一种吸蓝光光刻胶、吸蓝光材料层的制备方法和显示结构技术

本发明专利技术提供一种吸蓝光光刻胶、吸蓝光材料层的其制备方法和显示结构，吸蓝光材料层由吸蓝光光刻胶光刻固化形成，制备方法包括：S1、制备掺杂Te的CdSeS纳米核；S2、向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入ZnSe源和ZnS源，形成ZnSe/ZnS壳层，ZnSe/ZnS壳层包覆于掺杂Te的CdSeS纳米核外，制备得到吸蓝光纳米核壳结构颗粒；S3、对吸蓝光纳米核壳结构颗粒进行表面化处理，得到蓝光吸收剂；S4、将蓝光吸收剂与光刻胶母液混合得到吸蓝光光刻胶；S5、将吸蓝光光刻胶涂于基材上，得到吸蓝光薄膜；对吸蓝光薄膜进行光刻。本发明专利技术特异性吸收蓝光且不发射荧光，将吸蓝光材料层设置于量子点色转换层上，只对蓝光有特异性吸收，对长波段光线无吸收，量子点色转换层的光强损失很小，保证色纯度。保证色纯度。保证色纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种吸蓝光光刻胶、吸蓝光材料层的制备方法和显示结构


[0001]本专利技术属显示器
，具体涉及一种吸蓝光光刻胶、吸蓝光材料层的制备方法和显示结构。

技术介绍

[0002]由于Micro LED芯片具有尺寸小、集成度高和自发光等特性，与LCD、OLED相比，在显示器应用中Micro LED在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。但是Micro LED在生产过程中面临着RGB三种微芯片巨量转移的工程化难和制作成本高昂的问题，极大阻碍Micro LED的量产。
[0003]为了实现更高精度、更高色域的显示，有的厂家使用阵列排布的蓝光Micro LED作为光源层，在光源层上设置图案化的量子点色转换层(quantum dots color conversion，简称：QDCC)，量子点色转换层由红色量子点和绿色量子点组成，当光源层发射蓝色荧光至QDCC层，QDCC层中的红色量子点和绿色量子点分别将蓝色荧光转化为红色荧光和绿色荧光，再结合原有的蓝光Micro LED，实现全彩显示。由于QDCC层无法对蓝光实现100％的吸收，部分蓝光自QDCC层中泄露，导致QDCC层发射的光除了红光、蓝光，还掺杂有部分蓝光，从而造成QDCC层的光纯度下降，对显示器的发光效果造成负面影响。
[0004]因此，为了提高QDCC层的蓝光吸收率，解决漏蓝光的问题，有的厂家在QDCC层上增设一层彩色滤光片，用于对QDCC层未吸收的蓝光进行吸收。彩色滤光片的蓝光吸收能力很强，可以将从QDCC层漏出的蓝色荧光全吸收。如请参照图1，图1是现有技术中彩色滤光片的透过率谱图，其中B代表彩色滤光片对蓝光的吸收率，G代表彩色滤光片对绿光的吸收率，R代表彩色滤光片对红光的吸收率，如图1所示，由于彩色滤光片的宽吸收特性，它也会吸收QDCC层中的红色荧光和绿色荧光，会对红色荧光和绿色荧光的发射造成损失，尤其是绿色荧光的损失可达到30％以上，对显示器的发光亮度造成很大的负面影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种吸蓝光光刻胶，将其通过光刻工艺层具有特异性吸收蓝光、自身不发射荧光的特制备形成吸蓝光材料层，由吸蓝光光刻胶制备的吸蓝光材料性。
[0006]本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]一种吸蓝光光刻胶，包括蓝光吸收剂以及光刻胶母液；所述蓝光吸收剂包括吸蓝光纳米核壳结构颗粒和分散溶剂；所述吸蓝光纳米核壳结构颗粒中，ZnSe/ZnS壳层包覆于掺杂Te的CdSeS纳米核外；所述光刻胶母液包括主体树胶及光刻溶剂。
[0008]本专利技术提供的吸蓝光光刻胶中，所述蓝光吸收剂具有以掺杂Te的CdSeS纳米核为核心、ZnSe/ZnS壳层为壳的核壳结构，其具备特异性吸收蓝光、自身不发射荧光的特性；将所述蓝光吸收剂与所述光刻胶母液混合制备形成吸蓝光光刻胶，使吸蓝光光刻胶具备特异性吸收蓝光、自身不发射荧光，同时适用于光刻工艺，可使用光刻工艺将吸蓝光光刻胶加工
形成吸蓝光材料层，附着于显示器件的量子点色转换层上，吸收量子点色转换层泄漏的蓝光，提高量子点色转换层的光纯度。
[0009]进一步，所述主体树胶包括丙烯酸树脂和酚醛树脂的混合物，所述光刻溶剂为乙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯的混合物。此为一种具体实施方式，将吸蓝光纳米核壳结构颗粒分散于光刻胶母液中，形成吸蓝光光刻胶，以使用光刻工艺加工形成吸蓝光材料层。
[0010]进一步，所述蓝光吸收剂在所述吸蓝光光刻胶中所占质量分数为1
‑
50％。此为一种具体实施方式，限制蓝光吸收剂在吸蓝光光刻胶中的质量分数，在达到光学效果的同时，避免形成的吸蓝光材料层浓度过大造成光刻工艺中光刻的线宽以及固化工序的加工难度及固化效率降低的问题。
[0011]本专利技术还提供一种吸蓝光材料层的制备方法，由上述的吸蓝光光刻胶光刻固化形成，具体包括以下步骤：
