基板处理装置以及处理方法制造方法及图纸

提供一种可适合进行半曝光工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构（１２）、用于对基板实施药液处理的药液处理单元（２１）、用于对基板实施显影处理的显影处理单元２０。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构（１２）、用于对基板实施药液处理的第１药液处理单元（２１）、用于对基板实施药液处理的第２药液处理单元（２１）。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构（１２）、用于对基板实施显影处理的第１显影处理单元（２０）、用于对基板实施显影处理的第２显影处理单元（２０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如对半导体片、LCD基板或其它基板实施规定处理 的基板处理装置及其处理方法。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)之类的制造工序之中，在由玻璃构成的 LCD基板上形成规定的膜之后，涂布形成感光性有机膜(以下称之为 "保护膜")，通过对电路图形曝光，以及称之为显影处理的所谓光刻 技术形成电路图形，通过对此实施蚀刻处理形成与保护膜的显影图形 对应的配线电路。在此之后进而通过剥离处理去除保护膜。多年来，为了进行上述一般性光刻工序、蚀刻工序、剥离处理工 序，需配置有机膜(主要是保护膜)涂布处理系统、曝光处理系统、 有机膜(主要是保护膜)显影处理系统、蚀刻处理系统、灰化处理系 统以及有机膜(主要是保护膜)剥离处理系统。此外，在上述一系列处理工序之中，作为用来进行有机膜光刻工 序的系统，就有将有机膜涂布处理装置和曝光处理装置以及显影处理 装置一体化了的有机膜(主要是保护膜)涂布曝光显影处理系统，或 将有机膜涂布处理装置与显影装置一体化了的有机膜(主要是保护膜) 涂布显影处理系统。此外，从蚀刻工序到剥离处理工序之中，可提供综合了蚀刻处理 与灰化处理的，配置了灰化腔室的单片(每次只处理一片)式蚀刻处 理系统、批次(多片处理或分批处理)式的灰化处理系统以及剥离处 理系统。这样即可把用于分别实施现有标准的处理工序的构成配置为串接 状态实现高效化，但是近年来，为了实现降低成本、节省能源、节约 资源的目的，出现实现与创造新工艺，以及改进各种工艺的要求，此 外为了实现上述目的要求效率更高的基板处理装置与处理方法。作为最近使用的可降低成本的新工艺，有(1 )使感光性有机膜(下 面以保护膜为例)图形具有复数种膜厚差(例如使用对保护膜连续两 次曝光，或(2)在一次曝光中使用使透过量阶梯性变化的曝光膜进行 曝光)，若利用该复数种(例如两种)膜厚的保护掩膜的采用灰化处理 等手段去除薄膜部分前后的图形变化(尤其是作为蚀刻掩膜的变化) 即可用一次光刻工序获得与实施两次光刻工序相同的效果，通过在其 间进行两次蚀刻即可在下层膜上形成两种图形。此种方法通常称之为 形成TFT元件的5PR工艺的4PR化(下面称之为"半曝光工艺")。尽管很需要以最佳方式实现以上述降低成本、节省能源、节约资 源为目的的新工艺、创造新的工艺以及改进各种现有工艺，然而目前 并不存在实现上述目的高效的基板处理装置与处理方法。
技术实现思路
本专利技术正是为了解决上述问题而提出来的，其目的在于提供一种 控制性好、并可实现高效均匀加工的此种新工艺(半曝光工艺)的基 板处理装置以及基板处理方法。此外，本专利技术的目的还在于提供可根据需要进行(3)干法剥离处 理(采用灰化处理的剥离处理)，以及(4)采用有机膜的二次曝光显影的变形处理，还有(5)通过在剥离处理前实施，使剥离处理更简单、 更高效的蚀刻后的有机膜图形的薄膜变形化处理，以及使(6)采用全 面曝光与显影的剥离处理等新的处理工艺和代替工艺成为可能，可用 小型的最小限度的单元有效降低成本、节省能源、节约资源，实施新 的或改进型处理工艺等多种处理的基板处理装置及基板处理方法。为了解决上述课题，本专利技术的基板处理装置，在对基板实施处理 的基板处理装置之中，其特征在于整体性配置进行基板传送的基板 传送机构、用于对基板实施药液处理的药液处理单元、和用于对基板 实施显影处理的显影处理单元。还有，本专利技术的基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装 置之中，其特征在于整体性配置进行基板传送的基板传送机构、用 于对基板实施药液处理的第1药液处理单元、和用于对基板实施药液 处理的第2药液处理单元。