一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法技术

技术编号:37709856 阅读:11 留言:0更新日期:2023-06-02 00:01
本发明专利技术公开了一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,包括,S1:基于阵列侧向测井深探测模式电阻率测量值变化特征,定性识别裂缝位置;S2:在已识别的裂缝位置处,提取阵列侧向测井各探测模式电阻率测量值,根据电阻率测量值计算获得裂缝倾角信息;S3:根据计算得到的裂缝倾角,基于不同泥浆电阻率条件,利用数值模拟技术构建阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版;S4:提取实际油气储层阵列侧向测井深探测视电阻率、泥浆电阻率数据,基于阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版插值得到储层裂缝孔隙度信息。本发明专利技术基于不同裂缝参数储层阵列侧向测井响应特征,构建了基于阵列侧向测井的裂缝参数定量评价模型,可为裂缝储层阵列侧向测井评价提供理论参考。供理论参考。供理论参考。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法


[0001]本专利技术涉及油气勘探
,更具体地,涉及一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法。

技术介绍

[0002]裂缝储层发育孔、缝及其组合的多种储集空间,具有各向异性明显、非均质性强等特点。与地震、地质数据相比,测井资料具有高分辨率的特点。双侧向测井的电流聚焦能力较强,广泛应用于裂缝的识别和评价。但双侧向测井在具有复杂孔隙结构储层裂缝评价中有局限性。而阵列侧向测井则是一种新型的技术,它基于双侧向测井改进而来,解决了常规三侧向、双侧向测井分辨率等的缺陷,对井旁裂缝等异常地质体具有较强的表征能力,可以获得丰富的电阻率测量资料,更加适用于裂缝的评价,阵列侧向测井已成为裂缝储层表征与评价的重要手段之一。
[0003]然而,目前阵列侧向测井裂缝参数评价仍停留在定性识别及表征层面,尚未形成裂缝参数定量评价模型及方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术为克服上述现有技术缺乏裂缝参数定量评价方法的问题,提供一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,包括以下步骤:
[0006]S1:基于阵列侧向测井深探测模式电阻率测量值变化特征,定性识别裂缝位置;
[0007]S2:在已识别的裂缝位置处,提取阵列侧向测井各探测模式电阻率测量值,根据电阻率测量值计算获得裂缝倾角信息;
[0008]S3:根据计算得到的裂缝倾角,基于不同泥浆电阻率条件,利用数值模拟技术构建阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版;
[0009]S4:提取实际油气储层阵列侧向测井深探测视电阻率、泥浆电阻率数据,基于阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版插值得到储层裂缝孔隙度信息。
[0010]优选地,在所述步骤S1中,裂缝判别条件为:
[0011]MRL4(i)<R
b
(1);MRL4(i)

MRL4(i

1)<0(2);
[0012]MRL4(i+1)

