一种晶体谐振器晶片的加工方法技术

本申请提供了一种晶体谐振器晶片的加工方法，所述加工方法地方步骤包括：获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片；对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片；对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片；对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片；对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片。本申请通过在多阶段打磨晶体后进行抛光，使晶体的表面进一步平整，减小了成品晶片的电阻和寄生频率噪声；使用不同精度的研磨机分步打磨可以获得更加平整的晶体表面，避免晶片因内应力过大而碎裂，工艺简单，节省时间且成本较低。节省时间且成本较低。节省时间且成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体谐振器晶片的加工方法


[0001]本申请涉及晶体加工领域，特别是一种晶体谐振器晶片的加工方法。

技术介绍

[0002]石英谐振器是指利用电信号频率等于石英晶片固有频率时，晶片因逆压电效应而产生谐振现象的原理制成的器件，是远程通讯、卫星通讯、移动电话和全球定位系统等领域的频率选择和控制使用的核心元件，以及随着当前互联网和智能家居的快速发展，尤其是5G时代的到来，石英晶体谐振器的应用领域变得越来越广阔。其中，石英晶体谐振器晶片更是石英晶体谐振器元件中最核心的部件。
[0003]随着技术的不断发展，对谐振器的性能方面要求也越来越高，低消耗低噪音的谐振器是当前的发展趋势。石英晶体谐振器的谐振电阻和寄生频率与消耗功率和噪音息息相关，且晶片表面的平整度是影响晶片电阻和寄生频率噪声的重要因素，表面平整光滑的晶片对基频副波的抑制、品质因数的提升、迟滞效应的减缓和高低温环境下的工作稳定性都有益处。
[0004]为了达到100MHz～150MHz高频五次泛音石英晶体谐振器晶片的合格标准，成品晶片的电阻需小于40Ω，寄生频率噪声需小于
‑
3DB；而现有技术的工艺不足以制作表面足够光滑的晶片，从而无法达到高频五次泛音石英晶体谐振器晶片的合格标准。

技术实现思路

[0005]鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种晶体谐振器晶片的加工方法，用于加工石英晶体谐振器晶片，包括如下步骤：
[0006]获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片；
[0007]对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片；
[0008]对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片；
[0009]对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片；
[0010]对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片。
[0011]进一步地，获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片的步骤包括：
[0012]使用AT型切割机对所述待加工晶体进行切割。
[0013]进一步地，对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片的步骤包括：
[0014]使用晶体改圆机，对所述切割晶片进行一次改圆，得到一次改圆晶片，所述一次改圆晶片的直径大于所述目标晶片的直径；
[0015]对所述一次改圆晶片进行一次磨削，其中，磨削的两平台方向垂直于晶片的光轴方向，得到所述磨削晶片。
[0016]进一步地，对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片的步骤包括：
[0017]对所述磨削晶片的表面进行第一次研磨，得到一次研磨晶片；
[0018]对所述一次研磨晶片的表面进行第二次研磨，得到二次研磨晶片；
[0019]对所述二次研磨晶片的表面进行第三次研磨，得到三次研磨晶片。
[0020]进一步地，对所述一次磨削晶片的表面进行第一次研磨，得到一次研磨晶片的步骤包括：
[0021]使用9B研磨机，对所述一次磨削晶片的表面进行研磨，得到一次研磨晶片。
[0022]进一步地，对所述一次研磨晶片的表面进行第二次研磨，得到二次研磨晶片的步骤包括：
[0023]使用6B研磨机，对所述一次研磨晶片的表面进行研磨，得到二次研磨晶片。
[0024]进一步地，对所述二次研磨晶片的表面进行第三次研磨，得到三次研磨晶片的步骤包括：
[0025]使用4B研磨机，对所述二次研磨晶片的表面进行研磨，得到三次研磨晶片。
[0026]进一步地，对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片的步骤包括：
[0027]使用4B抛光机，对所述三次研磨晶片的表面进行抛光，得到所述抛光晶片。
[0028]进一步地，对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片的步骤包括：
[0029]对所述抛光晶片进行二次改圆，得到二次改圆晶片；
[0030]对所述二次改圆晶片进行二次磨削，磨削的两平台方向垂直于晶片的光轴方向，得到所述目标晶片。
[0031]进一步地，所述切割机的切割角度为35
°
22'～35
°
24'，切割厚度为0.19mm～0.21mm。
[0032]本申请具有以下优点：
[0033]在本申请的实施例中，针对于通过现有生产工艺所加工的石英晶体谐振器晶片表面的平整度不够的问题，本申请提供了对晶体进行多阶段研磨的解决方案，具体为：“获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片；对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片；对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片；对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片；对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片。”通过在多阶段研磨晶体后进行抛光，使晶体的表面进一步平整，减小了成品晶片的电阻和寄生频率噪声。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对本申请的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本申请一实施例提供的一种晶体谐振器晶片的加工方法的流程图；
[0036]图2是本申请一实施例提供的一种晶体谐振器晶片的加工方法的晶片示意图。
[0037]说明书附图中的附图标记如下：
[0038]1、晶片直径；2、两平台间距。
具体实施方式
[0039]为使本申请的所述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请做进一步详细的说明。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]需要说明的是，在不冲突的前提下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合，本申请用于制作表面足够光滑的谐振器晶片，来减少晶片的电阻和寄生噪音声，基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0041]专利技术人通过分析现有技术发现：现有技术对晶片的减薄方式包括湿法蚀刻和研磨法，湿法蚀刻通常要将晶片浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，且需要控制腐蚀的程度，所以需要进行多次的浸泡腐蚀，耗时长且效率不高；研磨法相对于湿法蚀刻耗时少且效率高，但是晶片在打磨过程中，不可避免地会受到研磨产生的内应力，造成晶片碎裂，所以对晶片进行分步研磨打薄，可以减少晶片内部内应力的产生，减小晶片碎裂的风险。
[0042]参照图1，示出了本申请的一种晶体谐振器晶片的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：
[0043]S1、获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片。
[0044]S2、对所述切割本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体谐振器晶片的加工方法，用于加工石英晶体谐振器晶片，其特征在于，包括如下步骤：获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片；对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片；对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片；对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片；对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片。2.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片的步骤包括：使用切割机对所述待加工晶体进行AT型切割。3.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片的步骤包括：使用晶体改圆机，对所述切割晶片进行一次改圆，得到一次改圆晶片，所述一次改圆晶片的直径大于所述目标晶片的直径；对所述一次改圆晶片进行一次磨削，其中，磨削的两平台方向垂直于晶片的光轴方向，得到所述磨削晶片。4.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片的步骤包括：对所述磨削晶片的表面进行第一次研磨，得到一次研磨晶片；对所述一次研磨晶片的表面进行第二次研磨，得到二次研磨晶片；对所述二次研磨晶片的表面进行第三次研磨，得到三次研磨晶片。5.根据权利要求4所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高青，刘其胜，高少峰，
申请(专利权)人：深圳市晶峰晶体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：