还有，本专利技术的基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装 置之中，其特征在于整体性配置进行基板传送的基板传送机构，用 于对基板实施显影处理的第1显影处理单元、和用于对基板实施显影 处理的第2显影处理单元。此外，在本专利技术的基板处理装置之中，最好整体性配置用于对基 板实施灰化处理的灰化处理单元。此外，在本专利技术的基板处理装置之中，最好还整体性配置用于对 基板上形成的有机膜图形之中，基板的理想范围内包含的有机膜图形 实施曝光处理的曝光处理单元。此外，在本专利技术的基板处理装置之中，也可在有机膜图形的加工 处理的开始时追加实施加热处理。该加热处理的目的在于去除例如在有机膜图形加工处理以前的工序中渗入有机膜图形内或其下部的水 分、酸、碱溶液，或在有机膜图形与底膜及基板的附着力低下时恢复该附着力。作为此种加热处理的例示，可用5(TC 15(TC的温度，进行 60 300秒的处理。因而在其处理方法之中，开始时使用温度调整单元 (或加热处理单元)的加热处理，例如用5(TC 15(TC的温度追加进行 60 300秒的加热处理也包含在本专利技术的基板处理方法之中。因此，在 其处理方法之中，开始时使用温度调整单元19 (或加热处理单元18) 的加热处理，例如用5(TC 15(TC的温度追加进行60 300秒的加热处 理也包含在本专利技术的基板处理方法之中。此外，在本专利技术的上述有机膜图形加工处理之中，还可完全去除 上述有机膜图形，表示有可能采用此法取代上述有机膜图形的剥离处理。若采用本专利技术，例如可很好地实施半曝光工艺。此外，还可根据需要进行(3)采用灰化处理的剥离处理。此外，(4)采用有机膜的二次曝光显影的变形处理，(5)通过在 剥离处理前实施，使剥离处理更简单、更高效的蚀刻后的有机膜图形 的薄膜变形化处理，以及(6)采用全面曝光与显影的剥离处理等新的 处理工艺和代替工艺成为可能，可以实现降低成本、节省能源、节约 资源的效果，用小型的最小限度的单元实现新工艺或改进处理工艺等 多种处理。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式涉及的基板处理方法的图。 图2是表示本专利技术的第2实施方式涉及的基板处理方法的图。 图3是表示本专利技术的第3实施方式涉及的基板处理方法的图。 图4是表示本专利技术的第4实施方式涉及的基板处理方法的图。图5是表示本专利技术的第4实施方式涉及的基板处理方法的图。图6是表示本专利技术的第1实施方式涉及的基板处理方法的具体用例的一系列工序图。图7是表示本专利技术的第4实施方式涉及的基板处理方法的第1具体用例的一系列工序图。图8是表示本专利技术的第4实施方式涉及的基板处理方法的第2具体用例的一系列工序图。图9是示意性表示基板处理装置的一例的俯视图。图IO是示意性表示基板处理装置的另一例的俯视图。图11是表示可选择性配置在基板处理装置中的处理单元的图。图12是表示药液处理单元(或显影处理单元)的一例的剖视图。图13是表示与应通过前处理去除的变质层的生成原因相对应的变质程度的图。图14是表示对变质层仅实施了灰化处理时的变质层的变化的图。 图15是表示对变质层仅实施了药液处理时的变质层的变化的图。 图16是表示对变质层实施了灰化处理与药液处理时的变质层的 变化的图。图17是表示药液处理中使用的药液中的胺类含有浓度与有无有 机膜变质相对应的去除比例的关系的图。具体实施例方式下面参照附图说明本专利技术涉及的实施方式。在本实施方式中，就本专利技术涉及的基板处理装置以及采用了该基 板处理装置的基板处理方法加以说明。可配置在本实施方式涉及的基板处理装置中的后补处理单元有图 11中所示的简易曝光处理单元17、加热处理单元1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括用于对基板实施显影处理的显影处理单元，其中，所述显影处理单元分复数次处理所述基板，并且具有使所述基板在每次处理时朝向不同方向的机构。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：城户秀作，
申请(专利权)人：NEC液晶技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]