＮ结或ＰＩＮ结式微型核电池的基础上，在ｐ＋型半导体层５的外围环形区域设计有一个保护环６；同时在保护环６上方有一个保护环接触电极８将电信号引出；此外，也公开了改核电池的制作方法。本发明专利技术公开的微型核电池，保护环的加入抑制了表面漏电、界面态电流对辐生电流的影响，间接提高了开路电压，同时增大了器件对低能量放射源的灵敏度，从而改善器件能量转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有保护环结构的微型核电池，依次包括同位素（１０）、上电极金属层（９）、ｐ＋型半导体层（５）、本征层（４）、ｎ＋型半导体层（３）、金属黏附层（２）、下电极金属层（１）；本征层（４）下方依次为大小形状一致的ｎ↑［＋］型半导体层（３）、金属黏附层（２）和下金属电极层（１），ｎ↑［＋］型半导体层（３）的掺杂浓度在１×１０↑［１６］～１×１０↑［２１］ｃｍ↑［－３］，其特征在于：还包括保护环接触电极（８）、钝化层（７）、保护环（６）；所述的本征层（４）的掺杂浓度５×１０↑［１０］～１×１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］，厚度为３００μｍ～５５０μｍ；ｐ＋型半导体层（５）位于本征层（４）上部，形状为圆形、方形等任意形状，掺杂浓度在１×１０↑［１６］～１×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］，厚度大于０．１μｍ；保护环（６）位于本征ｉ层（４）上部ｐ＋型半导体层（５）的外围环形区域，保护环（６）内环和ｐ＋型半导体层（５）外环间距为３０μｍ～２００μｍ；保护环接触电极（８）位于保护环（６）上方，且形状大小与保护环（６）相同；上电极金属层（９）为排布于ｐ＋型半导体层（５）上方的环形，且其外边框和ｐ＋型半导体层（５）的外边框一致；钝化层（７）覆盖本征层（４）上方除上电极金属（９）和保护环接触电极（８）之外的所有区域；同位素（１０）覆盖钝化层（７）上方上电极金属层（９）形成的圆环内部。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔大勇，苑伟政，臧博，姚贤旺，吕湘连，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]