本发明专利技术提供一种感测放大器、存储器装置及感测方法，该感测放大器适用于一只读存储器。该感测放大器包括比较器以及选择单元。比较器对一位线电压以及一参考电压进行比较，以得到一输出数据。选择单元根据输出数据选择一第一电压以及一第二电压中的一个，以作为参考电压。包含本发明专利技术的感测放大器以及只读存储器的存储器装置可降低噪声干扰对只读存储器的输出数据的影响。此外，如果输出数据的初始值有错误时，存储器装置亦可将错误的输出数据修正为正确的输出数据。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种感测放大器，特别是有关于一种只读存储器(Readonly Memory, ROM)的感测放大器。
技术介绍
只读存储器是一种常见的半导体储存装置，其为一种只能读取数据的存储器。因 此，一旦数据被储存在只读存储器内就无法轻易将数据改变或删除。 一般而言，只读存储器 常被使用于电子装置或计算机系统中，以避免电源关闭而造成储存数据的消失。 图1是显示一种只读存储器的示意图。在图1中，存储单元MO及存储单元M1位 于同一位线BL上，其中存储单元MO由字元线WL0所控制，而存储单元M1由字元线WL1所 控制。 一般而言，在读取只读存储器的数据时，必须检测所读取的存储单元的状态为开路状 态(如存储单元M1所显示)或是短路状态(如存储单元MO所显示)。此外，随着只读存储 器容量的增加，连接于位线BL的存储单元的数量也会跟着增加。 传统上，对只读存储器进行读取时，可使用感测放大器从只读存储器中所读取的 位线BL得到电压VBp图2显示一种传统感测放大器200。感测放大器200包括比较器210 以及锁相器(latch) 220。比较器210可对电压V^以及参考电压V^进行比较，并得到其比 较结果D。mp。接着，锁相器220会根据信号&ateh锁住比较结果D p，并提供对应于比较结果 D，的输出数据D。ut至输出缓冲器。然而，当位线BL上存储单元的数量增加时，位线BL上 的寄生电容也会跟着增加。因此，对位线BL而言，其容易受到电源端或接地端的噪声的干 扰，例如电源/接地弹跳(power/ground bounce)问题。对具有低操作电压功能的只读存 储器而言，噪声干扰的问题会明显更严重。参考图3，当读取只读存储器时，由于噪声对电源 端或接地端的干扰，感测放大器200可能会从只读存储器的位线BL上得到具有弹跳现象的 电压V^。接着，比较器210会将该电压V^与参考电压V^进行比较。然后，锁相器220会 根据信号&ateh将错误的比较结果D。mp锁住，并提供错误的输出数据D。ut至输出缓冲器。因 此，一旦错误的数据被锁定时，感测放大器200无法将错误的数据回复成正确的数据，并提 供至输出缓冲器。
技术实现思路
本专利技术提供一种感测放大器，适用于一只读存储器。上述感测放大器包括一比较 器，用以比较一位线电压以及一参考电压，以得到一输出数据；以及，一选择单元，用以根据 上述输出数据而选择一第一电压以及一第二电压中的一个以作为上述参考电压。 再者，本专利技术提供一种存储器装置，包括一只读存储器，具有多个存储单元配置 于一位线上；以及，一感测放大器。上述感测放大器包括一转换单元，用以将上述位线的 一电流转换成一位线电压；一比较器，用以比较上述位线电压以及一参考电压，以得到一输 出数据；以及一选择单元，用以根据上述输出数据而选择一第一电压以及一第二电压中的 一个以作为上述参考电压，其中上述第一电压大于上述第二 压。 再者，本专利技术提供一种感测方法，用以从一只读存储器的一位线感测出一输出数 据。上述感测方法包括将上述位线的一电流转换成一位线电压；根据上述输出数据，选择 一第一电压以及一第二电压中的一个以作为一参考电压；以及，将上述位线电压以及上述 参考电压进行比较，以得到上述输出数据。 包含本专利技术的感测放大器以及只读存储器的存储器装置可降低噪声干扰对只读 存储器的输出数据的影响。此外，如果输出数据的初始值有错误时，存储器装置亦可将错误 的输出数据修正为正确的输出数据。附图说明图1是显示一种只读存储器的示意图； 图2是显示一种传统感测放大器；图3是显示显示图2中感测放大器内部信号的波形图； 图4是显示根据本专利技术一实施例所述的感测放大器； 图5是显示图4中感测放大器内部信号的波形图；以及 图6是显示根据本专利技术一实施例所述的感测方法。 