组合物及其制造方法、固化体以及金属基底基板技术

组合物的制造方法，前述方法具备下述工序：工序a，选定无机填料、和能以满足下述式(1)的方式对无机填料的表面进行处理的表面处理剂；和工序b，将无机填料及表面处理剂混合而得到组合物。|Z|<|Zt|

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物及其制造方法、固化体以及金属基底基板


[0001]本公开文本涉及组合物及其制造方法、固化体以及金属基底基板。

技术介绍

[0002]由氮化硼、氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化硅等形成的无机填料出于提高绝缘性、导热性等的目的而被用于各种领域。在这样的情况下，无机填料通常被分散于树脂等中来使用。
[0003]作为更具体的例子，无机填料有时被用于用以形成金属基底基板(金属基底电路基板)中的绝缘层的组合物。例如，在专利文献1中，公开了将特定的环氧树脂及固化剂、和无机填料作为必需成分的电路基板用组合物，其目的在于提供弹性模量低并且粘接性、耐热性、耐湿性优异的由含有无机填料的固化性树脂形成的组合物，作为其应用，提供耐热性、耐湿性及散热性优异的电路基板、尤其是金属基底电路基板，前述电路基板的金属板与导电电路的密合性优异，而且应力缓和性优异，即使受到急剧的加热/冷却也不会在焊料或其附近发生裂纹产生时的异常。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2008
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266535号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]对于上述的金属基底基板，要求即使在施加了比以往更高的电压的情况下也能确保绝缘可靠性，尤其是期望高温或高温高湿度环境下的绝缘可靠性的提高。
[0009]因此，本专利技术的一个方面的目的在于得到在高温或高温高湿度环境下对高电压的绝缘可靠性优异的金属基底基板。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本申请的专利技术人发现，通过在用于形成金属基底基板的绝缘层的组合物中，针对无机填料使用能进行使其成为特定Zeta电位的这样的表面处理的表面处理剂，从而可得到在高温或高温高湿度环境下对高电压的绝缘可靠性优异的金属基底基板。
[0012]即，本专利技术在一些方面提供以下的[1]～[12]。
[0013][1]组合物的制造方法，前述方法具备下述工序：工序a，选定无机填料、和能以满足下述式(1)的方式对无机填料的表面进行处理的表面处理剂；和工序b，将无机填料及表面处理剂混合而得到组合物。
[0014]|Z|<|Zt|
…
(1)
[0015][式(1)中，Z表示无机填料的Zeta电位，Zt表示利用相对于无机填料100质量份而言为0.01～10质量份的表面处理剂进行表面处理后的无机填料的Zeta电位。][0016][2]如[1]所述的组合物，其中，表面处理剂为含有具有阴离子性基团的(甲基)丙
烯酸系单体单元A、具有阳离子性基团的(甲基)丙烯酸系单体单元B、和除(甲基)丙烯酸系单体单元A及(甲基)丙烯酸系单体单元B以外的(甲基)丙烯酸系单体单元C的共聚物。
[0017][3]如[2]所述的组合物的制造方法，其中，阴离子性基团包含选自由羧基、磷酸基及酚式羟基组成的组中的一种以上。
[0018][4]如[2]或[3]所述的组合物的制造方法，其中，(甲基)丙烯酸系单体单元A还具有键合于阴离子性基团的吸电子基团。
[0019][5]如[2]～[4]中任一项所述的组合物的制造方法，其中，阳离子性基团包含选自由伯氨基、仲氨基、叔氨基及季铵盐基团组成的组中的一种以上。
[0020][6]如[2]～[5]中任一项所述的组合物的制造方法，其中，(甲基)丙烯酸系单体单元B还具有键合于阳离子性基团的供电子基团。
[0021][7]如[2]～[6]中任一项所述的组合物的制造方法，其中，(甲基)丙烯酸系单体单元C包含选自由氧化烯基、硅氧烷基、烃基及磷酸酯基组成的组中的一种以上。
[0022][8]如[1]～[7]中任一项所述的组合物的制造方法，其中，在工序b中进一步混合树脂。
[0023][9]如[8]所述的组合物的制造方法，其中，在工序b中进一步混合使树脂固化的固化剂。
[0024][10]组合物，其含有：无机填料；和能以满足下述式(1)的方式对无机填料的表面进行处理的表面处理剂。
[0025]|Z|<|Zt|
…
