一种双波束微带天线制造技术

本发明专利技术公开了一种双波束微带天线，包括第一基材层和第二基材层，第一基材层上设有SIW导波结构，第二基材层位于第一基材层上方；第二基材层的顶面设有微带天线，SIW导波结构上设有耦合缝隙，微带天线包括中轴部，中轴部的两侧具有对称设置的矩形部，矩形部的长度方向与中轴部的长度方向一致，中轴部的上端部相对于矩形部的上端部凸出，中轴部的下端部相对于矩形部的下端部凸出，矩形部远离中轴部的一侧的中部区域设有缺口，矩形部远离中轴部的一侧的两个角部分别设有分隔缝隙，分隔缝隙令对应的角部与矩形部的其他区域分离。本微带天线能够实现双波束，可以激发出TM02模式，且频带宽度较宽，能够覆盖N257和N261的工作频率，特别适用于5G通信系统。适用于5G通信系统。适用于5G通信系统。

【技术实现步骤摘要】
一种双波束微带天线


[0001]本专利技术涉及天线
，特别涉及一种双波束微带天线。

技术介绍

[0002]根据3GPP TS38.101
‑
2 5G终端射频技术规范和TR38.817终端射频技术报告可知，5GmmWave频段有N257(26.5
‑
29.5GHz)、N258(24.25
‑
27.25GHz)、N260(37
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40GHz)、N261(27.5
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28.35GHz)以及新增的N259(39.5
‑
43GHz)。
[0003]近年来，研究人员设计了多种类型的多波束天线，产生多波束最传统的方法是使用相控阵技术或波束切换天线阵，这些技术需要移相器或单极双掷开关，这将带来一些损耗，降低天线系统的性能。
[0004]微带天线是一种目前最常用的天线，如果能够将其改造成适用于5G通信的双波束结构，无疑会有很大的市场应用前景。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题为：提供一种适用于5G通信的宽带双波束微带天线。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种双波束微带天线，包括第一基材层和第二基材层，所述第一基材层上设有SIW导波结构和用于为所述SIW导波结构馈电的馈电线，所述第二基材层位于所述第一基材层上方，所述第二基材层连接所述第一基材层的顶面和/或所述SIW导波结构；所述第二基材层的顶面设有微带天线，所述SIW导波结构上设有用于耦合所述微带天线的耦合缝隙，所述微带天线包括中轴部，所述中轴部的两侧具有对称设置的矩形部，所述矩形部的长度方向与所述中轴部的长度方向一致，所述中轴部的上端部相对于所述矩形部的上端部凸出，所述中轴部的下端部相对于所述矩形部的下端部凸出，所述矩形部远离所述中轴部的一侧的中部区域设有缺口，所述矩形部远离所述中轴部的一侧的两个角部分别设有分隔缝隙，所述分隔缝隙令对应的所述角部与所述矩形部的其他区域分离。
[0007]本专利技术的有益效果在于：本微带天线能够实现双波束，可以激发出TM02模式(TM02模式是典型的双波束模式)，且频带宽度较宽，能够覆盖N257和N261的工作频率，特别适用于5G通信系统。微带天线的中心开槽且开槽内具有两端延长的中轴部，使得微带天线可以激发出TM02模式；缺口的存在可以降低微带天线在TM02模式下的工作频率；分隔缝隙可以改善矩形部上的电流分布，使微带天线的带宽变宽；SIW导波结构结合馈电线的馈电方式可以有效地抑制天线的后瓣，同时，该馈电方式功率泄露很少，利于进一步改善微带天线的性能。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0009]图1为本专利技术实施例一的双波束微带天线的结构示意图；
[0010]图2为本专利技术实施例一的双波束微带天线在俯视状态下的透视图；
[0011]图3为不同形状的微带天线的S参数图；
[0012]图4为本专利技术实施例一的双波束微带天线的方向图。
[0013]附图标号说明：
[0014]1、第一基材层；
[0015]2、第二基材层；
[0016]31、第一金属层；311、耦合缝隙；32、第二金属层；33、金属化孔；
[0017]4、馈电线；
[0018]5、微带天线；51、中轴部；52、矩形部；521、缺口；522、分隔缝隙；53、间隙。
具体实施方式
[0019]本专利技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示诸如上、下、左、右、前、后
……
，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态如附图所示下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0022]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0023]另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“和/或”为例，包括方案，或方案，或和同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0024]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0025]实施例一
[0026]请参照图1至图4，本专利技术的实施例一为：一种双波束微带天线，特别适用于5G通信系统。
[0027]如图1和图2所示，所述双波束微带天线包括第一基材层1和第二基材层2，所述第
一基材层1上设有SIW导波结构和用于为所述SIW导波结构馈电的馈电线4，所述第二基材层2位于所述第一基材层1上方，所述第二基材层2连接所述第一基材层1的顶面和/或所述SIW导波结构；所述第二基材层2的顶面设有微带天线5，所述SIW导波结构上设有用于耦合所述微带天线5的耦合缝隙311，所述微带天线5包括中轴部51，所述中轴部51呈长条状的矩形，所述中轴部51的两侧具有对称设置的矩形部52，所述中轴部51与所述矩形部52之间具有间隙53，即所述中轴部51与所述矩形部52不接触，所述矩形部52的长度方向与所述中轴部51的长度方向一致，所述中轴部51的上端部相对于所述矩形部52的上端部凸出，所述中轴部51的下端部相对于所述矩形部52的下端部凸出，所述矩形部52远离所述中轴部51的一侧的中部区域设有缺口521，所述矩形部52远离所述中轴部51的一侧的两个角部分别设有分隔缝隙522，所述分隔缝隙522令对应的所述角部与所述矩形部52的其他区域分离。
[0028]需要说明的是，所述中轴部5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双波束微带天线，其特征在于：包括第一基材层和第二基材层，所述第一基材层上设有SIW导波结构和用于为所述SIW导波结构馈电的馈电线，所述第二基材层位于所述第一基材层上方，所述第二基材层连接所述第一基材层的顶面和/或所述SIW导波结构；所述第二基材层的顶面设有微带天线，所述SIW导波结构上设有用于耦合所述微带天线的耦合缝隙，所述微带天线包括中轴部，所述中轴部的两侧具有对称设置的矩形部，所述矩形部的长度方向与所述中轴部的长度方向一致，所述中轴部的上端部相对于所述矩形部的上端部凸出，所述中轴部的下端部相对于所述矩形部的下端部凸出，所述矩形部远离所述中轴部的一侧的中部区域设有缺口，所述矩形部远离所述中轴部的一侧的两个角部分别设有分隔缝隙，所述分隔缝隙令对应的所述角部与所述矩形部的其他区域分离。2.根据权利要求1所述的双波束微带天线，其特征在于：所述矩形部上，一个所述分隔缝隙连通所述矩形部远离所述中轴部的一侧以及所述矩形部的上端部，另一个所述分隔缝隙连通所述矩形部远离所述中轴部的一侧以及所述矩形部的下端部。3.根据权利要求2所述的双波束微带天线，其特征在于：所述分隔缝...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：