发射蓝光的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及包括发光层B的有机电致发光器件，发光层B包括TADF材料、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的蓝光的小FWHM发射体S

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射蓝光的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及一种包括发光层B的有机电致发光器件，发光层B包括TADF材料E
B
、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的蓝光的小半峰全宽(FWHM)发射体S
B
以及主体材料H
B
。另外，根据专利技术的有机电致发光器件包括与发光层B相邻的激子管理层，激子管理层包括三重态
‑
三重态湮灭材料。此外，本专利技术涉及一种用于产生有机电致发光器件的方法，并且涉及一种用于借助于根据本专利技术的有机电致发光器件来产生蓝光的方法。

技术介绍

[0002]包含一个或更多个基于有机物的发光层的有机电致发光器件(诸如以有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管为例)赢得了越来越多的重要性。具体地，OLED是用于电子产品(诸如以屏幕、显示器和照明装置为例)的有前途的器件。与基本上基于无机物的大多数电致发光器件相反，基于有机物的有机电致发光器件通常相当柔性并且可制造为特别薄的层。目前已经可获得的OLED类屏幕和显示器具有良好的效率和长寿命或者良好的色纯度和长寿命，但是没有组合全部三种性质(即，良好的效率、长寿命和良好的色纯度)。
[0003]OLED的色纯度或颜色点通常由CIEx和CIEy坐标提供，而用于下一代显示器的色域由所谓的BT
‑
2020和DCPI3值提供。通常，为了实现这些色坐标，需要顶部发射器件以通过改变腔来调节色坐标。为了在以这些色域为目标的同时在顶部发射器件中实现高效率，需要底部发射器件中的窄发射光谱。
[0004]现有技术的磷光发射体表现出反映在磷光类OLED(PHOLED)的宽发射中的相当宽的发射且通常大于0.25eV的发射光谱的半峰全宽(FWHM)。底部发射器件中的PHOLED的宽发射光谱在以BT
‑
2020和DCPI3色域为目标的同时导致针对顶部发射器件结构的外耦合效率的高损失。
[0005]另外，磷光材料通常基于例如铱的过渡金属，由于过渡金属通常的低丰度，过渡金属在OLED堆叠体内是相当昂贵的材料。因此，过渡金属类材料具有用于降低OLED成本的最大潜力。因此，OLED堆叠体内的过渡金属的含量的降低是用于OLED应用定价的关键性能指标。
[0006]最近，已经开发了显示相当窄的发射光谱的一些荧光或热激活延迟荧光(TADF)发射体，其表现出通常小于或等于0.25eV的发射光谱的FWHM，因此更适合于实现BT
‑
2020和DCPI3色域。然而，这种荧光和TADF发射体通常由于在较高的亮度下降低的效率(即，OLED的滚降行为)而具有低效率以及由于例如激子
‑
极化子湮灭或激子
‑
激子湮灭而引起的低寿命。
[0007]这些缺点可以通过应用所谓的超方法在一定程度上克服。后者依赖于使用将能量转移到优选地显示如上所述的窄发射光谱的荧光发射体的能量泵。能量泵可以是例如显示反向系间窜越(RISC)的TADF材料或者显示有效系间窜越(ISC)的过渡金属配合物。然而，这些方法仍然没有提供结合全部上述期望特征(即：良好的效率、长寿命和良好的色纯度)的
有机电致发光器件。
[0008]用于产生光的有机电致发光器件的中心元件通常是放置在阳极与阴极之间的至少一个发光层。当电压(和电流)被施加到有机电致发光器件时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入。空穴传输层通常位于发光层与阳极之间，并且电子传输层通常位于发光层与阴极之间。顺序地设置不同层。然后通过空穴和电子在发光层中的复合产生高能量的激子。这种激发态(例如，诸如S1的单重态和/或诸如T1的三重态)到基态(S0)的衰减期望地导致光的发射。

