一种加热雾化芯片制造技术

本实用新型专利技术属于雾化芯片领域，提供了一种加热雾化芯片，包括：硅基片，设置在硅基片上的加热层，硅基片上、于加热层两侧的控温电阻和过温电阻，在加热层上阵列排布、且贯通加热层和硅基片的雾化通孔，以及设置在加热层、控温电阻和过温电阻上的防护层；其中，加热层为金属钼层。本实用新型专利技术的加热雾化芯片，通过设置金属钼加热层，使其加热面整面覆盖，发热均匀，不易出现某一区域烟温过高烧焦的问题，且其爆发性强，在0.2秒内可以瞬间达到220℃以上的温度及雾化量，仅需6.1W功率可以达到9.6w的效果。功率上可降低1/3，实际能耗上可以降低30

【技术实现步骤摘要】
一种加热雾化芯片


[0001]本技术涉及雾化芯片领域，尤其涉及一种加热雾化芯片。

技术介绍

[0002]加热雾化芯片主要应用于电子烟雾、医用加热雾化器等相关产品。
[0003]目前，市场上的加热雾化器一般采用发热丝+陶瓷雾化芯的组合。发热丝为金属材质，烧结在陶瓷雾化芯底部。陶瓷雾化芯是由黑陶土添加特殊的发泡材料高温烧制而成，其内外布满了蜂窝孔便于烟雾的通过。这种设计相对于传统的弹簧发热丝来说，具有爆发性强、发热量大、产生烟雾量大的特点。
[0004]但这种设计也存在以下缺陷：
[0005]①
发热丝设计为带状或其他长条状，并没有整面覆盖，发热不均匀，加热丝处出现烟温过高烧焦的问题，另一方面发热丝高温后易出现脱落问题。
[0006]②
发热丝加热陶瓷雾化芯存在热传递且需要时间，冷启动不能做到即开即用。
[0007]③
陶瓷雾化芯的烧制时蜂窝孔的大小、形状、间距等不均匀且不易控制，因此烟雾量控制不稳定
[0008]④
加热时由于发热丝表面氧化导致阻值变化，加热效果逐渐削弱。
[0009]⑤
发热丝烧结在陶瓷雾化芯底部，对烟雾有一定的遮挡，影响烟雾的通过量。
[0010]⑥
产品一般体积较大
[0011]⑦
没有温度监测，加热区域温度不能够精准控制。

