一种等离子体振荡射流激励器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种等离子体振荡射流激励器，其包括本体、两电极、电源和单向阀，本体设有激励腔室和振荡腔室，激励腔室可产生等离子体射流，振荡腔室设有两分隔块，该两分隔块界定有主流道和两支流道，等离子体射流通过过气口进入振荡腔室内，并在附壁效应作用以及支流道对等离子体射流的冲击作用下，往复地从贴附于左右两分隔块的位置由出气口射出，从而形成扫射形态的振荡射流，在同样流量情况下，可有效提高等离子体射流的影响范围。可有效提高等离子体射流的影响范围。可有效提高等离子体射流的影响范围。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体振荡射流激励器


[0001]本技术涉及等离子体射流激励器
，具体涉及一种等离子体振荡射流激励器。

技术介绍

[0002]补气式等离子体合成射流激励器是利用等离子体射流火花放电产生高温等离子体作为激励源的一种激励器，其射流孔在吸气复原过程中还作为补气口起到作用，现有的射流孔的射流方向固定，只能产生常规的直射流，射流影响范围受到限制。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服
技术介绍
中存在的上述缺陷或问题，提供一种等离子体振荡射流激励器，其射出的等离子体射流能够形成往复扫射的振荡射流，在相同流量的情况下，可以有效提高等离子体射流的影响范围。
[0004]为达成上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种等离子体振荡射流激励器，包括：本体，其设有激励腔室和振荡腔室，并设有进气口、过气口和出气口，以及位于所述振荡腔室内的两分隔块；所述过气口和出气口沿第一方向布设于所述振荡腔室两端并均与所述振荡腔室连通，所述过气口连通所述激励腔室，所述出气口在第一方向上沿出气方向逐渐收缩；两所述分隔块凸出于所述振荡腔室的腔壁，并沿垂直于第一方向的第二方向布设，且该两所述分隔块相对所述出气口的对称面对称分布以将所述振荡腔室分隔为位于所述振荡腔室中部的主流道和位于所述振荡腔室两侧的支流道；两所述支流道均包括进气段、直流段和出气段，两所述进气段靠近所述出气口，两所述出气段靠近所述过气口，且两所述进气段和两所述出气段均与所述主流道连通；两所述直流段沿第一方向延伸并与对应的进气段和出气段连通；两所述进气段弯折设置以将所述主流道中的等离子体射流部分引入对应的所述直流段；两所述分隔块朝向所述主流道的一侧表面形成有主流面，两所述主流面沿第一方向由所述过气口至所述出气口相互远离；第一电极和第二电极，二者均伸入所述激励腔室；电源，其用于为两所述电极供电；和单向阀，其与所述进气口单向连通。
[0006]进一步的，所述振荡腔室具有沿第三方向分布的第一表面和第二表面，以及连接所述第一表面和第二表面的侧壁面；所述第三方向与所述第一方向和第二方向均垂直；两所述分隔块靠近所述出气口的端部形成有第一弯曲面，所述振荡腔室的侧壁面对应于所述第一弯曲面形成有第二弯曲面，所述第一弯曲面、第二弯曲面和所述第一表面、第二表面配合形成所述进气段。
[0007]进一步的，两所述分隔块靠近所述过气口的端部形成有第三弯曲面，所述振荡腔室的侧壁面对应于所述第三弯曲面形成有第四弯曲面；所述第三弯曲面、第四弯曲面和所述第一表面、第二表面配合形成所述出气段。
[0008]进一步的，所述直流段的过流面积沿第一方向保持相等；所述出气段的过流面积
沿过流方向逐渐缩小。
[0009]进一步的，所述本体设有与所述出气口相接的让位口；所述让位口位于所述出气口下游，且其在第一方向上沿出气方向逐渐扩大。
[0010]由上述对本技术的描述可知，相对于现有技术，本技术具有如下有益效果：
[0011]1、该激励器中，等离子体在激励腔室中形成后从过气口进入到振荡腔室，由于主流道位于振荡腔室中部，大部分的等离子体射流会进入主流道内，由于在振荡腔室内设有两分隔块，在附壁效应的作用下，大部分的等离子体射流会贴着其中一个分隔块的主流面流动；以等离子体射流首先贴着右侧分隔块的主流面流动为例，此时主流道靠近左侧分隔块的主流面的区域会形成循环涡流，该循环涡流会逐渐扩大至最大尺寸，使得主流道内大部分的等离子体射流贴近右侧分隔块的主流面，从而使该等离子体射流能够以最大的弯曲角度从出气口朝向左侧射出；在该过程中，主流道内的小部分等离子体射流会通过两个进气段进入到支流道中，再从两个出气段射出冲击从过气口进入振荡腔室的等离子体射流，由于主流道内大部分的等离子体射流贴着右侧分隔块，因此进入右侧支流道的等离子体射流比进入左侧支流道的等离子体射流更多，从右侧冲击主流道的等离子体射流占据主导地位；
