一种有机磷光发光材料及发光器件制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光显示技术领域，具体公开了一种新型的有机磷光发光材料，以及采用该发光材料制备的有机电致发光器件。本发明专利技术提供的有机磷光发光材料包括第一金属配合物和第二金属配合物，所述第一金属配合物和第二金属配合物分别独立地选自(H)

【技术实现步骤摘要】
一种有机磷光发光材料及发光器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光显示
，具体公开了一种新型的有机磷光发光材料，以及采用该发光材料制备的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电子器件包括但不限于下列种类：有机发光二极管(OLEDs)，有机场效应晶体管(O
‑
FETs)，有机发光晶体管(OLETs)，有机光伏器件(COPVs)，染料
‑
敏化太阳能电池(DSSCs)，有机光学检测器，有机光感受器，有机场效应器件(OFQDs)，发光电化学电池(LEGS)，有机激光二极管和有机电浆发光器件。
[0003]1987年，美国伊士曼柯达公司的Tang等首次报道了由双层有机薄膜制成的绿色电致发光器件，器件以氧化铟锡(ITO)作为阳极，在阳极上蒸镀一层厚度为75nm的非晶无针孔芳族二胺薄膜，用作空穴传输，接着在芳族二胺的薄膜上再镀一层厚度为60nm的8
‑
羟基喹啉铝薄膜，用作电子传输层兼发光层，以镁银合金作为阴极，此双层膜结构成功地将启亮电压降低至5.5V，实现了高辐射发光(>1000cd
·
m
‑2)，波长为550nm，外量子效率达到1.0％，具有极大的实用意义。1994年，日本的Kido等首次制备了发白光的有机电致发光器件。他们将蓝、绿、橙3种颜色的荧光染料掺杂在聚(N
‑
乙烯基咔唑)(PVK)薄膜中作为空穴传输层兼发射层，将1,2,4
‑
三唑衍生物(TAZ)作为空穴阻挡层，8
‑
羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层，器件组成为:玻璃基板/ITO/PVK/TAZ/Alq3/Mg:Ag的多层结构，在14V的驱动电压下，获得了覆盖可见光区域范围广且亮度高达3400cd
·
m
‑2的白光发射，这种高亮度的白色发射是通过在聚合物薄膜中掺杂多种颜色的荧光化合物构成单发光层来实现的。Kido等人的这一发现为有机电致发光的应用增添了浓墨重彩的一笔，打开了有机发光器件在照明领域的大门，推动了有机发光器件的进一步发展。
[0004]有机电致发光器件发出的光也分为荧光和磷光，通过单线态的激子所具备的能量发出的光为荧光，而同时通过单线态和三线态的激子所具备的能量发出的光为磷光。因为激子形成的单线态和三线态的数量有固定值之比为1：3，所以从理论方面来说只单单利用单线态激子的荧光器件的内量子效率最高也只有25％，而相反发出磷光时的内量子效率则能够达到100％。
[0005]目前，具有磷光发射的有机金属配合物及有机电致发光器件均有报道，但在许多应用如TV和照明设备中，OLED寿命是不足的，并且仍需要更高效率的OLED。典型地，OLED的亮度越高，OLED的寿命越短。因此，对于长时间使用和高分辨率的显示器而言，需要具有高发光效率且长寿命的OLED。
[0006]现有技术中公开了大量磷光发光材料，这些材料应用于有机电致发光器件中时，有的寿命较长，有的外量子效率较高，但往往在寿命和效率两项性能上不能兼而有之，在实际应用中还需要针对需求进行取舍。
[0007]针对以上问题，本专利技术通过深入研究，以期提供一种综合性能改善的有机电致发光器件。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于开发一种新的有机磷光发光材料，通过第一金属配合物和第二金属配合物两种不同金属配合物的组合使用，得到多种客体发光材料共同掺杂的发光层，可以使制得的有机电致发光器件获得更低的电压，更高的发光效率和更长的寿命，能显著提高器件的性能。
[0009]具体而言，第一方面，本专利技术提供了一种有机磷光发光材料，包括第一金属配合物和第二金属配合物，所述第一金属配合物和第二金属配合物分别独立地选自(H)
n
‑
Ir
‑
L
(3
‑
n)
结构所示的化合物，且第一金属配合物和第二金属配合物不相同；
[0010]其中，H具有通式(I)所示的结构：
[0011][0012]通式(I)中，环A、环B、环C和环D各自独立地选自具有5
‑
18个碳原子的碳环或具有3
‑
18个碳原子的杂碳环；
[0013]Rx1、Rx2、Rx3、Rx4各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基，和/或，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；
[0014]m1、m2、m3、m4各自独立地表示0～5的整数；
[0015]L为一价二配位阴离子，结构式为其中键接原子X、Y分别独立地选自氧原子、氮原子、碳原子；
[0016]n表示1、2或3；
[0017]其中“﹡”代表键接位。
[0018]作为本专利技术一种实施方案，所述H具有通式(I
‑
1)或通式(I
‑
2)所示的结构：
[0019][0020]通式(I
‑
1)或通式(I
‑
2)中，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4，m1、m2、m3、m4如上述所定义；
[0021]X1～X5各自独立地选自O、S、N或CRy；
[0022]Ry选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基。