技术实现思路

[0012]本技术的一种加热雾化芯片，用于解决
技术介绍
中加热芯片发热不均匀，易出现烟温过高烧焦的技术问题。
[0013]本技术提供的技术方案如下：一种加热雾化芯片，包括：硅基片，设置在硅基片上的加热层，硅基片上、于加热层两侧的控温电阻和过温电阻，在加热层上阵列排布、且贯通加热层和硅基片的雾化通孔，以及设置在加热层、控温电阻和过温电阻上的防护层；其中，加热层为金属钼层。
[0014]进一步的，硅基片上、于加热层一侧，设有与加热层、控温电阻和过温电阻分别对应连接的加热层正极、控温电阻正极和过温电阻正极，硅基片上、于加热层另一侧，设有与加热层、控温电阻和过温电阻连接的公共负电极。
[0015]进一步的，加热层与电源之间连接有保护开关。
[0016]进一步的，加热层的尺寸为2000*6800um，其厚度为0.01
‑
1um。
[0017]进一步的，雾化通孔的孔径为20
‑
100um，孔间距为20
‑
100um。
[0018]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0019](1)本技术的加热雾化芯片，通过设置金属钼加热层，使其加热面整面覆盖，发热均匀，不易出现某一区域烟温过高烧焦的问题，且其爆发性强，在0.2秒内可以瞬间达
到220℃以上的温度及雾化量，仅需6.1W功率可以达到9.6w的效果。功率上可降低1/3，实际能耗上可以降低30
‑
50％，有效提升了电池续航。
[0020](2)本技术的加热雾化芯片，通过设置控温电阻和过温电阻的双电阻模式，使其加热温度得到精准控制的同时更具备安全性。
[0021](3)本技术的加热雾化芯片，通过芯片减薄工艺将芯片厚度进行减薄处理，根据工艺要求一般减薄至200至300um，保证了芯片纤薄的同时还具备了机械强度。
附图说明
[0022]图1是本技术加热雾化芯片的俯视图；
[0023]图2是本技术加热雾化芯片的剖视图；
[0024]图3是本技术加热雾化芯片的电路示意图；
[0025]图4是本技术中加热雾化芯片的温控方法的控制示意图。
[0026]附图标记如下：1、硅基片，2、加热层，3、加热层正极，4、雾化通孔，5、防护层，6、过温电阻正极，7、控温电阻，8、公共负电极，9、过温电阻，10、控温电阻正极，11、保护开关，12、电源。
具体实施方式
[0027]以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0028]如图1
‑
4所示，本技术是一种加热雾化芯片，包括：硅基片1，设置在硅基片1上的加热层2，硅基片1上、于加热层2两侧的控温电阻7和过温电阻9，在加热层2上阵列排布、且贯通加热层2和硅基片1的雾化通孔4，以及设置在加热层2、控温电阻7和过温电阻9上的防护层5；其中，加热层2为金属钼层。
[0029]本实施例的硅基片1选用超高电阻硅片作为芯片基底，用于避免基片电阻影响加热层2的阻值。
[0030]本实施例的硅基片1的尺寸为4000um*9000um。
[0031]本实施例的加热层2的尺寸为2000*6800um，其厚度为0.01
‑
1um，优选的，本实施例的加热层2为0.3um。
[0032]本实施例的加热层2为金属钼层，加热层2阻值可根据镀膜厚度和加热区域尺寸进行调整，本实施例加热层2阻值控制在1Ω以下。
[0033]本实施例的加热层2是全区域覆盖薄膜式的加热方式，具有爆发性强和节能性好的特点，加热区域在0.2秒内可以瞬间达到220℃以上的温度及雾化量，仅需6.1W功率可以达到9.6w的效果；功率上可降低1/3，实际能耗上可以降低30
‑
50％，有效提升了电池续航。
[0034]本实施例的雾化通孔4的形状、孔径、孔间距、深度可根据要求进行设定。
[0035]本实施例的雾化通孔4的孔径为20
‑
100um，孔间距为20
‑
100um；优选的，雾化通孔4的孔径在30um以下，避免其孔径过大增加漏液风险。
[0036]本实施例的防护层5为氧化铝保护层，本实施例的防护层5的厚度为0.05
‑
10um，优选的，本实施例的防护层5为0.05um。
[0037]本实施例的防护层5在加热层2、控温电阻7和过温电阻9上、且不遮蔽雾化通孔4，
同时，防护层5还沉积在雾化通孔4孔内的表面上。
[0038]本实施例的采用薄膜沉积技术沉积一层氧化铝绝缘防护层5，用于隔绝加热层与氧气/源液接触，避免发生化学反应，固定、且防止加热层2脱落的同时还可增加芯片的使用寿命。
[0039]本实施例的控温电阻7和过温电阻9线宽5
‑
20um，线长660
‑
56800um。
[0040]进一步的，硅基片1上、于加热层2一侧，设有与加热层2、控温电阻7和过温电阻9分别对应连接的加热层正极3、控温电阻正极10和过温电阻正极6，硅基片1上、于加热层2另一侧，设有与加热层2、控温电阻7和过温电阻9连接的公共负电极8。
[0041]本实施例的加热层正极3、公共负电极8、控温电阻正极10和过温电阻正极6为金属钛和铜铝合金等材料制成，厚度为1.5um。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热雾化芯片，其特征在于，包括：硅基片(1)，设置在所述硅基片(1)上的加热层(2)，所述硅基片(1)上、于所述加热层(2)两侧的控温电阻(7)和过温电阻(9)，在所述加热层(2)上阵列排布、且贯通所述加热层(2)和所述硅基片(1)的雾化通孔(4)，以及设置在所述加热层(2)、所述控温电阻(7)和所述过温电阻(9)上的防护层(5)；其中，所述加热层(2)为金属钼层。2.如权利要求1所述的一种加热雾化芯片，其特征在于，所述硅基片(1)上、于所述加热层(2)一侧，设有与所述加热层(2)、所述控温电阻(7)和所述过温电阻(9)分别对应连接的加热层正极(3)、控温电阻正极(10)和过温电...

【专利技术属性】
技术研发人员：余维嘉，
申请(专利权)人：晶上电子科技江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：