MRL4(i)>0(3),式中,MRL4为阵列侧向测井深探测模式电阻率测量值,单位为Ω.m;R
b
为基岩电阻率,单位为Ω.m;i为深度,单位为m。
[0013]优选地,在所述步骤S2中,裂缝倾角MRL1分别为阵列侧向测井深、浅探测模式电阻率测量值,单位为Ω.m。
[0014]优选地,在所述步骤S2中,Y<0时,裂缝倾角小于50度,为低角度裂缝;0<Y<0.1时,裂缝倾角范围在50度至74度之间,为倾斜裂缝;Y>0.1时,裂缝倾角大于74度,为高角度裂
缝。
[0015]优选地,在所述步骤S3中,根据步骤S2获得的裂缝倾角信息,模拟不同泥浆电阻率条件下阵列侧向测井响应特征,构建对应倾角的阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版。
[0016]优选地,在所述步骤S4中,若图版中有与之对应的泥浆电阻率的响应曲线,则计算阵列侧向测井视电阻率R
a
与泥浆电阻率R
m
的比值,根据阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版计算裂缝孔隙度;若图版中无与之对应的泥浆电阻率的响应曲线,则选取图版中泥浆电阻率与实际油气储层泥浆电阻率值最相近两条曲线的进行线性插值,根据插值得到的实际油气储层泥浆电阻率值对应的阵列侧向测井裂缝孔隙度响应曲线,计算阵列侧向测井视电阻率与泥浆电阻率比值,进而计算裂缝孔隙度。
[0017]优选地,所述线性插值的方法如下:
[0018]首先,欲求得未知函数f在P(x,y)的值,假设已知函数f在Q
11
(x1,y1)、Q
12
(x1,y2)、Q
21
(x2,y1)、Q
22
(x2,y2)的值;
[0019]然后,设P(x,y),R1(x,y1),R2(x,y2),并从两个方向分别插值:
[0020][0021][0022]本专利技术另一方面提供一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述方法的步骤。
[0023]优选地,所述存储器为半导体器件组成的存储器或磁性材料做成的存储器。
[0024]本专利技术另一方面提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有程序,当所述程序被处理器执行时,使得所述处理器执行如上所述的方法的步骤。
[0025]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术基于不同裂缝参数储层阵列侧向测井响应特征,构建了基于阵列侧向测井的裂缝参数定量评价模型,可为裂缝储层阵列侧向测井评价提供理论参考。
附图说明
[0026]图1是本专利技术阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法的流程图;
[0027]图2是本专利技术实施例5中裂缝识别示意图;
[0028]图3是本专利技术实施例5中实际测井资料裂缝参数计算结果;
[0029]图4是本专利技术实施例5中阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版;
[0030]图5是本专利技术实施例5中插值计算流程图;
[0031]图6是本专利技术实施例5中实际测井资料阵列侧向MRL4模式裂缝孔隙度插值计算示意图。
具体实施方式
[0032]附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制。
[0033]本专利技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本专利技术的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”“长”“短”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0034]下面通过具体实施例,并结合附图,对本专利技术的技术方案作进一步的具体描述:
[0035]实施例1
[0036]如图1所示,一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,包括以下步骤:
[0037]S1:基于阵列侧向测井深探测模式电阻率测量值变化特征,定性识别裂缝位置;
[0038]S2:在已识别的裂缝位置处,提取阵列侧向测井各探测模式电阻率测量值,根据电阻率测量值计算获得裂缝倾角信息;
[0039]S3:根据计算得到的裂缝倾角,基于不同泥浆电阻率条件,利用数值模拟技术构建阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版;
[0040]S4:提取实际油本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:基于阵列侧向测井深探测模式电阻率测量值变化特征,定性识别裂缝位置;S2:在已识别的裂缝位置处,提取阵列侧向测井各探测模式电阻率测量值,根据电阻率测量值计算获得裂缝倾角信息;S3:根据计算得到的裂缝倾角,基于不同泥浆电阻率条件,利用数值模拟技术构建阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版;S4:提取实际油气储层阵列侧向测井深探测视电阻率、泥浆电阻率数据,基于阵列侧向测井裂缝孔隙度响应图版插值得到储层裂缝孔隙度信息。2.根据权利要求1所述的阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,其特征在于,在所述步骤S1中,裂缝判别条件为:MRL4(i)<R
b
(1);MRL4(i)

MRL4(i

1)<0(2);MRL4(i+1)

MRL4(i)>0(3),式中,MRL4为阵列侧向测井深探测模式电阻率测量值,单位为Ω.m;R
b
为基岩电阻率,单位为Ω.m;i为深度,单位为m。3.根据权利要求2所述的阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,其特征在于,在所述步骤S2中,裂缝倾角MRL4、MRL1分别为阵列侧向测井深、浅探测模式电阻率测量值,单位为Ω.m。4.根据权利要求3所述的阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,其特征在于,在所述步骤S2中,Y<0时,裂缝倾角小于50度,为低角度裂缝;0<Y<0.1时,裂缝倾角范围在50度至74度之间,为倾斜裂缝;Y>0.1时,裂缝倾角大于74度,为高角度裂缝。5.根据权利要求1所述的阵列侧向测井地层裂缝参数评价方法,其特征在于:在所述步骤S3中,根...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄志洁高永德范彩伟吴进波胡向阳杨冬盛达
申请(专利权)人:中海石油中国有限公司湛江分公司
类型:发明
国别省市:

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