一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其依次包括第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层、第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述两液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。采用无纬布结构替代传统的纤维织布结构，使电路基板具有更佳的尺寸稳定性。同时在无纬布上下两侧覆盖具有一定韧性的液晶聚合物薄膜，使电路基板在刚性和韧性上实现良好平衡，进而获得良好的加工成型性能。将无纬布和薄膜复合作为绝缘层在低介电上具有一致性，构成的绝缘层10GHz时介电常数低于3.2、介电损耗低于0.002，完全满足5G高频、高速应用需求。求。求。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板


[0001]本技术属于绝缘电路基板
，具体涉及一种低介电、增韧液晶聚合物基高频传输电路基板。

技术介绍

[0002]目前通信、电子产品使用的电路基板一般采用电子级玻璃纤维布作为增强材料，浸以热固性树脂，再经烘干、层叠、热压形成。单纯由玻璃纤维布进行增强，基板的脆性比较大，韧性不足，在机加工过程中往往由于脆性大呈现孔边或者板边发白，严重的时会出现开裂和分层现象，影响电路基板的正常使用。
[0003]与此同时，随着通信、电子产品逐渐向多功能、小型化、高频、高速方向发展，电路基板需要具备更低的介电常数和介电损耗以及良好的尺寸稳定性，但目前改性后的低介电玻纤布的介电常数也仅在4.0左右，难以满足5G高频、高速场景应用需求；另外电路基板采用的纤维布多由经纱和纬纱交织形成，工艺繁杂，且织造时易造成纤维损伤或出现纬斜缺陷，而影响电路基板的尺寸稳定性。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是针对上述技术问题提供一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，该电路基板低的介电性能使其满足5G高频传输需求，同时电路基板刚性和韧性得到良好平衡，使其具有优异的加工成型性能。
[0005]本技术的目的可以通过下述技术方案实现：一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，所述电路基板包括依次叠层并压合为一体的第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层和第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。
[0006]优选地，所述液晶聚合物无纬布的厚度δ1与液晶聚合物薄膜的厚度δ2满足δ2/δ1≧4：(3
‑
2)。
[0007]优选地，所述液晶聚合物薄膜的的厚度为30
‑
200μm。
[0008]优选地，所述第一金属箔和第二金属箔为铜箔、铝箔、镍箔中的至少一种。
[0009]进一步优选，所述第一和第二金属箔的厚度为5
‑
70μm。
[0010]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0011]1、采用无纬布结构替代传统的纤维织布结构，避免了繁杂的织布工艺、消除了织布过程中的纤维损伤和纬斜缺陷，确保电路基板的尺寸稳定性。
[0012]2、本技术在增强材料无纬布上下两侧覆盖具有一定韧性的液晶聚合物薄膜，使电路基板在刚性和韧性上实现良好平衡，进而获得良好的加工成型性能。
[0013]3、无纬布和薄膜均由低介电的液晶聚合物构成，二者复合作为绝缘层在低介电上具有一致性，构成的绝缘层10GHz时介电常数低于3.2、介电损耗低于0.002，完全满足5G高
频、高速应用需求。
附图说明
[0014]图1：实施例1中电路基板的结构图；
[0015]图2：实施例2中电路基板的结构图；
[0016]图3：实施例3中电路基板的结构图。
具体实施方式
[0017]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0018]另外“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]为了便于从结构上区分无纬布与纤维布，现做出如下释义：
[0021]无纬布是指：纤维丝经整经机铺丝，树脂胶液浸渍，固化，形成排布整齐的单向纤维布；再将单向纤维布沿垂直纤维方向的二分之一处剪开，变成大小形状相同的两块；将其中一块纤维布顺时针旋转90度，覆盖在另一块之上，用加热加压的方式，将两块纤维布粘合在一起，制成双向无纬布，以此循环叠加便可获得需要厚度的复合无纬布层。
[0022]纤维布是指：将纤维丝在整经机上生产成织轴；然后把织轴的经纱与纬纱在织布机上交织成布。
[0023]一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，所述电路基板包括依次叠层并压合为一体的第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层和第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。
[0024]优选液晶聚合物无纬布的熔点T
m1
与液晶聚合物薄膜的熔点T
m2
满足T
m1
‑
T
m2
≧20℃。
[0025]优选液晶聚合物薄膜的熔点T
m2
≦330℃。
[0026]优选液晶聚合物无纬布的厚度δ1与液晶聚合物薄膜的厚度δ2满足δ2/δ1≧4：(3
‑
2)。
[0027]优选液晶聚合物薄膜的的厚度为30
‑
200μm。
[0028]优选第一金属箔和第二金属箔为铜箔、铝箔、镍箔中的至少一种，进一步优选为铜箔。
[0029]优选第一和第二金属箔的厚度为5
‑
70μm。
[0030]低介电、增韧液晶聚合物基电路基板依据如下方法进行制备：
[0031]S1：根据基板规格，准备铜箔、液晶聚合物薄膜、液晶聚合物无纬布；
[0032]S2：在液晶聚合物无纬布的上下侧面分别覆盖至少一层液晶聚合物薄膜形成绝缘层；
[0033]S3：将至少一个绝缘层的上下侧面分别覆盖一张铜箔形成层压胚料；
[0034]S4：将层压胚料夹在两块镜面不锈钢板中间，再放进层压机中进行压合。
[0035]进一步优选，所述压合温度控制在液晶聚合物薄膜熔点的－10℃～+5℃，压力为5
‑
8MPa，时间为5
‑
20min。
[0036]实施例1
[0037]本实施例提供一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其结构示意图如图1所示，包括依次叠置并压合为一体的第一金属箔1a、第一液晶聚合物薄膜层2a、液晶聚合物无纬布层3、第二液晶聚合物薄膜层2b和第二金属箔1b；
[0038]其中，第一金属箔、第二金属箔均为电解铜箔，厚度均为5μm；
[0039]第一液晶聚合物薄膜层、第二液晶聚合物薄膜层的熔点均为280℃，厚度均为50μm；
[0040]液晶聚合物无纬布层的熔点为350℃，厚度为100μm；
[0041]所述低介电、增韧液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述电路基板包括依次叠置并压合为一体的第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层和第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。2.根据权利要求1所述的低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述液晶聚合物无纬布的厚度δ1与液晶聚合物薄膜的厚度δ2满足δ2/δ1≧4：(3
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，李东伟，
申请(专利权)人：宁波聚嘉新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：