光掩膜版及其制作方法技术

一种光掩膜版及其制作方法，其中所述制作方法包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；在所述相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第二表面上形成线状的微透镜，所述线状的微透镜用于将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面。在采用本申请的光掩模版进行曝光时，通过所述线状的微透镜可以将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面(或者汇聚到遮蔽图形之间的透光区域内)，因而提高了透光区域的感光度，从而提高了光刻时的分辨率。从而提高了光刻时的分辨率。从而提高了光刻时的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版及其制作方法


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种光掩膜版及其制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]但是采用现有的光掩模版进行曝光时，其分辨率仍有待提升。

技术实现思路

[0005]本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
[0006]提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；
[0007]在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；
[0008]在所述相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第二表面上形成线状的微透镜，所述线状的微透镜用于将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面。
[0009]在一些实施例中，所述线状的微透镜的尺寸大于相邻的遮蔽图形的之间的间距，且所述线状的微透镜沿着所述相邻遮蔽图形在第一表面上的延伸方向在所述第二表面上延伸。
[0010]在一些实施例中，所述线状的微透镜汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面上的曝光光线的尺寸等于所述相邻的遮蔽图形的之间的间距。
[0011]如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述线状的微透镜的形成方法包括激光加工、光刻胶热熔法、电场诱导流变成型法、受限微孔电湿润法或离子交换法。
[0012]在一些实施例中，还包括：刻蚀所述透明基板的第一表面，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；
[0013]在所述环形沟槽中填充满不透光材料，形成环形深沟槽结构；所述遮蔽图形位于所述环形深沟槽结构中间的透明基板第一表面上以及环形深沟槽结构的表面上。
[0014]在一些实施例中，所述环形深沟槽结构具有向外倾斜的外侧壁，所述外侧壁的表面与所述线状的微透镜汇聚的曝光光线的最外侧的光路重合，所述遮蔽图形的底部的边缘
与所述环形深沟槽结构的顶部表面的边缘齐平。
[0015]在一些实施例中，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成，或者所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成。
[0016]在一些实施例中，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板表面的不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构；在所述透明基板表面上和环形深沟槽结构表面上形成遮蔽图形薄膜；在所述遮蔽图形薄膜表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上的遮蔽图形薄膜的表面，暴露出其他区域的遮蔽图形薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述遮蔽图形薄膜，在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形；去除所述图形化的第二掩膜层。
[0017]在一些实施例中，所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺平坦化所述不透光材料薄膜的表面；在所述平坦化后的所述不透光材料薄膜的表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形沟槽中间的透明基板表面上以及环形沟槽上的不透光材料薄膜的表面，暴露出其他区域的不透光材料薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构，在所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上形成遮蔽图形；去除所述图形化的第二掩膜层。
[0018]在一些实施例中，所述深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动或扩散。
[0019]本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
[0020]透明基板，所述透明基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；
[0021]位于所述透明基板的第一表面上的多个分立的遮蔽图形；
[0022]位于所述相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第二表面上的线状的微透镜，所述线状的微透镜用于将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面。
[0023]在一些实施例中，所述线状的微透镜的尺寸大于相邻的遮蔽图形的之间的间距，且所述线状的微透镜沿着所述相邻遮蔽图形在第一表面上的延伸方向在所述第二表面上延伸。
[0024]在一些实施例中，所述线状的微透镜汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第
一表面上的曝光光线的尺寸等于所述相邻的遮蔽图形的之间的间距。
[0025]在一些实施例中，还包括：贯穿所述透明基板的第一表面并位于所述透明基板中的若干分立的环形沟槽；填充满所述环形沟槽的环形深沟槽结构；所述遮蔽图形位于所述环形深沟槽结构中间的透明基板第一表面上以及环形深沟槽结构的表面上。
[0026]在一些实施例中，所述环形深沟槽结构具有向外倾斜的外侧壁，所述外侧壁的表面与所述线状的微透镜汇聚的曝光光线的最外侧的光路重合，所述遮蔽图形的底部的边缘与所述环形深沟槽结构的顶部表面的边缘齐平。
[0027]本申请前述一些实施例的光掩膜版的制作方法，提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面后，在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；在所述相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第二表面上形成线状的微透镜，所述线状的微透镜用于将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面。在采用本申请的光掩模版进行曝光时，通过所述线状的微透镜可以将从所述第二表面入射的曝光光线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；在所述相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第二表面上形成线状的微透镜，所述线状的微透镜用于将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述线状的微透镜的尺寸大于相邻的遮蔽图形的之间的间距，且所述线状的微透镜沿着所述相邻遮蔽图形在第一表面上的延伸方向在所述第二表面上延伸。3.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述线状的微透镜汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面上的曝光光线的尺寸等于所述相邻的遮蔽图形的之间的间距。4.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述线状的微透镜的形成方法包括激光加工、光刻胶热熔法、电场诱导流变成型法、受限微孔电湿润法或离子交换法。5.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述透明基板的第一表面，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；在所述环形沟槽中填充满不透光材料，形成环形深沟槽结构；所述遮蔽图形位于所述环形深沟槽结构中间的透明基板第一表面上以及环形深沟槽结构的表面上。6.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述环形深沟槽结构具有向外倾斜的外侧壁，所述外侧壁的表面与所述线状的微透镜汇聚的曝光光线的最外侧的光路重合，所述遮蔽图形的底部的边缘与所述环形深沟槽结构的顶部表面的边缘齐平。7.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成，或者所述遮蔽图形与所述环形深沟槽结构同步形成。8.如权利要求7所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形在所述深沟槽结构之后形成时，所述深沟槽结构和遮蔽图形的形成过程包括：在所述透明基板表面上形成图形化的第一掩膜层，所述图形化的第一掩膜层中具有暴露出所述透明基板部分表面的若干分立的环形的第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述环形的第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的环形沟槽；去除所述图形化的第一掩膜层；在所述环形沟槽和透明基板的表面上形成不透光材料薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板表面的不透光材料薄膜，在所述环形沟槽中形成环形深沟槽结构；在所述透明基板表面上和环形深沟槽结构表面上形成遮蔽图形薄膜；在所述遮蔽图形薄膜表面上形成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述环形深沟槽结构中间的透明基板表面上以及环形深沟槽结构的表面上的遮蔽图形薄膜的表面，暴露出其他区域的遮蔽图形薄膜的表面；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述遮蔽图形薄膜，在所述环...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：