校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法技术

本发明专利技术涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。本发明专利技术中发明专利技术的一种校正金属薄膜沉积位置的控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。由于本发明专利技术在空白的控片上引入了刻度和角度，因此在控片上沉积后可以从上述刻度和角度中读取出沉积偏移的方向及偏移量，便可以有目的的量化调整机台手臂或其它相关部件，得以提高调整效率和准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造工艺
，且特别涉及一种校正金属薄 膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。
技术介绍
金属薄膜沉积已广泛地应用于集成电路制造工艺。在金属薄膜沉积 时，因机台手臂或者其他部件的位置偏移会导致沉积的金属薄膜存在大小 边情况，即薄膜偏移预定的或者说理想的位置，因此会导致产品异常甚至 报废。为了防止这种情况，工程师会定期用控片(非产品)来校正机台。校正方法是步骤1，用控片沉积金属薄膜；步骤2，工程师用肉眼观察 金属薄膜在控片表面的偏移情况；步骤3，工程师根据偏移情况调整手臂 位置；步骤4，调整后重新用控片沉积金属薄膜。因为工程师是根据自己 肉眼判断，所以无法量化薄膜的偏移方向和需要的调整值，常常需要数次 调整才能达到相对较佳的情况。此方法耗时长且效果不一定好。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的上述缺陷，本专利技术的一个目的是提供一种校正金 属薄膜沉积位置的控片，以利于量化薄膜的偏移方向和偏移量，简化和精 确化对机台的调整。本专利技术的另一个目的是提供一种校正金属薄膜沉积位置的方法，以简 化和精确化对机台的调整。本专利技术的再一个目的是提供一种金属薄膜沉积偏移的量化方法，以简 化和精确化对机台的调整。根据本专利技术的一种校正金属薄膜沉积位置的控片，表面上设置有定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘 的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成 预定角度。作为优选，上述定位标记可以为控片边缘的一个V字形切口，以控片 中心为顶点，上述多组刻度标记中的各任意相临两组之间具有相同的角度。作为优选，上述各组刻度标记可以为实质上垂直于控片半径的多条短 线，各相临两条短线之间的距离可以相等或不相等。作为优选，上述刻度标记为4到8组，通过激光刻于控片的表面。根据本专利技术的另一种校正金属薄膜沉积位置的控片，在圆形控片表面 上设置有定位标记；多个临近控片边缘的同心圆刻度标记，标示出多个 距控片边缘的可读取的距离值；以及多条半径，标示出预定的方向。作为优选，各相临两个同心圆刻度标记的直径差相同，各两临两条半 径之间的夹角相同。作为优选，上述多条半径的数目为4到8条。本专利技术的一种校正金属薄膜沉积位置的方法包括下列步骤步骤a，在本专利技术的控片上沉积金属薄膜；步骤b，从沉积后的控片上读取薄膜偏移的方向和偏移量；步骤C，根据步骤b中读取的偏移方向和偏移量，调整沉积设备。本专利技术的一种金属薄膜沉积偏移的量化方法包括下列步骤步骤e,在本专利技术的控片上沉积金属薄膜；步骤f，从沉积后的控片上读取量化的薄膜偏移方向和偏移量。由于本专利技术在空白的控片上引入了刻度和角度，因此在控片上沉积后 可以从上述刻度和角度中读取出沉积偏移的方向及偏移量，便可以有目的 的量化调整机台手臂或其它相关部件。由于可以量化偏移方向和偏移量， 因此调整基本上可以一次完成，而且精度较高。从而提高调整速度及精度，5提高机台的效率和产品质量。 附图说明图1为金属薄膜沉积位置准确的晶圆的示意图； 图2为金属薄膜沉积位置偏移的晶圆的示意图3为根据本专利技术的一个实施例的校正金属薄膜沉积位置的控片的示 意图4为在根据本专利技术的一个实施例的控片上沉积金属薄膜后的控片示 意图5为根据本专利技术的另一个实施例的校正金属薄膜沉积位置的控片的示意图。具体实施例方式下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。对于 所属