技术实现思路

[0009]令人惊讶的是，已经发现，包括包含TADF材料E
B
、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的蓝光的小半峰全宽(FWHM)发射体S
B
和主体材料H
B
的发光层以及与发光层相邻的激子管理层EXL的有机电致发光器件提供了理想地适合于实现蓝色BT
‑
2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
[0010]在此，TADF材料E
B
可以将激发能量转移到发射光的小半峰全宽(FWHM)发射体S
B
。
[0011]本专利技术涉及一种包括发光层B的有机电致发光器件，发光层B包括以下组分：
[0012](i)TADF材料E
B
，具有最低激发单重态能级E(S1
E
)和最低激发三重态能级E(T1
E
)；
[0013](ii)小半峰全宽(FWHM)发射体S
B
，具有最低激发单重态能级E(S1
S
)和最低激发三重态能级E(T1
S
)，其中，S
B
发射具有在440nm与480nm之间的发射最大值并且具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光；以及
[0014](iii)主体材料H
B
，具有最低激发单重态能级E(S1
H
)和最低激发三重态能级E(T1
H
)；
[0015]其中，有机电致发光器件包括与发光层B相邻的激子管理层EXL，激子管理层EXL包括三重态
‑
三重态湮灭(TTA)材料。
[0016]满足上述要求可以产生理想地适合于实现蓝色BT
‑
2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
具体实施方式
[0017]将注意的是，在整个此上下文中，将参照根据本专利技术的有机电致发光器件的发光层B内的组分的激发态的能量、轨道、发射最大值之间的关系等。理解的是，包括两个特定组分的能量的关系将仅适用于包括这两个特定组分两者的发光层B。另外，关系适用于根据本专利技术的器件的事实不意指专利技术的全部器件必须包括在所述关系中所提及的全部组件。该一般说明适用于本专利技术的全部实施例。
[0018]器件架构
[0019]本领域技术人员将注意到的是，发光层B通常将被并入本专利技术的有机电致发光器件中。优选地，这种有机电致发光器件包括至少以下层：至少一个发光层B；至少一个阳极层A；以及至少一个阴极层C。
[0020]优选地，发光层B位于阳极层A与阴极层C之间。因此，一般设定优选地是A
‑
B
‑
C。这当然不排除存在一个或更多个可选地又一层。这些可以存在于A、B和/或C的每侧处。
[0021]优选地，阳极层A位于基底的表面上。基底可以由任何材料或材料的组合形成。最
常见地，玻璃载片被用作基底。可选择地，可以使用薄金属层(例如，铜、金、银或铝膜)或者塑料膜或载片。这可以允许较高程度的柔性。两个电极中的至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括发光层B，所述发光层B包括以下组分：(i)TADF材料E
B
，具有最低激发单重态能级E(S1
E
)和最低激发三重态能级E(T1
E
)；(ii)小半峰全宽(FWHM)发射体S
B
，具有最低激发单重态能级E(S1
S
)和最低激发三重态能级E(T1
S
)，其中，S
B
发射具有在440nm与480nm之间的发射最大值并且具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光；以及(iii)主体材料H
B
，具有最低激发单重态能级E(S1
H
)和最低激发三重态能级E(T1
H
)；其中，所述有机电致发光包括与所述发光层B相邻的激子管理层EXL，所述激子管理层EXL包括三重态
‑
三重态湮灭(TTA)材料。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层EXL具有小于15nm的厚度。3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层EXL具有小于10nm的厚度。4.根据权利要求1至3中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述TTA材料包括由式4表示的结构：其中，每个Ar独立地选自于由以下组成的组：C6‑
C
60
芳基，可选地取代有选自于由C6‑
C
60
芳基、C3‑
C
57
杂芳基、卤素和C1‑
C
40
(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C3‑
C
57
杂芳基，可选地取代有选自于由C6‑
C
60
芳基、C3‑
C
57
杂芳基、卤素和C1‑
C
40
(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；并且每个A1独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C6‑
C
60
芳基，可选地取代有选自于由C6‑
C
60
芳基、C3‑
C
57
杂芳基、卤素和C1‑
C
40
(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；C3‑
C
57
杂芳基，可选地取代有选自于由C6‑
C
60
芳基、C3‑
C
57
杂芳基、卤素和C1‑
C
40
(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C1‑
C
40
(杂)烷基，可选地取代有选自于由C6‑
C
60
芳基、C3‑
C
57
杂芳基、卤素和C1‑
C
40
(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基。5.根据权利要求1至4中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述相邻层EXL包括至少一个附加发射体。6.根据权利要求1至5中一...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：