【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学元件、光学系统、光刻系统和操作光学元件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]优先权申请DE 10 2020 208 415.7的内容通过引用整体并入。
[0003]本专利技术涉及用于光刻设备的光学元件、光学系统、光刻设备以及用于操作这种光学元件的方法。
技术介绍
[0004]微光刻用于生产微结构部件,例如集成电路。使用具有照明系统和投射系统的光刻设备来执行微光刻工艺。在这种情况下,通过照明系统照明的掩模(掩模母版)的像通过投射系统投射到比如硅晶片的衬底上,该衬底涂覆有光敏层(光致抗蚀剂)并布置在投射系统的像平面中,从而将掩模结构转印到衬底的光敏涂层上。
[0005]特别是在晶片的曝光期间,可能出现投射曝光设备(也称为“投射系统”)的光学元件(反射镜或透镜元件)的非旋转对称的光致加热。这种局部加热会导致光学元件相应的非旋转对称膨胀和光学元件的非旋转对称折射率分布,从而导致光学元件的成像质量降低。
[0006]在对成像质量要求很高的情况下,例如特别是在微光刻中的投射曝光方法中所要求的,所描述的光致成像像差是不能容忍的。
[0007]减少所述像差的一个选择在于加热,更具体地说是反向加热光学元件上的特定点。
[0008]文件US 5,679,946A、US 2003/0169520 A1和US 4,730,900A描述了这种加热。这些文件各自公开了一种光学布置,其包括测量光学元件温度的温度传感器和根据传感器测量的温度加热光学元件的加热元件。
[0009 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于光刻设备(100A、100B)的光学元件(200、210、220、230、240),包括:光学表面(201、211、221、231、241);以及光敏电阻(202、212、222、232、242),具有根据入射到所述光学表面(201、211、221、231、241)的区域(203、213、223、243)上的光能的量而变化的光敏电阻值(R
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)。2.根据权利要求1所述的光学元件,其中,所述光敏电阻(202、212、222、232、242)适于根据所述光敏电阻值(R
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)来加热所述光学元件(200、210、220、230、240),使得所述加热补偿由于入射光而发生的所述光学元件(200、210、220、230、240)的变形和/或由于入射光而发生的折射率变化。3.根据权利要求1或2所述的光学元件,还包括:加热元件(214、234),适于根据所述光敏电阻值(R
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)加热所述区域(203、213、223、243),所述加热元件(214、234)特别地与所述光敏电阻(202、212、222、232、242)并联连接。4.根据权利要求2或3所述的光学元件,其中,所述加热元件(214、234)电连接至电路(217)中的所述光敏电阻(202、212、222、232、242),并且所述光敏电阻值(R
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)的变化改变所述电路(217)的总电阻,使得所述加热元件(214)对所述区域(203、213、223、243)的加热发生变化。5.根据权利要求2至4中任一项所述的光学元件,其中,所述加热元件(214、234)被配置为:对所述区域(203、213、223、243)加热得越多,所述光敏电阻值(R
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)越大。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学元件,其中,所述光敏电阻(202、212、222、232、242)和/或所述加热元件(214、234)布置在所述光学元件(200、210、220、230、240)的衬底(207)中,所述衬底(207)布置在所述光学表面(201、211、221、231、241)的所述区域(203、213、223、243)的下方。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学元件,其中,所述光学元件包括多个光敏电阻(202、212、222、232、242)和/或多个加热元件(214、234),一个光敏电阻(202、212、222、232、242)和一个加热元件(214、234)在每种情况下一起形成加热模块(215),并且每个加热模块(215)适于加热所述光学表面(201、211、221、231、241)的不同区域(203、213、223、243)。8.根据权利要求6和7所述的光学元件,其中,每个加热模块(215)适于由专用电源线(216)供电,并且其中所述电源线(216)布置在所述光学元件(200、210、220、230、240)的所述衬底(207)内并且特别地彼此平行延伸。9.根据权利要求6和7所述的光学元件,包括至少一条电源线(216),所述电源线连接至多个加热模块(215)并且适于向所述加热模块供电,特别是根据多路复用方法。10.根据权利要求1至9中任一项所述的光学元件,其中,所述光敏电阻(202、212、222、232、242...
【专利技术属性】
技术研发人员:J,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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