本发明专利技术公开了一种晶圆加工装置及其控制方法，以及一种晶圆加工方法。该晶圆加工装置包括：反应腔室，其上覆盖腔室盖板，其中，该腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，该中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，该第一刻度和该第二刻度垂直对应；以及晶圆托盘，设于该反应腔室内部，并配置有托盘调节机构，其中，该晶圆托盘的上表面设有第三刻度，该晶圆托盘在真空状态下被该托盘调节机构调节到目标位置时，该第三刻度垂直对应该第一刻度及该第二刻度。本发明专利技术能够在更加匹配晶圆加工工艺环境的真空状态下，对晶圆托盘进行可视化精确定位，从而规避晶圆在大气状态下和工艺环境下调节位置存在的偏差，提高晶圆镀膜的均匀性。的均匀性。的均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工装置及其控制方法和一种晶圆加工方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及了一种晶圆加工装置、一种晶圆加工装置的控制方法、一种晶圆加工方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]常见的半导体镀膜设备在进行常温或高温传片工艺过程时，反应腔内是密闭不可见的状态。由于反应腔内处于密闭不可见的状态，有时候开腔观察时会出现陶瓷环偏移、陶瓷衬套有裂纹、晶圆发生碎片以及传片失败等问题。
[0003]虽然，近年来出现了透明盖板结构的反应腔室，使得操作者可以观察晶圆托盘的位置调节过程，但是即使是通过肉眼观察，操作者还是很难从客观上精确调节晶圆托盘位置对中。而且，现有技术中，多为在大气状态下调整晶圆托盘的位置，与晶圆后续进行薄膜沉积的工艺环境不同。也就是说，即使在大气状态下调整好晶圆托盘的位置，在后续的晶圆进行工艺过程中，仍然可能因为反应腔内的工艺所需气压的变化，导致调整好的晶圆托盘的位置发生偏移，即影响工艺环境下的晶圆托盘的对中度，从而出现沉积薄膜不均匀的问题。
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种晶圆加工技术，能够在真空状态下，对晶圆托盘进行可视化的精确对中，使得晶圆托盘的调节环境更加匹配晶圆加工的工艺环境，从而有效规避晶圆在大气状态下和工艺环境下调节位置存在的偏差，进而提高半导体薄膜设备镀膜的均匀性。
技术实现思路
[0005]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
[0006]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种晶圆加工装置、一种晶圆加工装置的控制方法、一种晶圆加工方法，以及一种计算机可读存储介质，能够在真空状态下，对晶圆托盘进行可视化的精确对中，使得晶圆托盘的调节环境更加匹配晶圆加工的工艺环境，从而有效规避晶圆在大气状态下和工艺环境下调节位置存在的偏差，进而提高半导体薄膜设备镀膜的均匀性。
[0007]具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述晶圆加工装置，包括：反应腔室，其上覆盖腔室盖板，其中，所述腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，所述中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，所述第一刻度和所述第二刻度垂直对应；以及晶圆托盘，设于所述反应腔室内部，并配置有托盘调节机构，其中，所述晶圆托盘的上表面设有第三刻度，所述晶圆托盘在真空状态下被所述托盘调节机构调节到目标位置时，所述第三刻度垂直对应所述第一刻度及所述第二刻度。
[0008]可选地，一些实施例中，所述腔室盖板的外围区域设有多个辅助观察窗，所述辅助观察窗垂直对准所述晶圆托盘的外缘。
[0009]可选地，一些实施例中，所述辅助观察窗的上表面设有第四刻度，而其下表面设有第五刻度，所述第四刻度及所述第五刻度在所述晶圆托盘位于所述目标位置时，垂直对应所述晶圆托盘的外缘。
[0010]可选地，一些实施例中，所述中心观察窗包括多条所述第一刻度及多条所述第二刻度，和/或所述晶圆托盘包括多条所述第三刻度，其中，各所述第一刻度、各所述第二刻度和/或各所述第三刻度之间保持预设间距，以指示所述晶圆托盘需要调整的距离。
[0011]可选地，一些实施例中，所述中心观察窗的上表面和下表面之间的厚度增大至20mm～30mm范围内。
[0012]可选地，一些实施例中，所述腔室盖板的背面设有至少一处向外凸起的第一定位部，所述反应腔室与之接触的边沿位置设有对应的向内凹陷的第二定位部。
[0013]此外，根据本专利技术的第二方面提供的上述晶圆加工装置的控制方法，包括以下步骤：将反应腔室抽至真空状态，其中，所述反应腔室的上方覆盖腔室盖板，所述腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，所述中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，所述第一刻度和所述第二刻度垂直对应；以及在所述真空状态下，经由托盘调节机构调节所述晶圆托盘的位置，以使所述晶圆托盘的上表面的所述第三刻度垂直对应所述第一刻度及所述第二刻度。
