蒸镀坩埚和蒸镀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种蒸镀坩埚和蒸镀装置。其中，蒸镀坩埚包括：内坩埚和外坩埚，所述内坩埚用于容纳蒸镀材料；所述内坩埚包括第一本体部和与所述第一本体部连接第一连接部，所述外坩埚包括第二本体部和与所述第二本体部连接的第二连接部；所述第一本体部设置于所述第二本体部的内部；所述第一连接部与所述第二连接部相连，以维持所述第一本体部与所述第二本体部之间存在缝隙。第二本体部之间存在缝隙。第二本体部之间存在缝隙。

【技术实现步骤摘要】
蒸镀坩埚和蒸镀装置


[0001]本技术涉及显示
，具体涉及一种蒸镀坩埚和蒸镀装置。

技术介绍

[0002]OLED(OrganicLight
‑
Emitting Diode,有机发光二极管)器件是一种自发光器件，其主要由有机无机薄膜通过物理气象沉积法而制成，即将有机材料放置在真空腔内的坩埚中加热，材料受热之后汽化或者升华，蒸汽沉积在温度比较低的基板上，形成多层膜结构的OLED器件。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种蒸镀坩埚和蒸镀装置。
[0004]第一方面，本技术实施例提供一种蒸镀坩埚包括：内坩埚和外坩埚，所述内坩埚用于容纳蒸镀材料；所述内坩埚包括第一本体部和与所述第一本体部连接第一连接部，所述外坩埚包括第二本体部和与所述第二本体部连接的第二连接部；
[0005]所述第一本体部设置于所述第二本体部的内部；
[0006]所述第一连接部与所述第二连接部相连，以维持所述第一本体部与所述第二本体部之间存在缝隙。
[0007]在一些实施例中，所述第一本体部包括第一底板和环绕所述第一底板的第一侧壁；
[0008]所述第一连接部位于所述第一侧壁远离所述第一底板的一端。
[0009]在一些实施例中，所述第一底板和所述第一侧壁形成有容纳空间，所述第一连接部沿远离所述容纳空间的方向延伸。
[0010]在一些实施例中，所述内坩埚还包括外沿部，
[0011]所述外沿部位于所述第一连接部远离所述第一侧壁的一侧，所述外沿部沿所述第一底板所处平面的法线方向、且远离所述第一底板方向的延伸。
[0012]在一些实施例中，所述第一连接部在所述第一底板所在平面上的正投影呈环形。
[0013]在一些实施例中，所述第一侧壁与水平方向的夹角为80
°
～85
°
。
[0014]在一些实施例中，所述第二本体部包括第二底板和环绕所述第二底板的第二侧壁，
[0015]所述第一底板与所述第二底板之间的间距为0.9mm～1.3mm。
[0016]在一些实施例中，所述第一侧壁上任意位置与所述第二侧壁上的同侧位置之间的间距为0.85mm～0.95mm。
[0017]在一些实施例中，所述第二侧壁与水平方向的夹角为80
°
～85
°
。
[0018]在一些实施例中，所述第二侧壁远离第二底板的一端开设有至少一个排气孔。
[0019]在一些实施例中，所述排气孔的数量为多个；多个所述排气孔沿所述第二侧壁的周向均匀排布。
等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0038]OLED(OrganicLight
‑
Emitting Diode,有机发光二极管)器件是一种自发光器件，其主要由有机无机薄膜通过物理气象沉积法而制成，即将有机材料放置在真空腔内的蒸镀坩埚中加热，材料受热之后汽化或者升华，蒸汽沉积在温度比较低的基板上，形成多层膜结构的OLED器件。
[0039]在OLED器件的制备过程中，需要蒸镀金属铝AL材料作为阴极材料，相关技术中提供以下几种蒸镀坩埚对AL材料进行蒸镀：
[0040]方案一、由于PBN是一种密度较大、且耐高温的材料，因此采用单层高强度氮化硼PBN坩埚对AL材料进行蒸镀，在常温状态下，PBN与AL之间不发生反应，但在蒸镀过程中受高温影响，PBN会受到AL的侵蚀，从而使PBN的晶体结构发生变化，其晶格变化如下：α
‑
BN+AL
→
β
‑
BN，并且AL在β
‑
BN中是可溶的。因此，在高温状态下，PBN与AL发生熔融现象，最终导致单层高强度PBN坩埚在使用有限次数后发生炸裂。
[0041]方案二、由于AL与石墨PG在高温下不发生反应，使用PG涂层可以对PBN坩埚进行保护，因此采用单层PBN+PG涂层坩埚，即在坩埚内壁上PG涂层涂覆，PG涂层的厚度为100μm，但在使用过程中发现，PG涂层在高温之后发生脱落，落入坩埚内腔后混杂到AL材料中，影响蒸镀效果。