[0023]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述H具有任一下列通式所示的结构：
[0024][0025]式I
‑1‑
1、I
‑1‑
2、I
‑2‑
1、I
‑2‑
2、I
‑2‑
3中，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4、Ry各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基；
[0026]m1、m2、m3、m4各自独立地表示0～5的整数；当m1、m2、m3、m4表示2或以上的整数时，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；
[0027]式I
‑2‑
4中，Rx2、Rx3、Rx4各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基；
[0028]m2、m3、m4各自独立地表示0～5的整数；当m2、m3、m4表示2或以上的整数时，Rx2、Rx3、Rx4中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；
[0029]R1、R2、R3各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨
基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基，和/或，R1、R2、R3中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；
[0030]作为本专利技术一种优选的实施方案，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4、Ry各自独立地选自本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机磷光发光材料，其特征在于，包括第一金属配合物和第二金属配合物，所述第一金属配合物和第二金属配合物分别独立地选自(H)
n
‑
Ir
‑
L
(3
‑
n)
结构所示的化合物，且第一金属配合物和第二金属配合物不相同；其中，H具有通式(I)所示的结构：通式(I)中，环A、环B、环C和环D各自独立地选自具有5
‑
18个碳原子的碳环或具有3
‑
18个碳原子的杂碳环；Rx1、Rx2、Rx3、Rx4各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基，和/或，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；m1、m2、m3、m4各自独立地表示0～5的整数；L为一价二配位阴离子，结构式为其中键接原子X、Y分别独立地选自氧原子、氮原子、碳原子；n表示1、2或3。2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述H具有任一下列通式所示的结构：
式I
‑1‑
1、I
‑1‑
2、I
‑2‑
1、I
‑2‑
2、I
‑2‑
3中，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4、Ry各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基；m1、m2、m3、m4各自独立地表示0～5的整数；当m1、m2、m3、m4表示2或以上的整数时，Rx1、Rx2、Rx3、Rx4中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；式I
‑2‑
4中，Rx2、Rx3、Rx4各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基；m2、m3、m4各自独立地表示0～5的整数；当m2、m3、m4表示2或以上的整数时，Rx2、Rx3、Rx4中
相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；R1、R2、R3各自独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、氰基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基，和/或，R1、R2、R3中相邻的取代基可以通过桥连形成并环结构；优选地，所述H选自以下任一所示的结构：
3.根据权利要求1或2所述的发光材料，其特征在于，所述L选自式La或式Lb所示的基团：其中：式La中，R
12
～R
19
分别独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基，和/或，R
12
～R
19
中相邻的取代基通过桥连形成并环结构；和/或，式Lb中，R
20
～R
26
分别独立地选自氢原子、氘原子、烷基、氘代烷基、烷氧基、烷基氨基、烷硫基、氟原子、三氟甲基、芳香基和杂环芳香基，和/或，R
20
～R
26
中相邻的取代基通过桥连形成环状结构；
优选地，所述L选自以下任一所示的结构：4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的发光材料，其特征在于，所述第一金属配合物和第二金属配合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：呼建军，石志亮，梁现丽，李小赢，张朝霞，杭德余，
申请(专利权)人：北京云基科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：