(1)
[0026][式(1)中，Z表示前述无机填料的Zeta电位，Zt表示利用相对于无机填料100质量份而言为0.01～10质量份的表面处理剂进行表面处理后的无机填料的Zeta电位。][0027][11][10]所述的组合物的固化体。
[0028][12]金属基底基板，其具备：金属板；配置于金属板上的[11]所述的固化体；和配置于固化体上的金属箔。
[0029]专利技术效果
[0030]根据本专利技术的一个方面，能够得到在高温或高温高湿度环境下对高电压的绝缘可靠性优异的金属基底基板。
附图说明
[0031][图1]为示出金属基底基板的一个实施方式的示意截面图。
[0032][图2]为示出金属基底基板的另一个实施方式的示意截面图。
具体实施方式
[0033]以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明，但本专利技术不限于此。
[0034]本专利技术的一个实施方式为含有无机填料和表面处理剂的组合物的制造方法。该制造方法具备下述工序：工序a，选定无机填料和表面处理剂；和工序b，将无机填料及表面处理剂混合而得到组合物。
[0035]工序a中，无机填料例如可以从在要求绝缘性及导热性的用途中使用的已知无机填料中选定。无机填料例如可以包含选自由氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮化硼、氮化铝及氧化
镁组成的组中的一种以上，从高湿度环境下的绝缘可靠性更优异的观点考虑，可以包含选自由氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮化硼及氮化铝组成的组中的一种以上，可以包含选自由氧化铝、氮化硼及氮化铝组成的组中的一种以上。
[0036]无机填料的形状例如可以为粒子状、鳞片状、多边形状等。就无机填料的平均粒径而言，从提高导热性的观点考虑，可以为0.05μm以上、0.1μm以上、5μm以上、10μm以上、20μm以上或30μm以上，从进一步提高绝缘性的观点考虑，可以为200μm以下、150μm以下、100μm以下或80μm以下。本说明书中，无机填料的平均粒径是指无机填料的体积基准的粒度分布中的d50径。无机填料的体积基准的粒度分布可利用激光衍射式粒度分布测定装置进行测定。
[0037]无机填料可以含有平均粒径彼此不同的两种以上的无机填料。例如，无机填料可以包含平均粒径为25μm以上的第一无机填料、和平均粒径为4μm以下的第二无机填料。根据这样的无机填料，通过将第二无机填料填充在第一无机填料彼此的间隙中，从而填充密度增加，有助于提高导热性。
[0038]第一无机填料的平均粒径可以为30μm以上或40μm以上，可以为200μm以下或150μm以下。第二无机填料的平均粒径可以为3.5μm以下或3μm以下，可以为0.05μm以上或0.1μm以上。
[0039]工序a中，除了上述的无机填料之外，还选定能以满足下述式(1)的方式对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.组合物的制造方法，所述方法具备下述工序：工序a，选定无机填料、和能以满足下述式(1)的方式对所述无机填料的表面进行处理的表面处理剂；和工序b，将所述无机填料及所述表面处理剂混合而得到组合物，|Z|<|Zt|
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(1)式(1)中，Z表示所述无机填料的Zeta电位，Zt表示利用相对于所述无机填料100质量份而言为0.01～10质量份的所述表面处理剂进行表面处理后的无机填料的Zeta电位。2.如权利要求1所述的组合物的制造方法，其中，所述表面处理剂为含有具有阴离子性基团的(甲基)丙烯酸系单体单元A、具有阳离子性基团的(甲基)丙烯酸系单体单元B、和除所述(甲基)丙烯酸系单体单元A及所述(甲基)丙烯酸系单体单元B以外的(甲基)丙烯酸系单体单元C的共聚物。3.如权利要求2所述的组合物的制造方法，其中，所述阴离子性基团包含选自由羧基、磷酸基及酚式羟基组成的组中的一种以上。4.如权利要求2或3所述的组合物的制造方法，其中，所述(甲基)丙烯酸系单体单元A还具有键合于所述阴离子性基团的吸电子基团。5.如权利要求2～4中任一项所述的组合物的制造方法，其中，所述阳离子性基团包含选自由伯氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：权田悠平，熊谷良太，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：