【技术实现步骤摘要】
用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手及真空互联设备
[0001]本技术特别涉及一种用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手及真空互联设备,属于半导体
技术介绍
[0002]MOCVD与MBE是目前在半导体领域常用的两种外延生长设备,其特点是在高温真空环境下来实现源材料的外延生长。MBE具有原子层厚度和异质界面精准控制以及超低背景杂质和超高电子迁移率等优点,适合于以砷化物和锑化物为代表的低熔点和低温生长材料、金属材料、氧化物材料和高速器件材料;而MOCVD具有生长速率高、适合二次外延生长、生长温度高以及多片大尺寸的特点,适合于以氮化物和磷化物为代表的高温生长材料和光电子器件。很多电子器件,有源区厚度和界面需要精准控制,采用MBE更为适合,而光波导层很厚,采用MOCVD会大幅降低生长时间和成本。因此,充分两种设备的优势,可以大大提升材料的生长质量、效率以及良率。
[0003]目前要想实现两种设备的互联,即MOCVD生长完的材料转入MBE腔体内生长,或是MBE生长完的样品片转入MOCVD腔体内继续生长,主要是通过人为转移,即手工操作,这无疑要使样品片暴露在大气下,且要待其冷却方可手工取片放入待生长的腔体,这个过程难以维持真空高温,会大大污染样品片的表面,降低样品的生长质量,同时整个过程耗时耗力。因此开发一款真空高温自动化传样装置,是解决两种设备互联、提升样品生长良率的关键工作。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提供一种用于MOCVD与MBE互联设备 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于,包括:能够夹取固定、释放样品片的夹爪,所述夹爪包括沿第一方向相对设置的两个夹持臂(8),两个夹持臂(8)中的至少一者能够沿第一方向活动;每一所述夹持臂(8)具有面向另一夹持臂(8)的夹持面,所述夹持面上设置有一可供样品片的周缘区域的部分进入的限位槽(81),所述限位槽(81)的槽壁包括侧壁(810)以及槽底(820),所述侧壁(810)包括与槽底(820)直接连接的连接区域,所述连接区域倾斜设置;当所述样品片(001)的周缘区域的部分以倾斜姿态进入所述限位槽(81)内或者样品片未被夹持臂(8)对中夹持时,所述样品片(001)能够在外力作用下与所述侧壁的连接区域接触并沿所述连接区域滑动至槽底,而使所述样品片(001)被两个夹持臂(8)对中夹持,所述外力是由两个夹持臂(8)沿第一方向相向运动时与样品片(001)接触产生的。2.根据权利要求1所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述侧壁的连接区域与槽底之间的夹角为钝角。3.根据权利要求2所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述侧壁(810)包括沿第二方向相对设置的第一侧壁(811)和第二侧壁(812),所述第一侧壁(811)和第二侧壁(812)均为连续的平面,所述第一侧壁(811)和第二侧壁(812)分别与所述槽底(820)连接,并且,所述第一侧壁(811)和/或第二侧壁(812)与所述槽底(820)之间的夹角为钝角,所述第二方向与第一方向相交叉。4.根据权利要求2所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述侧壁(810)包括沿第二方向相对设置的第一侧壁(811)和第二侧壁(812),所述第一侧壁(811)和/或第二侧壁(812)包括沿第一方向依次设置的第一区域(8101)和第二区域(8102),所述第二区域(8102)与所述槽底(820)连接,并且,所述第二区域(8102)与所述第一区域(8101)、槽底(820)之间的夹角为钝角,所述第二方向与第一方向相交叉。5.根据权利要求4所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述第一区域(8101)与槽底(820)垂直。6.根据权利要求3或4所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:在第二方向上,所述限位槽(81)的槽口处具有第一高度,所述限位槽(81)的槽底处具有第二高度,其中,所述第一高度大于第二高度,所述第二高度大于或等于样品片的厚度。7.根据权利要求6所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述第一高度与样品片的厚度的差值在0.1mm以内。8.根据权利要求6所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述第二方向与第一方向垂直交叉。9.根据权利要求1所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征在于:所述限位槽的槽底(820)为与样品片的轮廓相匹配的弧形结构。10.根据权利要求9所述的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨钢,薛聪,董建荣,王庶民,
申请(专利权)人:埃特曼苏州半导体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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