[0012]随着等离子体射流的在振荡腔室内的流动，循环涡流逐渐向右侧移动，进入右侧支流道的等离子体射流的流量减少，循环涡流逐渐减小，同时在主流道左侧又形成一个小的循环涡流，从左右两个支流道射入主流道的等离子体射流的流量逐渐趋于相等，两个循环涡流的尺寸也逐渐趋于相当，直至主流道中的等离子体射流大致成直射形态射出出气口；
[0013]之后右侧的循环涡流逐渐增大，进入左侧支流道的等离子体射流的流量逐渐增加，直至左侧的循环涡流消失，大部分的等离子体射流贴着左侧分隔块的主流面流动，此时该等离子体射流能够以最大的弯曲角度从出气口朝向右侧射出；
[0014]上述的出气口沿第一方向逐渐收缩，使得出气口的侧壁形成斜面，对等离子体射流的射出具有引导作用；
[0015]通过上述结构和过程，该激励器射出的等离子体射流能够形成往复扫射的振荡射流，在相同流量的情况下，可以有效提高等离子体射流的影响范围。
[0016]2、设置第一弯曲面和第二弯曲面，形成弯曲的进气段，便于将等离子体射流从主流道引入支流道，又不会损失等离子体射流的动能。
[0017]3、设置第三弯曲面和第四弯曲面，形成弯曲的出气段，便于将等离子体射流从支流道引导至主流道，又不会损失等离子体射流的动能。
[0018]4、令直流段的过流面积保持固定，而出气段的过流面积逐渐缩小，可以使等离子体射流在直流段内的流动稳定，同时在从出气段射出至主流道时其流速能够更快，对进入主流道的等离子体射流的冲击更强。
[0019]5、设置让位口，可以限制从出气口射出的等离子体射流的扩散范围。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术提供的一种等离子体振荡射流激励器的实施例的结构示意图；
[0022]图2为图1中的激励器向左射出等离子体射流的状态示意图；
[0023]图3为图1中的激励器正中射出等离子体射流的状态示意图；
[0024]图4为图1中的激励器向右射出等离子体射流的状态示意图。
[0025]主要附图标记说明：
[0026]本体10；激励腔室101；振荡腔室102；进气口103；过气口104；出气口105；让位口106；分隔块11；主流面111；第一弯曲面112；第三弯曲面113；主流道12；支流道13；进气段131；直流段132；出气段133；第二弯曲面14；第四弯曲面15；第一电极21；第二电极22；电源23；单向阀30。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的优选实施例，且不应被看作对其他实施例的排除。基于本技术实施例，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体振荡射流激励器，其特征是，包括：本体(10)，其设有激励腔室(101)和振荡腔室(102)，并设有进气口(103)、过气口(104)和出气口(105)，以及位于所述振荡腔室(102)内的两分隔块(11)；所述过气口(104)和出气口(105)沿第一方向布设于所述振荡腔室(102)两端并均与所述振荡腔室(102)连通，所述过气口(104)连通所述激励腔室(101)，所述出气口(105)在第一方向上沿出气方向逐渐收缩；两所述分隔块(11)凸出于所述振荡腔室(102)的腔壁，并沿垂直于第一方向的第二方向布设，且该两所述分隔块(11)相对所述出气口(105)的对称面对称分布以将所述振荡腔室(102)分隔为位于所述振荡腔室(102)中部的主流道(12)和位于所述振荡腔室(102)两侧的支流道(13)；两所述支流道(13)均包括进气段(131)、直流段(132)和出气段(133)，两所述进气段(131)靠近所述出气口(105)，两所述出气段(133)靠近所述过气口(104)，且两所述进气段(131)和两所述出气段(133)均与所述主流道(12)连通；两所述直流段(132)沿第一方向延伸并与对应的进气段(131)和出气段(133)连通；两所述进气段(131)弯折设置以将所述主流道(12)中的等离子体射流部分引入对应的所述直流段(132)；两所述分隔块(11)朝向所述主流道(12)的一侧表面形成有主流面(111)，两所述主流面(111)沿第一方向由所述过气口(104)至所述出气口(105)相互远离；第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘汝兵，薛生辉，林麒，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：新型
国别省市：