[0042]方案三、由于氮化铝ALN与AL之间不发生反应，因此采用单层ALN坩埚对AL进行蒸镀，但在使用之后发现ALN的耐高温性一般；并且由于ALN本身的材料限制，单层ALN坩埚在制作工艺上难以形成上沿结构，因此无法对抗AL在蒸镀过程中的上爬外溢，导致AL材料外溢后腐蚀加热源。
[0043]方案四、鉴于PBN材料的耐高温特性，以及ALN材料具有优良的热传导性、电绝缘性和较低的介电常数、介电损耗等优势，采用外层PBN+内层ALN的双层坩埚结构。但在使用过程中发现，内层ALN坩埚在侧壁厚度较薄时，加热源升温蒸镀后，内层ALN坩埚容易发生破裂；内层ALN坩埚壁厚较厚时，AL的蒸镀速率较低，且在使用有限次数后，内层ALN坩埚仍旧发生破裂。
[0044]综上，相关技术中对OLED器件中阴极材料AL蒸镀时，各种材料/结构形成的蒸镀坩埚，不能同时平衡坩埚的耐高温性能、和对AL材料具有较好的蒸镀速率和蒸镀效果的问题，均无法满足蒸镀坩埚的使用需求。
[0045]为了解决上述技术问题中的至少一个，本技术实施例提供一种蒸镀坩埚，其在高温蒸镀过程中不会产生破裂，且为AL材料提供较好的蒸镀速率和蒸镀效果。
[0046]图1为本技术实施例提供的一种蒸镀坩埚的整体结构示意图，图2为本技术实施例提供的一种蒸镀坩埚的俯视剖面图，图3为本技术实施例提供的沿图2中EE线的剖切示意图。
[0047]如图1
‑
图3所示，蒸镀坩埚包括：内坩埚1和外坩埚2，内坩埚1用于容纳蒸镀材料；内坩埚1包括第一本体部11和与第一本体部11连接第一连接部12，外坩埚2包括第二本体部21和与第二本体部21连接的第二连接部22。第一本体部11设置于第二本体部21的内部；第一连接部12与第二连接部22相连，以维持第一本体部11与第二本体部21之间存在缝隙。
[0048]本技术提供的蒸镀坩埚，包括内外两层结构，外坩埚2的设置可以提高内坩埚1的升降温稳定性，以延长蒸镀坩埚的使用寿命；同时，在升温蒸镀过程中内坩埚1和外坩埚2的热膨胀系数不同，则内坩埚1和外坩埚2之间的缝隙可以容纳二者之间的膨胀差异，为内坩埚1留出足够的膨胀空间，避免内外坩埚2之间受热膨胀的相互挤压，使蒸镀坩埚发生形变导致破裂的现象。
[0049]在一些实施例中，外坩埚2采用耐高温性较好的材料，内坩埚1采用在高温下不被AL侵蚀的材料，例如，外坩埚2的材料包括氮化硼材料，内坩埚1的材料包括石墨材料。其中，由于外坩埚2所采用的氮化硼PBN材料具有较好的耐热性能以及较高的材料强度和密度，同时内坩埚1所采用的石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀坩埚，其特征在于，包括：内坩埚和外坩埚，所述内坩埚用于容纳蒸镀材料；所述内坩埚包括第一本体部和与所述第一本体部连接的第一连接部，所述外坩埚包括第二本体部和与所述第二本体部连接的第二连接部；所述第一本体部设置于所述第二本体部的内部；所述第一连接部与所述第二连接部相连，以维持所述第一本体部与所述第二本体部之间存在缝隙。2.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述第一本体部包括第一底板和环绕所述第一底板的第一侧壁；所述第一连接部位于所述第一侧壁远离所述第一底板的一端。3.根据权利要求2所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述第一底板和所述第一侧壁形成有容纳空间，所述第一连接部沿远离所述容纳空间的方向延伸。4.根据权利要求3所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述内坩埚还包括外沿部，所述外沿部位于所述第一连接部远离所述第一侧壁的一侧，所述外沿部沿所述第一底板所处平面的法线方向、且远离所述第一底板方向的延伸。5.根据权利要求2所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述第一连接部在所述第一底板所在平面上的正投影呈环形。6.根据权利要求2所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述第一侧壁与水平方向的夹角为80
°
～85
°
。7.根据权利要求2所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述第二本体部包括第二底板和环绕所述第二底板的第二侧壁，所述第一底板与所述第二底板之间的间距...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝亮亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：