器件芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供器件芯片的制造方法，与以往的方法相比，能够抑制树脂层的硬化。该器件芯片的制造方法通过将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用分割预定线进行分割而制造包含器件的器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在被加工物的正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层；以及被加工物切断步骤，在树脂层形成步骤之后，从在正面侧设置有树脂层的被加工物的背面侧沿着分割预定线将被加工物切断，由此制造器件芯片。芯片。芯片。

【技术实现步骤摘要】
器件芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及器件芯片的制造方法，将在正面侧设置有器件的板状的被加工物进行分割而制造器件芯片。

技术介绍

[0002]在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中，具有包含电子电路等的器件的器件芯片成为必须的构成要素。关于器件芯片，例如将由硅(Si)等半导体构成的晶片的正面侧利用被称为间隔道的分割预定线划分成多个区域，在各区域内形成器件，然后沿着该分割预定线将晶片分割，由此得到器件芯片。
[0003]在将晶片分割成器件芯片时，代表性地使用在主轴上安装有被称为切削刀具的环状的工具的切削装置。使切削刀具高速地旋转，一边提供纯水等液体一边沿着分割预定线从正面侧切入晶片，由此对晶片进行切削加工，分割成多个器件芯片。
[0004]有时也通过具有能够生成被晶片吸收的波长的激光束的激光振荡器的激光加工装置，将晶片分割成器件芯片。在该情况下，从晶片的正面侧对分割预定线照射利用激光振荡器生成的激光束，由此对晶片进行烧蚀加工，分割成多个器件芯片。
[0005]另外，为了将利用上述那样的方法得到的器件芯片固定于其他器件芯片或基板，有时在各器件芯片的正面侧设置被称为非导电膜(NCF：Non Conductive Film)或芯片贴装膜(DAF：Die Attach Film)等的粘接用的树脂层(例如参照专利文献1)。
[0006]在该情况下，例如在将晶片分割成多个器件芯片之前，在晶片的正面侧设置大小能够覆盖晶片的整个正面的树脂层。然后，将树脂层与晶片一起分割，由此得到在正面侧具有粘接用的树脂层的多个器件芯片。
[0007]专利文献1：日本特开2016
‑
92188号公报
[0008]上述的粘接用的树脂层以未完全硬化的状态(未硬化或半硬化的状态)设置于晶片，以便通过将器件芯片固定于对象时所施加的压力而适当地变形。但是，当利用目前的方法对晶片进行加工而分割成器件芯片时，有时树脂层因该加工时产生的热而硬化，导致无法将器件芯片适当地固定于对象。

