一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版技术

本发明专利技术公开一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版，包括S500：在初步蚀刻完的金属掩膜版基材的第一主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第一凹陷区，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第二凹陷区；S600：第一主表面全面固化抗蚀剂，第二主表面制作出第三镂空区；S700：将第二主表面的第三镂空区蚀刻出第三凹陷区，第三凹陷区、第二凹陷区与第一凹陷区连通形成蚀刻孔，所述蚀刻孔贯穿金属掩膜版基材。本发明专利技术通过制程工艺方法，降低蚀刻的侧蚀量，使得金属掩膜版成品厚度仍维持金属掩膜版基材厚度，保证了成品的整体结构强度。保证了成品的整体结构强度。保证了成品的整体结构强度。

【技术实现步骤摘要】
一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版。

技术介绍

[0002]随着OLED面板分辨率的提高，精密金属遮罩上孔洞之间的距离也必须越来越近。以目前蚀刻制作的精密金属遮罩而言，受限于蚀刻特性，即往深度方向蚀刻的同时也会往侧边蚀刻，当孔洞间距随着分辨率提高缩小宽度时，将使相邻孔洞之间的第二主表面宽度逐步减少至零，更甚至削减金属基材的厚度，导致开孔区域结构强度大幅的弱化，容易使精密金属遮罩产生折痕问题。
[0003]如图1
‑
2所示，为现有技术中的蚀刻方法，在蚀刻完成后，其相邻孔洞之间的第二主表面宽度逐步减少至零，金属掩膜版的厚度也小于金属掩膜版基材的厚度，使得H2<H1，减小了成品的结构强度，金属遮罩容易在操作使用过程中折损。

