低噪声放大器及射频芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种低噪声放大器及射频芯片，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，所述低噪声放大器还包括多个开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路；共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感、第三电感以及第二电容；多个开关包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关；第一电感的第二端分别连接第一开关的第一端和第二开关的第一端，第一开关的第二端分别连接旁路匹配电路的第一端和第四开关的第一端，第四开关的第一端接地，旁路匹配电路的第二端连接第三开关的第一端。本发明专利技术低噪声放大器的模式功能多样，可靠性高适用范围广。可靠性高适用范围广。可靠性高适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大器及射频芯片


[0001]本专利技术涉及无线通讯
，尤其涉及一种低噪声放大器及射频芯片。

技术介绍

[0002]随着人类进入信息化时代，无线通信技术有了飞速发展，从手机，无线局域网，蓝牙等已成为社会生活和发展不可或缺的一部分。无线通信技术的进步离不开射频电路的发展。在无线收发系统中，射频的低噪声放大器是重要的组成部分之一，低噪声放大器将信号进行功率放大，获得足够的射频功率以后，信号才能馈送到天线上辐射出去。其中，低噪声放大器的增益和回波损耗为重要的性能指标。
[0003]现有的低噪声放大器包括输入匹配电路、共栅共源放大器和输出匹配电路。通过共栅共源放大器将输入匹配电路输入的功率信号进行处理后，通过输出匹配电路进输出，从而实现低噪声的功能。
[0004]然而，上述的低噪声放大器通过共栅共源放大器进行信号放大，输出固定的低噪声功率信号，功能单一，可靠性差。