[0014]可选地，一些实施例中，所述腔室盖板的外围区域设有多个辅助观察窗，所述辅助观察窗的上表面设有第四刻度，而其下表面设有第五刻度，所述第四刻度和所述第五刻度垂直对应，所述控制方法还包括以下步骤：经由所述托盘调节机构调节所述晶圆托盘的位置，以使所述晶圆托盘的外缘垂直对应所述第四刻度及所述第五刻度。
[0015]可选地，一些实施例中，所述中心观察窗包括多条所述第一刻度及多条所述第二刻度，和/或所述晶圆托盘包括多条所述第三刻度，其中，各所述第一刻度、各所述第二刻度和/或各所述第三刻度之间保持预设间距，所述经由托盘调节机构调节所述晶圆托盘的位置，以使所述第三刻度处置对应所述第一刻度及所述第二刻度的步骤包括：确定目标第三刻度与其对应的第一刻度及第二刻度的偏差刻度数；根据所述偏差刻度数及所述预设间距，确定所述晶圆托盘的当前位置与目标位置的偏差距离；以及根据所述偏差距离调节所述晶圆托盘的位置，以使所述第三刻度垂直对应所述第一刻度及所述第二刻度。
[0016]此外，根据本专利技术的第三方面还提供了上述计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理器执行时，实施本专利技术的第二方面提供的上述晶圆加工装置的控制方法。
[0017]最后，根据本专利技术的第四方面还提供了上述晶圆加工方法，使用本专利技术第一方面提供上述晶圆加工装置处理待加工的晶圆。
附图说明
[0018]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本专利技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0019]图1示出了根据本专利技术的一些实施例所提供的一种晶圆加工装置的结构示意图；
[0020]图2示出了图1所示的晶圆加工装置中的晶圆托盘的结构示意图；
[0021]图3示出了根据本专利技术的另一些实施例所提供一种晶圆加工装置的结构示意图；
[0022]图4示出了根据本专利技术的一些实施例所提供的腔室盖板的结构爆炸图；
[0023]图5示出了根据本专利技术的一些实施例所提供的腔室盖板的背面示意图；
[0024]图6示出了根据本专利技术的一些实施例所提供的晶圆加工装置的局部放大图；
[0025]图7示出了根据本专利技术的一些实施例所提供的一种晶圆加工装置的控制方法的流程示意图；以及
[0026]图8示出了根据图7所示一些实施例所提供的晶圆加工装置的控制方法的部分流程示意图。
[0027]附图标记：
[0028]100晶圆加工装置；
[0029]110反应腔室；
[0030]111第二定位部；
[0031]120腔室盖板；
[0032]121中心观察窗；
[0033]12本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：反应腔室，其上覆盖腔室盖板，其中，所述腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，所述中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，所述第一刻度和所述第二刻度垂直对应；以及晶圆托盘，设于所述反应腔室内部，并配置有托盘调节机构，其中，所述晶圆托盘的上表面设有第三刻度，所述晶圆托盘在真空状态下被所述托盘调节机构调节到目标位置时，所述第三刻度垂直对应所述第一刻度及所述第二刻度。2.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述腔室盖板的外围区域设有多个辅助观察窗，所述辅助观察窗垂直对准所述晶圆托盘的外缘。3.如权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述辅助观察窗的上表面设有第四刻度，而其下表面设有第五刻度，所述第四刻度及所述第五刻度在所述晶圆托盘位于所述目标位置时，垂直对应所述晶圆托盘的外缘。4.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述中心观察窗包括多条所述第一刻度及多条所述第二刻度，和/或所述晶圆托盘包括多条所述第三刻度，其中，各所述第一刻度、各所述第二刻度和/或各所述第三刻度之间保持预设间距，以指示所述晶圆托盘需要调整的距离。5.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述中心观察窗的上表面和下表面之间的厚度增大至20mm～30mm范围内。6.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述腔室盖板的背面设有至少一处向外凸起的第一定位部，所述反应腔室与之接触的边沿位置设有对应的向内凹陷的第二定位部。7.一种晶圆加工装置的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：将反应腔室抽至真空状态，其中，所述反应腔室的上方覆盖腔室盖板，所述腔室...
【专利技术属性】
技术研发人员：张启辉，吴凤丽，朱晓亮，杨华龙，高鹏飞，赵坤，杨天奇，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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