技术实现思路

[0004]为解决以上技术问题，本专利技术提供了一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版，通过制程工艺方法，降低蚀刻的侧蚀量，使得金属掩膜版成品厚度仍维持金属掩膜版基材厚度，保证了成品的整体结构强度。
[0005]本专利技术采用以下技术方案：
[0006]一种金属掩膜版的蚀刻方法，包括以下步骤：S500：在初步蚀刻完的金属掩膜版基材的第一主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第一凹陷区，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第二凹陷区；S600：第一主表面全面固化抗蚀剂，第二主表面制作出第三镂空区；S700：将第二主表面的第三镂空区蚀刻出第三凹陷区，第三凹陷区、第二凹陷区与第一凹陷区连通形成蚀刻孔，所述蚀刻孔贯穿金属掩膜版基材。
[0007]作为优选，于所述S500中，在第二主表面上涂覆的抗蚀剂超出第二主表面3um～20um。
[0008]作为优选，还包括以下步骤：S100：提供一金属掩膜版基材，其包含第一主表面与第二主表面；S200：在第一主表面上完整涂覆抗蚀剂，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂；S300：在第一主表面上制作出第一镂空区形成预留的蚀刻区域，在第二主表面上制作出第二镂空区形成预留的蚀刻区域，第一镂空区与第二镂空区形成正对设置；S400：将第一主表面的第一镂空区蚀刻出第一凹陷区，在第二主表面的第二镂空区蚀刻出第二凹陷区，第一凹陷区与第二凹陷区两两正对并未贯通。
[0009]作为优选，所述S700中第三凹陷区的蚀刻时间为S400中第二凹陷区蚀刻时间的五分之一。
[0010]一种金属掩膜版，由上述金属掩膜版的蚀刻方法加工而成，且金属掩膜版的厚度H2与金属掩膜版基材的厚度H1相等。
[0011]作为优选，所述第三凹陷区与第二凹陷区形成的蒸镀斜坡上的起伏点T不高于第一凹陷区的边界点O与第二凹陷区的边界点R的连线。
[0012]作为优选，所述第三凹陷区、第二凹陷区与第一凹陷区连通形成的蚀刻孔为葫芦状结构。
[0013]作为优选，所述起伏点T与第二凹陷区的边界点R的连线与第二主表面的角度θ2≥80
°
。
[0014]作为优选，所述θ2≥85
°
。
[0015]作为优选，所述θ2为90度，第三镂空区宽度W3＝W2+T2*(8/5)，其中，W2为第二镂空区宽度，T2为第二凹陷区侧向蚀刻量。
[0016]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
[0017]1、本专利技术提供了一种金属掩膜版的蚀刻方法，在第二次蚀刻时，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第二凹陷区，在第二主表面制作出第三镂空区，控制降低蚀刻的侧蚀量，使得金属掩膜版成品厚度仍维持金属掩膜版基材厚度，保证了成品的整体结构强度。
[0018]2、本专利技术金属掩膜版成品的第三凹陷区与第二凹陷区形成的蒸镀斜坡上的起伏点T不高于第一凹陷区的边界点O与第二凹陷区的边界点R的连线，保证成品的整体结构强度的同时，不会对后续的加工过程产生影响。
附图说明
[0019]图1为现有技术的蚀刻工艺流程图。
[0020]图2为现有技术的蚀刻工艺示意图。
[0021]图3为本专利技术的蚀刻工艺流程图。
[0022]图4为本专利技术的蚀刻工艺示意图。
[0023]图5为金属掩膜版基材成品的部分结构示意图。
[0024]图6为金属掩膜版基材成品的部分结构另一示意图。
[0025]图7为金属掩膜版基材的初步蚀刻状态示意图。
具体实施方式
[0026]为了便于理解本专利技术技术方案，以下结合附图与具体实施例进行详细说明。
[0027]如图1－图2所示，为现有技术的金属掩膜版的蚀刻方法和相应的状态示意，在进行第二次蚀刻制程时，会将第二主表面的第二凹陷区蚀刻出第三凹陷区，直至穿透，如此蚀刻会使得相邻孔洞之间的第二主表面宽度逐步减少至零，金属掩膜版的厚度小于金属掩膜版基材的厚度，使得H2<H1，减小了成品的结构强度，金属遮罩容易在操作使用过程中折损。
[0028]实施例1
[0029]如图3－图7所示，本实施例公开了一种金属掩膜版的蚀刻方法，包括以下步骤：
[0030]S100：提供一金属掩膜版基材，其包含第一主表面与第二主表面；
[0031]本实施例中，所述第一主表面为金属掩膜版基材的上表面，第二主表面为金属掩膜版基材的下表面；
[0032]S200：在第一主表面上完整涂覆抗蚀剂，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂；所述第一主表面的抗蚀剂可以使用光刻胶或者树脂油墨；所述第二主表面的抗蚀剂优选为光刻
胶；
[0033]S300：在第一主表面上制作出第一镂空区形成预留的蚀刻区域，在第二主表面上制作出第二镂空区形成预留的蚀刻区域，第一镂空区与第二镂空区形成正对设置；
[0034]S400：将第一主表面的第一镂空区蚀刻出第一凹陷区，在第二主表面的第二镂空区蚀刻出第二凹陷区，第一凹陷区与第二凹陷区两两正对并未贯通；
[0035]本实施例中，所述第二凹陷区的最大直径大于第一凹陷区的最大直径，从截面看，所述第二凹陷区为一个较大的半圆结构，所述第一凹陷区为较小的半圆结构；
[0036]S500：在初步蚀刻完的金属掩膜版基材的第一主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第一凹陷区，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第二凹陷区；
[0037]其中，对第一主表面进行涂覆抗蚀剂要求对第一凹陷区形成完整的填孔性，无填孔不足或气泡累积；所述第一主表面的抗蚀剂可以使用光刻胶或者树脂油墨；所述第二主表面的抗蚀剂优选为光刻胶。
[0038]对第二主表面进行涂覆光刻胶要求对第二凹陷区形成完整的填孔性，无填孔不足或气泡累积；
[0039]其中，对第二主表面进行涂覆光刻胶时可以采用喷涂方式或者狭缝式涂布方式；
[0040]S600：第一主表面全面固化抗蚀剂，第二主表面制作出第三镂空区；由于第三镂空区有图形精度的要求，故本实施例中，所述第二主表面的光刻胶层超出第二主表面的高度厚度范围为3um～20um，优选为8um；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属掩膜版的蚀刻方法，抗蚀剂其特征在于，包括以下步骤：S500：在初步蚀刻完的金属掩膜版基材的第一主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第一凹陷区，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂并填满第二凹陷区；S600：第一主表面全面固化抗蚀剂，第二主表面制作出第三镂空区；S700：将第二主表面的第三镂空区蚀刻出第三凹陷区，第三凹陷区、第二凹陷区与第一凹陷区连通形成蚀刻孔，所述蚀刻孔贯穿金属掩膜版基材。2.根据权利要求1所述的一种金属掩膜版的蚀刻方法，其特征在于，于所述S500中，在第二主表面上涂覆的抗蚀剂超出第二主表面3um～20um。3.根据权利要求1所述的一种金属掩膜版的蚀刻方法，其特征在于，还包括以下步骤：S100：提供一金属掩膜版基材，其包含第一主表面与第二主表面；S200：在第一主表面上完整涂覆抗蚀剂，在第二主表面上完整涂覆抗蚀剂；S300：在第一主表面上制作出第一镂空区形成预留的蚀刻区域，在第二主表面上制作出第二镂空区形成预留的蚀刻区域，第一镂空区与第二镂空区形成正对设置；S400：将第一主表面的第一镂空区蚀刻出第一凹陷区，在第二主表面的第二镂空区蚀刻出第二凹陷区，第一凹陷区与第二凹陷区两两正对并未贯通。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐华伟，沈洵，
申请(专利权)人：浙江众凌科技有限公司，
类型：发明
国别省市：