一种晶片吸附装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种晶片吸附装置，涉及半导体设备技术领域，该晶片吸附装置包括吸附机构以及负压装置，所述吸附机构包括凸出体以及机构主体；所述凸出体设有凹槽；所述凸出体设于所述机构主体的一侧；所述机构主体设有通孔；所述凹槽与所述通孔连通；所述通孔与所述负压装置连通。取得了增大接触面积，产生更均衡的吸附力，安全牢固地吸取晶片的技术效果。术效果。术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片吸附装置


[0001]本技术涉及半导体设备
，尤其涉及一种晶片吸附装置。

技术介绍

[0002]晶片转移的过程分为剥离、吸附、和转移等步骤，通常地使用带有吸附孔的吸附头贴合晶片，再利用负压装置抽空吸附孔的气体形成负压，从而使晶片贴合在吸附头的吸附孔处，但正因为受力集中在吸附孔处，晶片受力过于集中容易导致破裂。

技术实现思路

[0003]本技术实施例所要解决的技术问题是常规吸附头与晶片接触面积小，吸附力集中，吸附过程容易导致晶片破裂。
[0004]为了解决上述问题，本技术实施例公开一种晶片吸附装置。取得增大接触面积，产生更均衡的吸附力，安全牢固地吸取晶片的技术效果。
[0005]本技术提供了一种晶片吸附装置，该晶片吸附装置包括吸附机构以及负压装置，所述吸附机构包括凸出体以及机构主体；所述凸出体设有凹槽；所述凸出体设于所述机构主体的一侧；所述机构主体设有通孔；所述凹槽与所述通孔连通；所述通孔与所述负压装置连通。
[0006]其进一步的技术方案为，所述凹槽包括多个第一槽体以及多个第二槽体，多个所述第二槽体均间隔围绕设于所述通孔的四周，多个所述第二槽体通过所述第一槽体均与所述通孔连通。
[0007]其进一步的技术方案为，还包括基座，所述基座设于所述吸附机构的一侧。
[0008]其进一步的技术方案为，所述基座包括连接腔，所述连接腔分别与所述通孔以及所述负压装置连接。
[0009]其进一步的技术方案为，所述通孔设于所述凸出体的中心。
[0010]其进一步的技术方案为，所述凸出体的轮廓的正面投影形状为三角形。
[0011]其进一步的技术方案为，所述第一槽体的宽度与所述第二槽体的宽度相等。
[0012]其进一步的技术方案为，所述凸出体的高度为0.8
‑
1.2mm。
[0013]其进一步的技术方案为，所述通孔的直径为0.8
‑
1.2mm。
[0014]其进一步的技术方案为，所述吸附机构的材质为铝合金。
[0015]与现有技术相比，本技术实施例所能达到的技术效果包括：
[0016]通过凸出体增大吸附机构与晶片的接触面积，再在负压装置工作下可使凹槽以及通孔产生吸附力，对晶片的吸附力更加均衡，减少晶片破裂的情况发生。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于
本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例提供的一种晶片吸附装置主视图；
[0019]图2为本技术实施例提供的一种晶片吸附装置结构示意图；
[0020]图3为本技术实施例提供的一种晶片吸附装置左视图；
[0021]图4为本技术实施例提供的一种晶片吸附装置结构截面图
[0022]图5为本技术实施例提供的一种晶片吸附装置结构示意图。
[0023]附图标记
[0024]吸附机构1、负压装置2、凸出体11、凹槽12、机构主体13、通孔14、第一槽体15、第二槽体16、基座3、连接腔31。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0027]还应当理解，在此本技术实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本技术实施例。如在本技术实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0028]参见图1
‑
5，本技术实施例提供了一种晶片吸附装置。该晶片吸附装置包括吸附机构1以及负压装置2。各部件具体介绍如下：
[0029]在本实施例中，所述吸附机构1包括凸出体11以及机构主体13；所述机构主体13设有通孔14；所述凸出体11设有凹槽12；所述凸出体11设于所述机构主体13的一侧；所述机构主体13设有通孔14；所述凹槽12与所述通孔14连通；所述通孔14与所述负压装置2连通。
[0030]具体地，凸出体11用于与晶片表面接触，机构主体13用于承载凸出体11，通孔14在负压装置2作用下产生负压形成吸附力，凹槽12与通孔14连通。
[0031]该晶片吸附装置的工作过程如下：
[0032]将凸出体11密接接触晶片的表面，使凹槽12形成仅仅与通孔14连通的腔体，启动负压装置2，负压装置2工作使所述腔体以及通孔14产生负压，晶片在负压作用下紧紧吸附在凸出体11接触面上，完成晶片吸附装置对晶片的吸附。
[0033]通过凸出体11增大吸附机构1与晶片的接触面积，再在负压装置2工作下可使凹槽12以及通孔14产生吸附力，对晶片的吸附力更加均衡，减少晶片破裂的情况发生。
[0034]继续参见图1
‑
5，在本实施例中，所述凹槽12包括多个第一槽体15以及多个第二槽体16，多个所述第二槽体16均间隔围绕设于所述通孔14的四周，多个所述第二槽体16通过
所述第一槽体15均与所述通孔14连通。
[0035]具体地，所述凹槽12包括多个第一槽体15以及多个第二槽体16，多个所述第二槽体16依次从内到外等间隔、一圈一圈地围绕设于所述通孔14的四周，并且第一槽体15连通多个第二槽体16，使得第一槽体15、第二槽体16以及通孔14相通，在负压装置2作用下使第一槽、第二槽体16以及通孔14均具有吸附力。由于多个第一槽体15以及多个第二槽体16将凸出体11分隔，仍有大部分凸出体11与晶片接触，从而更有效地防止晶片受力不均导致破碎的情况发生。
[0036]进一步地，还包括基座3，所述基座3设于所述吸附机构1的一侧。
[0037]同时，所述基座3包括连接腔31，所述连接腔31分别与所述通孔14以及所述负压装置2连接。
[0038]具体地，基座3指将吸附机构1与设备连接的结构，通常还设有卡槽，通过卡槽在设备取得固定，基座3包括连接腔31，连接腔31与通孔14连通，使得负压装置2可通过连接腔31使通孔14以及与通孔14连接的槽体形成负压。
[0039]进一步地，所述通孔14设于所述凸出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片吸附装置，其特征在于，包括吸附机构以及负压装置，所述吸附机构包括凸出体以及机构主体；所述凸出体设有凹槽；所述凸出体设于所述机构主体的一侧；所述机构主体设有通孔；所述凹槽与所述通孔连通；所述通孔与所述负压装置连通。2.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述凹槽包括多个第一槽体以及多个第二槽体，多个所述第二槽体均间隔围绕设于所述通孔的四周，多个所述第二槽体通过所述第一槽体均与所述通孔连通。3.根据权利要求1所述的晶片吸附装置，其特征在于，还包括基座，所述基座设于所述吸附机构的一侧。4.根据权利要求3所述的晶片吸附装置，其特征在于，所述基座包括连接腔，所述连接腔分别与所述通孔以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：白文，徐虎，刘浦，何卫东，韦道文，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：新型
国别省市：