的技术人员而言，从对本专利技术的详细说明中可以看出，本发 明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。图l为金属薄膜沉积位置准确的晶圆的示意图。如图1所示，在机台正 常时，金属薄膜2恰如要求的沉积在晶圆1的中心，即金属薄膜2与晶圆1为 同心圆。然而，在机台的使用中，机台手臂或其它部件可能会发生偏移，使得 沉积出的薄膜位置偏离预定的位置，即在晶圆上出现大小边的情况。如图 2所示，在一个示意性的实例中金属薄膜2偏离于晶圆1的中心。在图2中可 以看到，金属薄膜2大致上偏向晶圆1的左侧，即出现左边小，右边大的状况。为快速和准确地校正该偏移，本专利技术提出了一种校正金属薄膜沉积位 置的控片。以金属铝溅镀校正用控片为例，根据本专利技术的一个实施例的控片如图 3所示。以控片3上的V字形切口5为定位标记，在控片3上以切口5所在的半径为0度以控片3的圆心为顶点，逆时针45度、135度、225度和315度方向 上，用激光分别刻上三条短线41、 42和43作为刻度标记，短线41、 42和43 距控片边缘的距离分别为0.5mm、 lmm和1.5mm。即在本实施例中控片上 刻出了每组三条共四组的刻度标记。这样，使用本专利技术的控片3进行沉积， 当存在沉积偏移时，可以根据控片上的预定角度的刻度标记，判断偏移方 向和偏移量。工程师可按照偏移方向和偏移量对机台手臂或其它相关部件 进行调整，可提高工作效率，减少不必要工作量。然而应当了解，上述实施例仅为示例性质，而非限定性的。上述定位 标记不限于控片上的V字形切口，只要其可以标示出刻度标记相对于机台 的角度即可。同样刻度标记可以从任一角度开始，相临两组标记之间的角 度可以相同也可以不相同，当然，较佳的为角度相同。上述刻度标记也不 限于四组，可以为三组、六组、八组等任意多组，各组标记的标记方式也 不限于标记短线，各组刻度标记可以包括多条标记短线。即可以根据沉积 的金属薄膜的特性来调整刻度标记的位置、数目及各组标记标示的距离范 围。图4为在根据本专利技术的一个实施例的控片3上沉积金属薄膜2后的控片 示意图。若沉积的金属薄膜2无偏移的话，薄膜2的圆周应当与刻度线43相 切。可以从图4中判断出，此金属薄膜3朝向135度方向偏移了0.5mm。工 程师可根据该偏移方向和偏移量，对机台手臂或其它相关部件作相应的调 整，以使调整后薄膜可准确的沉积于预定的位置。当然，不是每次的偏移 都会偏移向刻度标记所标示的方向，显然的相对多组的刻度标记会增加读 数的准确性。图5为根据本专利技术的另一个实施例的校正金属薄膜沉积位置的控片的 示意图。在此控片中，刻度标记可以为与控片同圆心的多个同心圆61、 62、 63。同时以多条半径71、 72、 73到78标示出不同的角度方向。如图中半径 71、 72、 73到78分别标示出了0度、45度、90度、135度、180度、225度、 270度和315度的方向。虽然，本专利技术己通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离 本专利技术精神及其实质的情况下，所属
的技术人员当可根据本专利技术作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本专利技术的 权利要求的保护范围。权利要求1. 一种校正金属薄膜沉积位置的控片，其特征在于在控片表面上设置有定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。2. 根据权利要求l所述的控片，其特征在于上述定位标记为控片边缘 的一个V字形切口，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记中的各任意相 临两组之间具有相同的角度。3. 根据权利要求l所述的控片，其特征在于上述各组刻度标记为实质 上垂直于控片半径的多条短线，各相临两条短线之间的距离相等。4. 根据权利要求l、 2或3所述的控片，其特征在于上述刻度标本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校正金属薄膜沉积位置的控片，其特征在于在控片表面上设置有：定位标记；　多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立轩，徐国冉，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]