引线框架及封装结构制造技术

本申请实施例公开了一种引线框架及封装结构，所述引线框架通过在承载面上划定焊接区，在焊接区内设置用以将芯片固定安装在承载面上的焊料层，并在承载面上开设凹槽，凹槽沿焊接区的外周向围绕至少部分焊接区，从而在芯片通过焊料层倒装贴装到引线框架的承载面时，焊料层中外溢的焊料可流淌至凹槽并存储于凹槽内，从而避免外溢的焊料堆积导致芯片的源极和/或栅极与芯片的漏极接触而导致短路或漏电，通过对外溢焊料引流的方法，解决焊料外溢导致的短路或漏电的问题，而且凹槽的开设工艺简便，可有效降低成本，提升半导体器件的使用稳定性和使用安全性。稳定性和使用安全性。稳定性和使用安全性。

【技术实现步骤摘要】
引线框架及封装结构


[0001]本申请涉及半导体器件封装
，具体涉及一种引线框架及封装结构。

技术介绍

[0002]对于需要倒装贴装到引线框架上的芯片，需要在引线框架对应的源极区域和栅极区域刷上焊接材料(solder paste)，用来完成倒装焊接。但由于焊接材料在高温回流中呈现液体流动状态，会沿着引线框架流淌累积，产生焊料外溢的现象，焊料累积到一定高度会接触到芯片的侧面(漏极)，使得源极和漏极连通，或使得栅极和漏极连通，造成短路(short)或漏电(leakage)。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种引线框架及封装结构，可以解决现有倒装贴装芯片在与引线框架组装过程中容易引起短路或者漏电的问题。
[0004]本申请实施例提供一种引线框架，包括：基座，所述基座具有用以承载芯片的承载面，所述承载面上划定有焊接区；焊料层，设置于所述焊接区，以将所述芯片固定在所述承载面上；其中，所述承载面上沿所述基座的厚度方向开设有凹槽，所述凹槽位于所述焊接区外侧并沿所述焊接区的外周向围绕至少部分所述焊接区，以收容自所述焊接区外溢的焊料。
[0005]可选的，所述凹槽与所述焊接区间隔排布。
[0006]可选的，所述凹槽与所述焊接区的边界相接。
[0007]可选的，所述凹槽包括槽口和内底壁，所述槽口与所述内底壁沿所述厚度方向相对设置；所述槽口与所述内底壁之间的间距为H1，所述基座的厚度为H2，满足：H1＝(1/3～1/2)
×
H2。
[0008]可选的，所述凹槽的槽口的宽度为H3，满足：H3＝(1/2～1)
×
H2。
[0009]可选的，所述基座包括间隔设置的第一基座和第二基座；所述焊接区包括设置于所述第一基座上的第一焊接区和设置于所述第二基座上的第二焊接区，设置于所述第一焊接区的所述焊料层用以与所述芯片的源极焊接，设置于所述第二焊接区的所述焊料层用以与所述芯片的栅极焊接；所述凹槽开设于所述第二基座的承载面上；和/或，所述凹槽开设于所述第一基座的承载面上。
[0010]可选的，所述凹槽还包括相对设置的两个内侧壁，两个所述内侧壁中，至少邻近所述焊接区的边界的所述内侧壁为坡面结构。
[0011]可选的，所述焊料层的厚度≥10μm。
[0012]可选的，所述引线框架还包括引脚，所述引脚凸出设置于所述基座的外周壁，所述引脚的数量为多个，沿所述基座的周向间隔排布；多个所述引脚包括与所述芯片的源极电连接的第一引脚和与所述芯片的栅极电连接的第二引脚。
[0013]同时，本申请实施例还提供一种封装结构，包括如前所述的引线框架。
[0014]本申请的有益效果在于，提供一种引线框架以及具有该引线框架的封装结构，所述引线框架通过在承载面上划定焊接区，在焊接区内设置用以将芯片固定安装在承载面上的焊料层，并在承载面上开设凹槽，凹槽沿焊接区的外周向围绕至少部分焊接区，从而在芯片通过焊料层倒装贴装到引线框架的承载面时，焊料层中外溢的焊料可流淌至凹槽并存储于凹槽内，从而避免外溢的焊料堆积导致芯片的源极和/或栅极与芯片的漏极接触而导致短路或漏电，通过对外溢焊料引流的方法，解决焊料外溢导致的短路或漏电的问题，而且凹槽的开设工艺简便，可有效降低成本，提升半导体器件的使用稳定性和使用安全性。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本申请一实施例提供的引线框架的结构示意图；
[0017]图2是图1的俯视图；
[0018]图3是本申请一实施例提供的引线框架与芯片的组合结构示意图；
[0019]图4是图3的A处放大结构示意图；
[0020]图5是本申请一实施例提供的引线框架的结构示意图；
