验证存储器装置中的读取电平电压制造方法及图纸

描述用于验证存储器装置中的读取电平电压的系统和方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及响应于确定预期位计数和所述实际位计数的差超过预定阈值，调整所述读取电平电压。调整所述读取电平电压。调整所述读取电平电压。

【技术实现步骤摘要】
验证存储器装置中的读取电平电压


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及验证存储器装置中的读取电平电压。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及响应于确定预期位计数和所述实际位计数的差超过预定阈值，调整所述读取电平电压。
[0004]本公开的另一实施例提供一种计算机可读非暂时性存储媒体，其包括可执行指令，所述可执行指令当由管理包括电耦合到多个字线的多个存储器单元的存储器阵列的控制器执行时使得所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及通过向所述读取电平电压施加反映预期位计数和所述实际位计数的差的读取电平调整来调整所述读取电平电压。
[0005]本公开的又一实施例提供一种方法，其包括：通过管理包括电耦合到多个字线的多个存储器单元的存储器阵列的控制器使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及响应于确定预期位计数和所述实际位计数的差超过预定阈值，调整所述读取电平电压。
附图说明
[0006]根据下文提供的具体实施方式和本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2是根据实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
[0009]图3A示意性地示出布置于存储器装置中的一组存储器单元。
[0010]图3B示意性地示出源极
‑
漏极电流对用于两个存储器单元的控制栅极电压的相依性。
[0011]图3C示意性地示出用于一组存储器单元的阈值控制栅极电压的实例分布。
[0012]图4示意性地示出实例存储器阵列。
[0013]图5示意性地示出根据本公开的方面的多电平单元(MLC)存储器页中的实例阈值电压分布。
[0014]图6是根据本公开的实施例的验证存储器装置中的读取电平电压的实例方法的流程图。
[0015]图7是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0016]本公开的方面涉及验证存储器装置中读取电平电压。一或多个存储器装置可以是存储器子系统的部分，其可以是存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0017]存储器子系统可以包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例是“与非”(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每个裸片可包含两个或更多个平面。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每个平面包含一组物理块。在一些实施中，每个块可包含多个子块。每个平面承载形成到硅晶片上并且通过被称为字线和位线的导体接合的存储器单元矩阵，使得字线耦合到形成一行存储器单元矩阵的多个存储器单元，而位线耦合到形成一列存储器单元矩阵的多个存储器单元。
[0018]取决于单元类型，每个存储器单元可存储一或多个二进制信息位，并且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可以由二进制值(例如“0”和“1”)或这些值的组合表示。可通过将某一电压施加到存储器单元来编程存储器单元(向其写入)，这使得存储器单元保持电荷，因此允许调制由存储器单元产生的电压分布。可在单个操作中例如通过选择连续位线一起编程被称为存储器页的一组存储器单元。
[0019]精确控制由存储器单元存储的电荷的量允许建立多个逻辑电平，因此有效地允许单个存储器单元存储多个位的信息。可通过比较由存储器单元呈现的经测量阈值电压(V
t
)与一或多个参考电压电平执行读取操作以便区分单电平单元(SLC)的两个逻辑电平和多电平单元的多个逻辑电平。在各种实施例中，存储器装置可包含多个部分，包含例如子块被配置成SLC存储器的一或多个部分和子块被配置成每单元可存储三个信息位的多电平单元(MLC)存储器和/或每单元可存储三个信息位的三电平单元(TLC)存储器的一或多个部分。TLC存储器中的存储器单元的电压电平形成一组8个编程分布，其表示存储在每个存储器单元中的三个位的8个不同组合。取决于其如何配置，一个子块中的每个物理页可包含多个页类型。例如，由单电平单元(SLC)形成的物理页具有称为较低逻辑页(LP)的单个页类型。多电平单元(MLC)物理页类型可包含LP和上部逻辑页(UP)，TLC物理页类型为LP、UP和额外逻辑页(XP)，且QLC物理页类型为LP、UP、XP和顶部逻辑页(TP)。例如，由QLC存储器类型的存储器单元形成的物理页可具有总共四个逻辑页，其中每个逻辑页可存储不同于存储在与所述
物理页相关联的其它逻辑页中的数据的数据。
[0020]存储器装置通常经历随机工作负载，这可能影响阈值电压分布，使得它们移位至较高或较低值。为了补偿各种电压分布移位，可以执行校准操作，以便基于从读取和/或写入操作序列获得的一或多个数据状态度量的值来调整读取电平。在一些实施方案中，数据状态度量可由原始位错误率(RBER)表示，其是错误位的数量与存储在存储器装置的特定部分(例如，存储在指定数据块中)中的所有数据位的数量的比率。在一些实施方案中，可以执行扫描读取，以便针对错误校正编码(ECC)创建RBER/对数似然比(LLR)简档，并选择最有效的简档。替代地，可以采用存储器装置辅助的读取校准技术，例如自动读取校准、读取重试、校正读取等。
[0021]然而，这些和其它存储器装置辅助的校准技术通常呈现高延迟，从而对存储器存取操作的总延迟产生不利影响。此外，此类技术相对于电压分布实际上是“盲目的”，这意味着由此类校准技术产生的阈值电压估计可能逐渐漂移到错误电压分布谷值中，从而使读取的数据不可校正。
[0022]本公开的实施方案通过利用源于存储器装置的位计数信息来验证读取电压电平，从而解决各种常见技术的上述和其它缺陷。位计数信息可以反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及响应于确定预期位计数和所述实际位计数的差超过预定阈值，调整所述读取电平电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中调整所述读取电平电压进一步包括：使得相对于可由包括所述指定字线的一或多个相邻字线寻址的一组存储器单元执行校准操作。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中调整所述读取电平电压进一步包括：向所述读取电平电压施加反映所述预期位计数和所述实际位计数的所述差的读取电平调整。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述读取电平调整与所述预期位计数和所述实际位计数的所述差成比例。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述预期位计数反映所述读取电平相对于可由包括所述指定字线的一或多个相邻字线寻址的一组存储器单元的阈值电压分布的预期位置。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述预期位计数存储在可由包括所述指定字线的一或多个相邻字线寻址的一组存储器单元的元数据区域中。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：通过相对于可由包括所述指定字线的一或多个相邻字线寻址的一组存储器单元执行校准操作来确定经调整读取电平电压；以及使得通过向包括所述指定字线的一或多个相邻字线施加所述经调整读取电平电压来执行读取操作。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器由以下之一表示：存储器子系统控制器或本地媒体控制器。9.一种计算机可读非暂时性存储媒体，其包括可执行指令，所述可执行指令当由管理包括电耦合到多个字线的多个存储器单元的存储器阵列的控制器执行时使得所述控制器执行包括以下各项的操作：使得将读取电平电压施加到所述多个字线中的指定字线；接收反映其相应阈值电压低于所述读取电平电压的存储器单元的数量的实际位计数；以及通过向所述读取电平电压施加反映预期位计数和所述实际位计数的差的读取电平调整来调整所述读取电平电压。10.根据权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：