一种动态随机存储器电应力老化测试方法技术

本发明专利技术公开了一种动态随机存储器电应力老化测试方法，包括采用VPP电压调节模块、双列直插式存储模块和保温材料。该方法包括以下步骤：步骤S1：在计算机主板内存插槽与双列直插式存储模块之间添加VPP电压调节模块；所述vpp调压模块选用LM2577、XL6009或MT3608任一控制芯片，其中，步骤S2：分别对双倍数据速率SDRAM芯片设定不同的电应力老化测试参数。在测试中引入电应力，适应芯片尺寸不断缩小的应用场景，补充热应力老化测试的单一和不足；能够弥补热应力测试在动态随机存储器尺寸不断减小的情况下的作用缺失，提高对动态随机存储器长期可靠性的预测功能。期可靠性的预测功能。期可靠性的预测功能。

【技术实现步骤摘要】
一种动态随机存储器电应力老化测试方法


[0001]本专利技术涉及老化测试
，尤其涉及动态随机存储器电应力老化测试方法。

技术介绍

[0002]SDRAM是现代计算机中最常用的内存类型之一，它具有高速度、大容量、简单易用等优点，被广泛应用于电脑、服务器、手机等各种电子设备中，然而，SDRAM组件在长期使用后可能会出现老化和故障。为了确保计算机系统的可靠性往往需要进行测试。
[0003]经检索，申请号CN111209152A的中国专利，公开了DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质，其目的是解决CORE测试能同测数量少，测试速率低，测试设备贵，成本高以及Speed测试能同测数量少，设备昂贵的问题。
[0004]但是，现阶段的动态随机存储器的老化测试主要集中为热应力作用，热应力作用主要目的是剔除出现早期故障的芯片，对于芯片的长期可靠性的预测存在一定的局限性。随着芯片制造工艺的不断进步，存储芯片的尺寸也不断缩小，电应力对芯片的老化作用越来越不容忽视。
[0005]双倍数据速率第四代和第五代SDRAM芯片引入了Vpp引脚，该引脚作用是为字位线提供电压，需要外供，通过该引脚可以给芯片施加合适电应力，通过进一步通过在老化测试中引入电应力可以一定程度上加快对芯片早期故障的发现，能够补充DRAM老化测试方法上只有热应力测试的单一和不足。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷，而提出的动态随机存储器电应力老化测试方法。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0008]一种动态随机存储器电应力老化测试方法，包括采用VPP电压调节模块、双列直插式存储模块和保温材料。
[0009]该方法包括以下步骤：
[0010]步骤S1：在计算机主板内存插槽与双列直插式存储模块之间添加VPP电压调节模块；
[0011]所述vpp调压模块选用LM2577、XL6009或MT3608任一控制芯片，其中，
[0012]步骤S2：分别对双倍数据速率SDRAM芯片设定不同的电应力老化测试参数；
[0013]步骤S3：使用保温材料制成的缺少下底面的长方体容器将芯片和插槽固定在这一密闭空间内，上底面具有两个带开关阀的热源和冷源管口；
[0014]步骤S4：对SDRAM采用不同的读写模式和测试模块，其中，在这个过程中，对芯片进行全写1操作，并读取数据判断，通过示波器连接DQ引脚观测读、写、重刷新等操作对应的波形、时延参数；
[0015]步骤S5：通过相应应力获得的参数的动态变化预测芯片的稳定性，并记录数据；
[0016]步骤S6：进行加速老化操作，并模拟SDRAM的故障情况进行测试，获得测试结果，完成测试。
[0017]进一步地，在测试过程中使用不同频率的时钟信号，用于确保所有的操作都被测试到。
[0018]进一步地，在步骤S2中，对于双倍数据速率第四代(DDR4)SDRAM芯片vpp的基准电压为2.5V，使vpp电压持续高于vdd的1.2v，电应力老化测试的范围选取为2.40v
‑
2.80v，并以0.05v为一个电压级别；
[0019]对于双倍数据速率第五代(DDR5)SDRAM芯片vpp的基准电压为1.8v，使vpp电压持续高于vdd的1.1v，电应力老化测试的范围选取为1.70v
‑
2.10v，并以0.05v为一个电压级别。
[0020]进一步地，在步骤S3中，所述保温材料为聚氨酯保温板，所述保温材料用于检测DRAM是否存在热点。
[0021]进一步地，用于步骤S4中，对DRAM使用不同的读写模式，包括随机读写和顺序读写；