附图标号200、400 感测放大器；220 锁相器；选择单元； 输出数据；430D。ut IRI '电浐1LS602-S606 步骤； V^ 位线电压； V^ 参考电压；以及210、420 比较器;410 转换单元； BL 位线；M1、M2 存储单元；Dcmp 比较结果；SLatch fe5 ; VH、、 电压；WL0、WL1 字元线。具体实施例方式为让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施 例，并配合所附图式，作详细说明如下 实施例 图4是显示根据本专利技术一实施例所述的感测放大器400。感测放大器400包括转 换单元410、比较器420以及选择单元430。当对只读存储器进行读取时，转换单元410可 将只读存储器中位线上的电流^转换成位线电压V"比较器420可对位线电压以及 参考电压Lf进行比较，以产生输出数据D。ut。在此实施例中，当位线电压V^大于参考电压 Vref时，输出数据D。ut为高电压位准。反之，当参考电压Vref大于位线电压时，输出数据 D。ut为低电压位准。选择单元430可根据输出数据D。ut将比较器420的负输入端耦接于电 压、或是电压VH，其中电压VH大于电压、。因此，根据输出数据D。ut，选择单元430可选择 将电压VH当作为参考电压Vref，或是将电压、当作为参考电压VMf。在此实施例中，当输出 数据D。ut为高电压位准时，选择单元430会将比较器420的负输入端耦接于电压、，以便将 电压、当作为参考电压VMf。当输出数据D。ut为低电压位准时，选择单元430会将比较器420的负输入端耦接于电压VH，以便将电压VH当作为参考电压Vref。 参考图5，图5是显示图4中感测放大器内部信号的波形图。在周期1\以及周期 T2内，位线BL受到电源端或是接地端上噪声(例如输出缓冲器动作时所产生的噪声)的干 扰，因此造成电流IBl有弹跳(bounce)或震荡的现象出现。经由转换单元410，电流I肌被 转换成位线电压V"同时，电流U上的弹跳现象亦被放大，使得位线电压V上的弹跳现 象更加明显。在周期1\的期间内，由于输出数据D。ut为低电压位准，所以选择单元430会 将电压VH当作为参考电压VMf。因此，比较器420会将位线电压V肌与电压VH进行比较，而非电压、。由于位线电压v上的弹跳电压并不会高于电压v"所以感测放大器所提供的输出数据D。ut并不会被位线BL上的噪声所干扰，即输出数据D。ut不会在周期L的期间内变为 高电压位准。相同地，在周期L的期间内，由于输出数据D。ut为高电压位准，所以选择单元 430会将电压、当作为参考电压VMf。因此，比较器420会将位线电压V肌与电压、进行比较，而非电压Vp由于位线电压v上的弹跳电压并不会低于电压、，所以感测放大器所提供的输出数据D。ut并不会被位线BL上的所干扰，即输出数据D。ut不会在周期T2的期间内变 为低电压位准。 在一实施例中，本专利技术的感测放大器可设置于集成电路内。对集成电路而言，随着 芯片尺寸以及应用复杂度的增加，其电源端以及接地端上的噪声干扰亦会跟着增加。因此， 在集成电路中，一种包含本专利技术的感测放大器以及只读存储器(例如光掩膜式只读存储器 (MaskR0M))的存储器装置可降低噪声干扰对只读存储器的输出数据的影响。此外，如果输 出数据的初始值有错误时，存储器装置亦可将错误本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种感测放大器，适用于一只读存储器，其特征在于，所述感测放大器包括：一比较器，用以比较一位线电压以及一参考电压，以得到一输出数据；以及一选择单元，用以根据所述输出数据而选择一第一电压以及一第二电压中的一个以作为所述参考电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑞隆，陈伟松，钟毅勋，张家铨，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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