制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造半导体装置的方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中沉积应用于材料上的一个或多个半导体晶圆内的工艺腔室；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗和工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室，流向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导流动清洗气体的第一部分以第一轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第一端并且引导流动清洗气体的第二部分以第二轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。第二端与第一端相对。第二端与第一端相对。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板


[0001]本专利技术涉及一种制造半导体装置的方法及应用于其的工艺腔室与清洗气体导流板。

技术介绍

[0002]以下内容关于半导体技术，尤其关于用于半导体装置的制造和/或半导体晶圆的处理的方法和设备；到用来沉积碳氧化硅(SiCO)材料的工艺腔室的清洗；以及相关技术。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种制造半导体装置的方法。方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中将材料沉积于工艺腔室内的一个或多个半导体晶圆；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室且朝向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导撞击其上的流动清洗气体的第一部分以第一轨迹朝向工艺腔室的第一端并且引导撞击其上的流动清洗气体的第二部分以第二轨迹朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。
[0004]本申请提供一种用于沉积材料于一个或多个半导体晶圆的工艺腔室，工艺腔室包括：多个安装结构，每个安装结构布置成在其顶部选择性地接收半导体晶圆；一个或多个喷头，使工艺气体从它引入至工艺腔室，以在放置在多个安装结构上的一个或多个半导体晶圆上形成材料的薄膜；一个端口，使清洗气体从它流述工艺腔室；以及导流板具有中心枢纽、外围和在中心枢纽和外围之间延伸的第一表面，第一表面面向端口，并且沿着导流板的平分横截面，第一表面由至少两个在其间具有反曲点的弧定义，至少两个弧包括一个第一弧，它是中心枢纽和反曲点之间的第一方向中的凹，和第二弧，它是反曲点和外围之间的第二方向中的凹，第二方向与第一方向相对。
[0005]本申请提供一种清洗气体导流板，它使流入半导体工艺腔室的清洗气体偏转，其中容纳了在其上选择性地放置一个或多个半导体晶圆以在其上形成层和材料的多个安装结构。清洗气体导流板包括：中心枢纽，中心垂直轴延伸穿过该中心枢纽；外围；以及在中心枢纽和外围之间延伸的第一表面，其中第一表面具有：(i)在其中的一个或多个凹坑，每个凹坑至少部分地由向上凹的第一拋物线弧限定，和(ii)在其中的一个或多个脊，每个脊至少部分由向下凹的第二拋物线弧定义。
附图说明
[0006]结合随附图式阅读以下具体描述会最佳地理解本揭露内容的态样。需要注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并不是按比例绘制。事实上，可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A和1B图解分别示出了用于根据本揭露的一些实施例用于在半导体晶圆或基
底上执行原子层沉积(ALD)或其他类似材料沉积工艺的多站工艺腔室的部分分解的侧视图和透视视图，其中某些元件和/或表面部分显示为透明的以揭露其内部结构和/或表面。
[0008]图2图解示出了呈现图1A和图1B中所示的工艺腔室的上或顶端或部分的部分天花板的透视视图。
[0009]图3图解示出了根据本揭露的一些实施例的清洗气体导流板的透视视图。
[0010]图4A和4B图解示出了部分局部透视视图，其呈现出包括主轴(图4A)的图1A和1B中所示的工艺腔室的下或底端或部分，以及主轴(图4B)的透视隔离视图。
[0011]图5图解示出了沿图3中横截面线5
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5截取所示的清洗气体导流板的横截面视图。
[0012]图6A至图6D是图解示出呈现图3中所示的导流板的各种透视视图，其中沿相应的横截面线截取的相应的切面被从其中去除。更具体来说、图6A示出了沿横截面线A
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A切开的部分导流板的透视视图，图6B示出了沿横截面线B
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B切开的部分导流板的透视视图，图6C示出了沿横截面线C
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C切开的部分导流板的透视视图，以及图6D示出了部分沿横截面线D
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D切开的部分导流板的透视视图。