[0022]采用的测试模式包括扫描链测试、随机模式测试和码模式测试，其中，还包括通过步骤S3所述的保温材料实现的温度感知测试，用于测量DRAM芯片内不同位置的温度。
[0023]进一步地，在步骤S5中，所述动态变化包括数据读取错误以及时延参数改变。
[0024]相比于现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0025]在老化测试中引入电应力，适应芯片尺寸不断缩小的应用场景，补充热应力老化测试的单一和不足；
[0026]能够弥补热应力测试在动态随机存储器尺寸不断减小的情况下的作用缺失，提高对动态随机存储器长期可靠性的预测功能。
附图说明
[0027]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。
[0028]图1为本专利技术实施例中保温材料制作结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例中VPP电压调节模块的安装示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0031]实施例一
[0032]参照图1
‑
2，动态随机存储器电应力老化测试方法，包括采用VPP电压调节模块、双列直插式存储模块和保温材料；
[0033]该方法包括以下步骤：
[0034]如图2所示，步骤S1：在计算机主板内存插槽与双列直插式存储模块之间添加VPP电压调节模块；
[0035]所述vpp调压模块选用LM2577、XL6009或MT3608任一控制芯片。
[0036]步骤S2：分别对双倍数据速率SDRAM芯片设定不同的电应力老化测试参数；
[0037]在具体实时，对于双倍数据速率第四代SDRAM芯片vpp的基准电压为2.5V，使vpp电压持续高于vdd的1.2v，电应力老化测试的范围选取为2.40v
‑
2.80v，并以0.05v为一个电压级别；
[0038]如图1所示，步骤S3：使用保温材料制成的缺少下底面的长方体容器将芯片和插槽固定在这一密闭空间内，上底面具有两个带开关阀的热源和冷源管口，该步骤用于控制芯片温度，一方面可以控制温度变量，另一方面可以在电应力的作用下同时施加热应力；
[0039]需要说明的是，所述保温材料为聚氨酯保温板，所述保温材料用于检测DRAM是否存在热点，所述保温板通过粘接方式粘贴在主板上，并环绕包覆内存插槽。
[0040]步骤S4：对SDRAM采用不同的读写模式和测试模块，其中，在这个过程中，对芯片进行全写1操作，并读取数据判断，通过示波器连接DQ引脚观测读、写、重刷新等操作对应的波形、时延参数；
[0041]步骤S5：通过相应应力获得的参数的动态变化预测芯片的稳定性，并记录数据；
[0042]步骤S6：进行加速老化操作，并模拟SDRAM的故障情况进行测试，获得测试结果，完成测试。
[0043]在步骤S6中，加速老化操作为：重复步骤S1
‑
S5的步骤，并在此过程中，增加加湿器，且测试过程中采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存储器电应力老化测试方法，包括采用VPP电压调节模块、双列直插式存储模块和保温材料，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤S1：在计算机主板内存插槽与双列直插式存储模块之间添加VPP电压调节模块；步骤S2：分别对双倍数据速率SDRAM芯片设定不同的电应力老化测试参数；步骤S3：使用保温材料制成的缺少下底面的长方体容器将芯片和插槽固定在这一密闭空间内，上底面具有两个带开关阀的热源和冷源管口；步骤S4：对SDRAM采用不同的读写模式和测试模块，其中，在这个过程中，对芯片进行全写1操作，并读取数据判断，通过示波器连接DQ引脚观测读、写、重刷新等操作对应的波形、时延参数；步骤S5：通过相应应力获得的参数的动态变化预测芯片的稳定性，并记录数据；步骤S6：进行加速老化操作，并模拟SDRAM的故障情况进行测试，获得测试结果，完成测试。2.根据权利要求1所述的动态随机存储器电应力老化测试方法，其特征在于，在测试过程中使用不同频率的时钟信号，用于确保所有的操作都被测试到。3.根据权利要求2所述的动态随机存储器电应力老化测试方法，其特征在于，在步骤S2中，对于双倍数据速率第四代...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振宇，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：