技术实现思路

[0009]由此，本专利技术的目的在于提供器件芯片的制造方法，与以往的方法相比，能够抑制树脂层的硬化。
[0010]根据本专利技术的一个方式，提供器件芯片的制造方法，将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用该分割预定线进行分割，由此制造包含该器件的器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在该被加工物的该正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层；以及被加工物切断步骤，在该树脂层形成步骤之后，从在该正面侧设置有该树脂层的该被加工物的背面侧沿着该分割预定线将该被加工物切断，由此制造该器件芯片。
[0011]优选该器件芯片的制造方法还包含如下的树脂层分割步骤：在该被加工物切断步骤之后，对该树脂层赋予外力，由此按照该器件芯片将该树脂层分割。例如该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤：在该树脂层形成步骤之后且在该树脂层分割步骤之前，在该被加工物的该正面侧粘贴具有扩展性的带，在该树脂层分割步骤中，将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。或者该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤：在该被加工物切断步骤之后且在该树脂层分割步骤之前，在该被加工物的该背面侧粘贴具有扩展性的带，在该树脂层分割步骤中，将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。
[0012]另外，优选该器件芯片的制造方法还包含如下的保护膜形成步骤：在该被加工物切断步骤之前，在该被加工物的该背面侧形成保护膜。
[0013]另外，优选在该被加工物切断步骤中，沿着该分割预定线向该被加工物照射被该被加工物吸收的波长的激光束，由此将该被加工物切断。另外，优选该器件芯片的制造方法还包含如下的等离子蚀刻步骤：在该被加工物切断步骤之后，从该被加工物的该背面侧提供等离子状态的蚀刻气体，由此将残留于该器件芯片的加工应变或碎屑去除。
[0014]另外，优选该被加工物切断步骤包含如下的步骤：槽形成步骤，沿着该分割预定线向该被加工物照射被该被加工物吸收的波长的激光束，由此形成在该被加工物的该背面开口的槽；以及等离子蚀刻步骤，在该槽形成步骤之后，从该被加工物的该背面侧提供等离子状态的蚀刻气体，由此将该被加工物的该正面与该槽的底部之间的部分去除而将该被加工物切断。
[0015]另外，优选该器件芯片的制造方法还包含如下的掩模层形成步骤：在该被加工物切断步骤之前，在该被加工物上形成覆盖该被加工物的该背面侧的与该器件对应的区域的掩模层，在该被加工物切断步骤中，从形成有该掩模层的该被加工物的该背面侧提供等离子状态的蚀刻气体，由此将该被加工物的从该掩模层露出的部分去除而将该被加工物切断。
[0016]在本专利技术的一个方式的器件芯片的制造方法中，在对被加工物的正面侧形成了包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层之后，从被加工物的背面侧沿着分割预定线将被加工物切断，因此与从正面侧将被加工物切断的情况相比，热难以传递至设置于正面侧的树脂层。由此，根据本专利技术的一个方式的器件芯片的制造方法，与以往的方法相比，能够抑制树脂层的硬化。
附图说明
[0017]图1是示出被加工物的立体图。
[0018]图2是示出粘贴有具有扩展性的带的被加工物的立体图。
[0019]图3是示出在被加工物的背面侧涂布保护膜的原料的情况的剖视图。
[0020]图4是示出在背面侧形成有保护膜的被加工物的剖视图。
[0021]图5是示出对被加工物照射激光束的情况的剖视图。
[0022]图6是示出切断后的被加工物的剖视图。
[0023]图7是示意性示出向被加工物提供等离子状态的蚀刻气体的情况的剖视图。
[0024]图8是示出将带扩展的情况的剖视图。
[0025]图9是示出树脂层被分割的状态的剖视图。
[0026]图10是示出形成了槽之后的被加工物的剖视图。
[0027]图11是示意性示出等离子处理装置的剖视图。
[0028]图12是示出形成了掩模层之后的被加工物的剖视图。
[0029]标号说明
[0030]11：被加工物；11a：正面；11b：背面；11c：槽；13：间隔道(分割预定线)；15：器件；21：树脂层；21a：小片；23：带；25：框架；25a：开口部；27：原料；29：保护膜；31：激光束；33：器件芯片；35：掩模层；2：旋涂机；4：旋转工作台；4a：上表面(保持面)；4b：流路；6：夹具；8：喷嘴；12：激光加工装置；14：卡盘工作台；14a：上表面(保持面)；14b：流路；16：夹具；18：激光加工头；22：等离子处理装置；24：腔室；24a：侧壁；24b：开口部；24c：底壁；24d：上壁；26：罩；28：开闭机构；30：配管；32：减压单元；34：工作台基座；34a：吸引路；34b：流路；36：保持部；38：支承部；40：卡盘工作台；42：绝缘部；42a：吸引路；44：电极；46：DC电源；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件芯片的制造方法，将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用该分割预定线进行分割，由此制造包含该器件的器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在该被加工物的该正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层；以及被加工物切断步骤，在该树脂层形成步骤之后，从在该正面侧设置有该树脂层的该被加工物的背面侧沿着该分割预定线将该被加工物切断，由此制造该器件芯片。2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法还包含如下的树脂层分割步骤：在该被加工物切断步骤之后，对该树脂层赋予外力，由此按照该器件芯片将该树脂层分割。3.根据权利要求2所述的器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤：在该树脂层形成步骤之后且在该树脂层分割步骤之前，在该被加工物的该正面侧粘贴具有扩展性的带，在该树脂层分割步骤中，将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。4.根据权利要求2所述的器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法还包含如下的带粘贴步骤：在该被加工物切断步骤之后且在该树脂层分割步骤之前，在该被加工物的该背面侧粘贴具有扩展性的带，在该树脂层分割步骤中，将该带扩展由此对该树脂层赋予外力而将该树脂层分割。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法还包含如下的保护膜形成步...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川雄辉，渡部晃司，桥本一辉，青柳元，小林正和，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：