[0013]图7A和7B示出了用于具有平坦指标板材(图7A)与具有导流板板材(图7B)的工艺腔室的清洗期间的清洗气流的气流模拟。
[0014]图8是示出根据本揭露的一些实施例的半导体工艺方法的流程图，举例来说，利用具有图3的导流板安装于其中的图1A和图1B的工艺腔室。
[0015]图9图解示出了根据本揭露的一些实施例的半导体工艺系统，举例来说，包括具有图3的导流板安装于其中的图1A和图1B的工艺腔室。
具体实施方式
[0016]以下揭露内容提供用以实施本专利技术的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述组件与配置的具体实例以简化本揭露内容。当然，此等实例并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征形成于第二特征上方获第二特征上可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭露内容可在各种实例中重复附图标号及/或字母。这种重复是为了简单和明确的目的，它本身并不规定所讨论的各种实施例和/或组态之间的关系。
[0017]此外，为易于描述，可在本文中使用诸如「左(left)」、「右(right)」、“侧(side)」、「后(back)」、「背(rear)」、「在...之后(behind)」、「前(front)」、「在...之下(beneath)」、「在...下方(below)」、「下部(lower)」、「在...之上(above)」、「上部(upper)」以及类似者的空间相对术语来描述如在图式中所示出的一个部件或特征与另一部件或特征的关系。除图式中所描绘的定向之外，空间相对术语还意欲涵盖元件在使用或操作中的不同定向。设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解释。
[0018]一般而言，半导体装置、举例来说，例如金属
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氧化物
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半导体场效电晶体(MOS
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FET)装置、鳍式场效电晶体(FinFET)装置、环绕式闸极场效电晶体(GAA
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FET)装置、积体电路(IC)等在半导体制造工厂(通常称为FAB或铸造厂)中由半导体晶圆和/或适宜的基底上制作和/或制造。通常将许多工艺步骤应用于半导体晶圆或基底，以在晶圆或适宜的基底上
产生所需的半导体装置和/或大量半导体装置。举例来说、在电子电路和/或半导体装置逐渐在半导体晶圆上产生的期间，半导体制造可以是微影、机械和/或化学工艺步骤(举例来说，如表面钝化、热氧化、平面扩散、接面隔离等)的多个接续步骤。因此，发生制造的FAB清洗室或其他类似的空间通常包含许多个单独的机器和/或用于半导体装置生产的工具、举例来说(但不限于)，例如用于微影的步进机和/或扫描器还有用于材料沉积、蚀刻、清洗、掺杂、测试、检查等的工具和装载用于临时分期和/或储存的半导体晶圆的端口或其类似物。在制造工艺期间，半导体晶圆通常在工具之间运输和/或以其他方式转移到和/或从各种工具和/或设备具有机器械手臂或其类似物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；应用工艺到所述半导体晶圆，其中沉积材料在所述工艺腔室内的所述一个或多个半导体晶圆上；以及清洗所述工艺腔室，其中所述清洗包括：将清洗气体流向所述工艺腔室朝向设置在所述工艺腔室中的导流板，所述导流板具有第一表面，其中流过的所述清洗气体撞击其上，所述第一表面引导所述清洗气体的第一部分在第一轨迹上朝向所述工艺腔室的第一端，并且所述清洗气体的第二部分在第二轨迹上朝向所述工艺腔室的第二端，所述第二端与所述第一端相对。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导流板具有中心枢纽和外围，所述第一表面在其间延伸，并且沿着所述导流板的平分横截面，所述第一表面由至少两个弧定义，其间具有反曲点，所述至少两个弧，包括第一弧，在所述中心枢纽和所述反曲点之间的第一方向中是凹，以及第二弧，在所述反曲点和所述外围之间的第二方向中是凹的，所述第二方向与所述第一方向相对。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一表面具有多个拋物线凹坑，其作用是引导撞击其上的流动所述清洗气体的所述第一部分在所述第一轨迹中朝向所述工艺腔室的所述第一端，以及多个拋物线脊，其作用是引导撞击其上的流动所述清洗气体的所述第二部分在所述第二轨迹中朝向所述工艺腔室的所述第二端。4.一种用于沉积材料于一个或多个半导体晶圆的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括：多个安装结构，每一所述安装结构布置成在其顶部选择性地接收半导体晶圆；一个或多个喷头，使工艺气体从它引入至所述工艺腔室，以在放置在所述多个安装结构上的所述一个或多个半导体晶圆上形成材料的薄膜；端口，使清洗气体从它流入所述工艺腔室；以及具有中心枢纽、外围和在所述中心枢纽和外围之间延伸的第一表面的导流板，所述第一表面面向所述端口，并沿所述导流板的平分横截面，所述第一表面由具有反曲点在其间的至少两个弧定义，所述至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑光伟，黄宋儒，刘勇村，李志聪，倪其聪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：