[0021]图6是本申请一实施例提供的引线框架中焊接区与凹槽的第一种相对位置示意图；
[0022]图7是本申请一实施例提供的引线框架中焊接区与凹槽的第二种相对位置示意图；
[0023]图8是芯片的结构示意图。
[0024]附图标记说明：
[0025]100、引线框架，110、基座，110a、第一基座，110b、第二基座，111、承载面，112、焊接区，112a、第一焊接区，112b、第二焊接区，113、凹槽，1131、槽口，1132、内底壁，1133、内侧壁，120、焊料层，121、焊料，130、引脚，131、第一引脚，132、第二引脚，133、通孔；
[0026]200、芯片，210、源极，220、栅极；
[0027]X、厚度方向。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定
有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
[0029]本申请实施例提供一种引线框架以及具有该引线框架的封装结构，所述引线框架通过在承载面上划定焊接区，在焊接区内设置用以将芯片固定安装在承载面上的焊料层，并在承载面上开设凹槽，凹槽沿焊接区的外周向围绕至少部分焊接区，从而在芯片通过焊料层倒装贴装到引线框架的承载面时，焊料层中外溢的焊料可流淌至凹槽并存储于凹槽内，从而避免外溢的焊料堆积导致芯片的源极和/或栅极与芯片的漏极接触而导致短路或漏电，通过对外溢焊料引流的方法，解决焊料外溢导致的短路或漏电的问题，而且凹槽的开设工艺简便，可有效降低成本，提升半导体器件的使用稳定性和使用安全性。作为典型应用，包括所述引线框架的封装结构可用于MOSFET芯片的封装。
[0030]本申请一实施例中，提供一种引线框架100，参照图1～图5，引线框架100包括：基座110和焊料层120。
[0031]参照图1，基座110具有用以承载芯片200的承载面111，具体地，基座110具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，第一表面即为基座110的承载面111，参照图2，承载面111上划定有焊接区112，焊料层120设置于焊接区112，以将芯片200固定在承载面111上，承载面111上沿基座110的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：基座(110)，所述基座(110)具有用以承载芯片(200)的承载面(111)，所述承载面(111)上划定有焊接区(112)；焊料层(120)，设置于所述焊接区(112)，以将所述芯片(200)固定在所述承载面(111)上；其中，所述承载面(111)上沿所述基座(110)的厚度方向(X)开设有凹槽(113)，所述凹槽(113)位于所述焊接区(112)外侧并沿所述焊接区(112)的外周向围绕至少部分所述焊接区(112)，以收容自所述焊接区(112)外溢的焊料。2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽(113)与所述焊接区(112)间隔排布。3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽(113)与所述焊接区(112)的边界相接。4.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽(113)包括槽口(1131)和内底壁(1132)，所述槽口(1131)与所述内底壁(1132)沿所述厚度方向(X)相对设置；所述槽口(1131)与所述内底壁(1132)之间的间距为H1，所述基座(110)的厚度为H2，满足：H1＝(1/3～1/2)
×
H2。5.如权利要求4所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽(113)的槽口(1131)的宽度为H3，满足：H3＝(1/2～1)
×
H2。6.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述基座(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：董美丹，唐芳，陈文葛，
申请(专利权)人：上海凯虹科技电子有限公司，
类型：新型
国别省市：