一种抵消高阻节点耦合的方法技术

本申请公开了一种抵消高阻节点耦合的方法，包括步骤1：高阻节点一侧存在耦合时，在高阻节点另一侧设置基于MOS管的反向耦合电路；步骤2：设置反向耦合电路的MOS管尺寸，使高阻节点两侧叠加到高阻节点的正、负耦合量相互抵消，进而使高阻节点电压不会受到尾电流源变化的影响，可提高系统稳定性。可提高系统稳定性。可提高系统稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种抵消高阻节点耦合的方法


[0001]本专利技术属于电路设计
，涉及一种抵消高阻节点耦合的方法。

技术介绍

[0002]模拟电路中，运放或比较器尾电流输入端存在切换电流时，高阻节点会通过寄生电容耦合其他节点的电压变化，通常增加去耦电容解决这一问题。
[0003]但是在高阻节点对地加电容会引入额外的极点，会对系统的稳定性造成影响。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中的不足，本申请提供一种抵消高阻节点耦合的方法。
[0005]为了实现上述目标，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]一种抵消高阻节点耦合的方法，包括以下步骤：
[0007]步骤1：高阻节点一侧存在耦合时，在高阻节点另一侧设置基于MOS管的反向耦合电路；
[0008]步骤2：设置反向耦合电路的MOS管尺寸，使高阻节点两侧叠加到高阻节点的正、负耦合量相互抵消。
[0009]本专利技术进一步包括以下优选方案：
[0010]优选地，步骤1中，所述高阻节点一侧存在耦合，其耦合电路为折叠共源共栅结构或套筒结构。
[0011]优选地，步骤1中，所述高阻节点一侧存在耦合，其耦合电路包括PMOS管Mp1、Mp2、Mn3、Mn4；
[0012]所述Mp1、Mp2的源极连接电流源Is1的输出端，Mp1、Mp2的漏极分别连接Mn3、Mn4的漏极，Mn3、Mn4的源极均接地，Mn3的漏极和栅极均连接Mn4的栅极，Mp1的栅极连接电容C1的一端和基准电压Vref，Mp2的栅极连接高阻节点。
[0013]优选地，步骤1中，所述反向耦合电路包括PMOS管Mp5和NMOS管Mn1；
[0014]所述Mp5的源极连接电流源Is1的输出端，Mp5的栅极和漏极均连接Mn1的漏极，Mn1的栅极连接高阻节点，Mn1的源极连接电流源Is2的输入端。
[0015]优选地，步骤2中，当电流源Is1的输出电流由电流I1变化到电流I2时，调节NMOS管Mn1的宽长比W/L，使高阻节点一侧存在的耦合引起高阻节点电压V
FB
的变化ΔV1与反向耦合电路引起高阻节点电压V
FB
的变化ΔV2相等。
[0016]本申请所达到的有益效果：
[0017]本专利技术在高阻节点一侧存在耦合时，在高阻节点另一侧设置基于MOS管的反向耦合电路；设置反向耦合电路的MOS管尺寸，使高阻节点两侧叠加到高阻节点的正、负耦合量相互抵消，进而使得高阻节点不会受到尾电流源变化的影响，提高了系统稳定性。
附图说明
[0018]图1是本专利技术一种抵消高阻节点耦合的方法流程图；
[0019]图2是本专利技术实施例电路图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本申请作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本申请的保护范围。
[0021]如图1所示，本专利技术的一种抵消高阻节点耦合的方法，包括以下步骤：
[0022]步骤1：高阻节点一侧存在耦合时，在高阻节点另一侧设置基于MOS管的反向耦合电路；
[0023]具体实施时，所述高阻节点一侧存在耦合，其耦合电路可以为折叠共源共栅结构或套筒结构。
[0024]如图2所示，具体实施时，高阻节点一侧存在耦合，其耦合电路包括PMOS管Mp1、Mp2、Mn3、Mn4；
[0025]所述Mp1、Mp2的源极连接电流源Is1的输出端，Mp1、Mp2的漏极分别连接Mn3、Mn4的漏极，Mn3、Mn4的源极均接地，Mn3的漏极和栅极均连接Mn4的栅极，Mp1的栅极连接电容C1的一端和基准电压Vref，Mp2的栅极连接高阻节点。
[0026]所述反向耦合电路包括PMOS管Mp5和NMOS管Mn1；
[0027]所述Mp5的源极连接电流源Is1的输出端，Mp5的栅极和漏极均连接Mn1的漏极，Mn1的栅极连接高阻节点，Mn1的源极连接电流源Is2的输入端。
[0028]步骤2：设置反向耦合电路的MOS管尺寸，使高阻节点两侧叠加到高阻节点的正、负耦合量相互抵消。
[0029]Mp2，Mn1的Cgs和WL成正比，Is1、Is 2的变化通过Mn1 Mp2的Cgs在Vfb点形成相应的ΔV1和ΔV2的变化，通过调整WL使ΔV1＝ΔV2。
[0030]具体的：
[0031]当电流源Is1的输出电流由电流I1变化到电流I2时，调节NMOS管Mn1的宽长比W/L，使高阻节点一侧存在的耦合引起高阻节点电压V
FB
的变化ΔV1与反向耦合电路引起高阻节点电压V
FB
的变化ΔV2相等。
[0032]根据图2，电流源I1
→
I2时：Mp1单独引起V
FB
的变化为ΔV1，Mn1单独引起V
FB
的变化为ΔV2，通过调整Mn1的W/L，使ΔV1＝ΔV2，最终I1
→
I2的变化不会影响高阻节点电压V
FB
，即通过引入Mn1去产生和Mp1相反的变化量，通过设计Mn1的尺寸使得叠加到高阻节点的正负耦合量相等，进而使高阻节点不会受到尾电流源I1到I2变化的影响。
[0033]本专利技术申请人结合说明书附图对本专利技术的实施示例做了详细的说明与描述，但是本领域技术人员应该理解，以上实施示例仅为本专利技术的优选实施方案，详尽的说明只是为了帮助读者更好地理解本专利技术精神，而并非对本专利技术保护范围的限制，相反，任何基于本专利技术的专利技术精神所作的任何改进或修饰都应当落在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抵消高阻节点耦合的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤1：高阻节点一侧存在耦合时，在高阻节点另一侧设置基于MOS管的反向耦合电路；步骤2：设置反向耦合电路的MOS管尺寸，使高阻节点两侧叠加到高阻节点的正、负耦合量相互抵消。2.根据权利要求1所述的一种抵消高阻节点耦合的方法，其特征在于：步骤1中，所述高阻节点一侧存在耦合，其耦合电路为折叠共源共栅结构或套筒结构。3.根据权利要求1所述的一种抵消高阻节点耦合的方法，其特征在于：步骤1中，所述高阻节点一侧存在耦合，其耦合电路包括PMOS管Mp1、Mp2、Mn3、Mn4。4.根据权利要求3所述的一种抵消高阻节点耦合的方法，其特征在于：所述Mp1、Mp2的源极连接电流源Is1的输出端，Mp1、Mp2的漏极分别连接Mn3、Mn4的漏极，Mn3、Mn4的源极均接地，Mn3的漏极和栅极均连接Mn4的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖飞，于翔，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：