一种芳香族胺类化合物及其制备的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种芳香族胺类化合物及其制备的有机电致发光器件，属于半导体材料技术领域。所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1)所示：本发明专利技术有机化合物具有优异的空穴传输能力(尤其是高电流密度下的空穴迁移率)和激子阻挡能力，通过使用本发明专利技术的芳香族胺类化合物来形成有机电致发光器件的发光辅助层材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是器件效率提升非常显著。率提升非常显著。率提升非常显著。

【技术实现步骤摘要】
一种芳香族胺类化合物及其制备的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，尤其是涉及一种芳香族胺类化合物及其制备的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中，并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱，空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配，导致复合区域偏移较大，不利于器件的稳定性，因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域，一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋，截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高，因此，如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体，在低电流密度下由于空穴优先注入，在一定程度上缓解了空穴传输侧的压力，随着电流密度的增加，电子注入的量会越来越多，导致复合区域向空穴侧偏移，对空穴侧的压力越来越大，为了防止激子向空穴侧传递，因此要求发光辅助层材料能够有效的阻挡激子，并且能够高效的将空穴传输至发光层。目前发光辅助层材料多为传统芳胺结构，支链选择咔唑基团或二苯并呋喃基团，这类结构的抗激子稳定性仍无法满足需求，高电流密度下的空穴迁移率仍需提高，这样才能保证发光层的载流子平衡，防止由于空穴不足，复合区域向空穴传输一侧偏移，导致器件效率降低，寿命变短。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种芳香族胺类化合物及其制备的有机电致发光器件，本专利技术有机化合物具有优异的空穴传输能力(尤其是高电流密度下的空穴迁移率)和激子阻挡能力，通过使用本专利技术的芳香族胺类化合物来形成有机电致发光器件的发光辅助层材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是器件效率提升非常显著。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
[0006]一种芳香族胺类化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：
[0007][0008]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0009]所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；
[0010]所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0011]优选地，通式(1)中，当R2表示为二苯并呋喃基，L1表示为亚苯基，所述R1不表示为联苯基；
[0012]当R2表示为二苯并呋喃基，L1表示为亚联苯基，所述R1不表示为苯基。
[0013]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
1)所示：
[0014][0015]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0016]所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0017]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
2)所示；
[0018][0019]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0020]所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0021]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
3)所示；
[0022][0023]其中，所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0024]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
4)所示：
[0025][0026]其中，所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0027]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
5)所示；
[0028][0029]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基。
[0030]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
6)或通式(1
‑
7)所示；
[0031][0032]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0033]所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；
[0034]所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0035]优选方案，所述化合物的结构如通式(1
‑
8)所示：
[0036][0037]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0038]所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；
[0039]所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0040]优选方案，所述化合物的结构如通式(1
‑
9)所示：
[0041][0042]其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0043]所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；
[0044]所述L2表示为单键、亚苯基或亚联苯基。
[0045]优选方案，所述化合物的结构如通式(1
‑
10)所示：
[0046][0047]其中，所述R1表示为苯基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；
[0048]所述R2表示为苯基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；
[0049]所述L2表示为单键、亚苯基或亚联苯基。
[0050]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
11)所示：
[0051][0052]其中，所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；
[0053]所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。
[0054]优选地，所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1
‑
12)所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。2.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
1)所示：其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。3.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
2)所示；其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。4.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
3)所示；
其中，所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。5.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
4)所示：其中，所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种；所述L2表示为亚苯基或亚联苯基。6.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
5)所示；其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种；所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基。7.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1
‑
6)所示：其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基中的一种，所述L1表示为单键、亚苯基或亚联苯基，所述L2表示为亚苯基或亚联苯基；或者，所述化合物的结构如通式(1
‑
7)所示：
其中，所述R2表示为苯基、萘基、联苯基、苯并呋喃基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯基取代的萘基中的一种，所述L2表示为亚苯基或亚联苯基；或者，所述化合物的结构如通式(1
‑
8)所示：其中，所述R1表示为苯基、萘基、联苯基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王芳，姜亚楠，李崇，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：