[0012]S1、制备掺杂Te的CdSeS纳米核；S2、向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入ZnSe源和ZnS源，形成ZnSe/ZnS壳层，并使ZnSe/ZnS壳层包覆于掺杂Te的CdSeS纳米核外，得到吸蓝光纳米核壳结构颗粒；S3、对吸蓝光纳米核壳结构颗粒进行表面化处理，得到蓝光吸收剂；S4：将所述蓝光吸收剂与光刻胶母液混合得到吸蓝光光刻胶；S5：将所述吸蓝光光刻胶涂于基材上，得到吸蓝光薄膜；对吸蓝光薄膜进行光刻，得到吸蓝光材料层。
[0013]本专利技术提供的吸蓝光材料层的制备方法，在掺杂Te的CdSeS纳米核外，形成ZnSe/ZnS壳层，从而制备得到一种吸蓝光光刻胶，将其通过光刻工艺制备形成吸蓝光材料层，使用掺杂Te的CdSeS纳米核起到特异性吸收蓝光的作用，使吸蓝光材料层特异性吸收蓝光且自身不发射荧光，在掺杂Te的CdSeS纳米核外包裹ZnSe/ZnS壳层使掺杂Te的CdSeS纳米核结构稳定，并起到协同效应以调整光学性能，同时有利于在较为活泼的ZnSe/ZnS壳层进行表面化处理以使其均匀分散于光刻胶母液中，因此由吸蓝光光刻胶制备的吸蓝光材料层具有特异性吸收蓝光、自身不发射荧光的特性，且适用于光刻工艺。将所述吸蓝光材料层应用于显示器件中时，吸蓝光材料层设置于量子点色转换层上，对蓝光进行特异性吸收且不影响量子点色转换层的光强，避免了量子点色转换层的光强度下降，并保证了量子点色转换层的光纯度，同时吸蓝光材料层自身不发射荧光，不会对量子点色转换层的光线纯度造成影响。
[0014]进一步，步骤S1具体包括：取CdSeS纳米颗粒溶解于溶剂中，加热升温后注入含Te溶液，反应得到掺杂Te的CdSeS纳米核；其中每1gCdSeS纳米颗粒对应添加0.1
‑
0.3mmol Te。此为一种具体实施方式，通过合适的配比将Te掺杂于CdSeS纳米颗粒中，作为吸蓝光纳米核壳结构的核心，稳定吸收蓝光的光学性质。
[0015]进一步，步骤S2中首先向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入ZnSe源，再加入ZnS源。此为一种具体实施方式，先加入ZnSe源，使ZnSe在掺杂Te的CdSeS纳米核外形成ZnSe壳层，再加入ZnS源，形成ZnSe/ZnS壳层。由于CdSeS与ZnS的晶格常数不同，在ZnS生长界面附近产生应力，进而造成CdSeS与ZnS之间大约14％的晶格错配率，若直接加入ZnS源形成ZnS壳层，在ZnS壳层与CdSeS纳米核的核壳界面的缺陷难以避免，甚至无法生长出单晶，影响光学性能及其结构的稳定性，而ZnSe与CdSeS晶格错配较小，可作为ZnS与CdSeS之间的缓冲层，有效减少晶格错配，达到更好的光学性能和晶体结构的稳定性。
[0016]进一步，步骤S2具体包括：制备得到掺杂Te的CdSeS纳米核后，调节温度至100℃或
以下，向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入锌源，升温至270℃或以上，加入Se源，得到第一反应体系；将第一反应体系降温至100℃或以下，向第一反应体系加入锌源，升温至270℃或以上，注入S源，得到第二反应体系，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸蓝光光刻胶，其特征在于：包括蓝光吸收剂以及光刻胶母液；所述蓝光吸收剂包括吸蓝光纳米核壳结构颗粒和分散溶剂；所述吸蓝光纳米核壳结构颗粒中，ZnSe/ZnS壳层包覆于掺杂Te的CdSeS纳米核外；所述光刻胶母液包括主体树胶及光刻溶剂。2.根据权利要求1所述的吸蓝光光刻胶，其特征在于：所述主体树胶包括丙烯酸树脂和酚醛树脂的混合物，所述光刻溶剂为乙二醇丁醚和丙二醇甲醚醋酸酯的混合物。3.根据权利要求2所述的吸蓝光光刻胶，其特征在于：所述蓝光吸收剂在所述吸蓝光光刻胶中所占质量分数为1
‑
50％。4.一种吸蓝光材料层的制备方法，其特征在于，由权利要求1
‑
3任一项所述吸蓝光光刻胶光刻固化形成，具体包括以下步骤：S1、制备掺杂Te的CdSeS纳米核；S2、向掺杂Te的CdSeS纳米核中加入ZnSe源和ZnS源，形成ZnSe/ZnS壳层，并使ZnSe/ZnS壳层包覆于掺杂Te的CdSeS纳米核外，得到吸蓝光纳米核壳结构颗粒；S3、对吸蓝光纳米核壳结构颗粒进行表面化处理，得到蓝光吸收剂；S4、将所述蓝光吸收剂与光刻胶母液混合得到吸蓝光光刻胶；S5、将所述吸蓝光光刻胶涂于基材上，得到吸蓝光薄膜；对吸蓝光薄膜进行光刻，得到吸蓝光材料层。5.根据权利要求4所述的吸蓝光材料层的制备方法，其特征在于：步骤S1具体包括：取CdSeS纳米颗粒溶解于溶剂中，加热升温后注入含Te溶液，反应得到掺杂Te的CdSeS纳米核；其中每1gCdSeS纳米颗粒对应添加0.1
‑
0.3mmol Te。6.根据权利要求5所述的吸蓝光材料层的制备方法，其特征在于：步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁成江，李阳，陈臻，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：