技术实现思路

[0005]针对以上现有技术的不足，本专利技术提出一种低噪声放大器，以解决现有低噪声放大器功能单一，可靠性差的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供一种低噪声放大器，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，所述低噪声放大器还包括多个开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路；
[0008]所述共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感、第三电感以及第二电容；多个所述开关包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关；
[0009]所述第一电感的第一端连接所述信号输入端，所述第一电感的第二端分别连接所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端；
[0010]所述第一开关的第二端分别连接所述旁路匹配电路的输入端和所述第四开关的第一端，所述第四开关的第一端接地；
[0011]所述旁路匹配电路的输出端连接所述第三开关的第一端，所述第三开关的第二端连接所述输出匹配网络的第一端；
[0012]所述第二开关的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第一晶体管的栅极；
[0013]所述第一晶体管的源极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接所述晶体管接入偏置电路的第一端，所述晶体管接入偏置电路的第二端接地，所述晶体管接入偏置电路的第三端用于连接外部的控制逻辑电路，以实现控制多个所述开关的动作；
[0014]所述第一晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第二晶体管的栅极接地，所述第二晶体管的漏极分别连接所述第二电容的第一端和所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端连接供电电压；
[0015]所述第二电容的第二端连接所述输出匹配网络的第一端，所述输出匹配网络的第二端连接所述输出电阻衰减网络的第一端，所述输出电阻衰减网络的第二端连接所述信号输出端，所述输出匹配网络的第三端和所述输出电阻衰减网络的第三端分别接地。
[0016]优选的，所述低噪声放大器还包括第三电容，所述第三电容的第一端连接所述第二晶体管的栅极，所述第三电容的第二端接地。
[0017]优选的，所述低噪声放大器还包括第一电阻，所述第一晶体管的栅极通过串联所述第一电阻后连接至第一偏置电压。
[0018]优选的，所述低噪声放大器还包括第二电阻，所述第二晶体管的栅极通过串联所述第二电阻后连接至第二偏置电压。
[0019]优选的，所述旁路匹配电路包括第四电容和第五电容，所述第四电容的第一端连接所述第五电容的第一端且作为所述旁路匹配电路的输入端，所述第四电容的第二端接地，所述第五电容的第二端作为所述旁路匹配电路的输出端。
[0020]优选的，所述输出匹配网络包括第六电容和第七电容，所述第六电容的第一端作为所述输出匹配网络的第一端，所述第六电容的第二端连接所述第七电容的第一端并作为所述输出匹配网络的第二端，所述第七电容的第二端作为所述输出匹配网络的第三端。
[0021]优选的，所述输出电阻衰减网络包括第五开关、第六开关、第三电阻、第四电阻以及第五电阻，所述第三电阻的第一端连接所述第五开关的第一端并作为所述输出电阻衰减网络的第一端，所述第三电阻的第二端分别连接所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端，所述第五开关的第二端连接所述第四电阻的第二端，所述第四电阻的第二端作为所述输出电阻衰减网络的第二端，所述第五电阻的第二端连接所述第六开关的第一端，所述第六开关的第二端作为所述输出电阻衰减网络的第三端。
[0022]优选的，所述晶体管接入偏置电路包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极作为所述晶体管接入偏置电路的第二端，所述第三晶体管的漏极作为所述晶体管接入偏置电路的第一端，所述第三晶体管的栅极作为所述晶体管接入偏置电路的第三端。
[0023]优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为NMOS管。
[0024]第二方面，本专利技术实施例提供一种射频芯片，所述射频芯片包括上述的低噪声放大器。
[0025]与相关技术相比，本专利技术的实施例中，通过将信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、多个开关、旁路匹配电路、晶体管偏置接入电路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端依次连接；共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感、第三电感以及第二电容；多个开关包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关；第一电感的第一端连接信号输入端，第一电感的第二端分别连接第一开关的第一端和第二开关的第一端，第一开关的第二端分别连接旁路匹配电路的第一端和第四开关的第一端，第四开关的第一端接地，旁路匹配电路的第二端连接第三开关的第一端。这样通过将旁路匹配电路连接在共源共栅低噪声放大链路的两端，并通过多个开关对旁路匹配电路通断控制，实现多个旁路模式功能，使得低噪声放大器工
作频率的回波损耗较小，可靠性高。
附图说明
[0026]下面结合附图详细说明本专利技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
[0027]图1为本专利技术实施例中低噪声放大器的电路图；
[0028]图2为本专利技术实施例中低噪声放大器的一种实现形式电路原理图；
[0029]图3为本专利技术实施例中低噪声放大器工作在旁路模式时的等效电路图。
[0030]其中，100、低噪声放大器，1、信号输入端，2、共源共栅低噪声放大链路，3、多个开关，4、旁路匹配电路，5、晶体管偏置接入电路，6、输出匹配网络，7、输出电阻衰减网络，8、信号输出端。
具体实施方式
[0031]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，其包括依次连接的信号输入端、含源级负反馈电感的共源共栅低噪声放大链路、输出匹配网络、输出电阻衰减网络以及信号输出端，其特征在于，所述低噪声放大器还包括多个开关、旁路匹配电路和晶体管偏置接入电路；所述共源共栅低噪声放大链路包括第一电感、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第二电感、第三电感以及第二电容；多个所述开关包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关；所述第一电感的第一端连接所述信号输入端，所述第一电感的第二端分别连接所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端；所述第一开关的第二端分别连接所述旁路匹配电路的输入端和所述第四开关的第一端，所述第四开关的第一端接地；所述旁路匹配电路的输出端连接所述第三开关的第一端，所述第三开关的第二端连接所述输出匹配网络的第一端；所述第二开关的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第一晶体管的栅极；所述第一晶体管的源极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接所述晶体管接入偏置电路的第一端，所述晶体管接入偏置电路的第二端接地，所述晶体管接入偏置电路的第三端用于连接外部的控制逻辑电路，以实现控制多个所述开关的动作；所述第一晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第二晶体管的栅极接地，所述第二晶体管的漏极分别连接所述第二电容的第一端和所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端连接供电电压；所述第二电容的第二端连接所述输出匹配网络的第一端，所述输出匹配网络的第二端连接所述输出电阻衰减网络的第一端，所述输出电阻衰减网络的第二端连接所述信号输出端，所述输出匹配网络的第三端和所述输出电阻衰减网络的第三端分别接地。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第三电容，所述第三电容的第一端连接所述第二晶体管的栅极，所述第三电容的第二端接地。3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第一电阻，所述第一晶体管的栅极通过串联所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏俊华，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：