本发明专利技术提供的基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，包括长条形的基板和设置在基板上的谐振器组，基板两侧长边中点的连线构成中心线，谐振器组包括多个谐振器，谐振器呈平行于中心线的长条形，位于中心线两侧的谐振器相互对称，通过使相邻的谐振器相间隔且交错设置，能够形成具有耦合功能的交指结构，通过在所有谐振器上均不开孔，使得电流能够缓慢通过，从而减小干扰，提升高端抑制，扩大适用范围，在实际制作时，还能够避免因通孔尺寸误差对中心频率产生的影响，使中心频率更加稳定。使中心频率更加稳定。使中心频率更加稳定。
【技术实现步骤摘要】
一种基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器
[0001]本专利技术涉及薄膜微带滤波器
，具体涉及一种基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器。
技术介绍
[0002]众所周知，薄膜微带滤波器是采用薄膜工艺在陶瓷基板上制作超细线条图形，以完成特定电路功能的滤波器，具有线条细、精度高、散热性能好、可靠性高等优点，在微波电路系统中的应用越来越广泛。
[0003]传统的薄膜微带滤波器大多如图 1所示，包括基板、具有多个谐振器的谐振器组，以及设置在谐振器上的接地通孔，利用并排且间隔设置的线条形谐振器实现滤波功能，但由于通孔的存在，电流能够迅速通过，造成的干扰大，使得该方案的高端抑制与理想状态相距甚远，如图2所示。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是为了克服现有技术的缺点，提供一种基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器。
[0005]为达到上述目的，本专利技术提供的技术方案是，基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，包括长条形的基板和设置在所述基板上的谐振器组，所述基板两侧长边中点的连线构成中心线，所述谐振器组包括多个谐振器，所述谐振器呈平行于所述中心线的长条形，位于所述中心线两侧的所述谐振器相互对称，相邻的所述谐振器相间隔且交错设置，形成交指结构，所有所述谐振器上均不开孔。
[0006]优选地，所述谐振器组包括2n+1个所述谐振器，位于中间位置的所述谐振器经过所述中心线，并沿所述中心线对称分布，其中，n为大于等于1的自然数。
[0007]优选地，所述谐振器的长度与所述薄膜微带滤波器的中心频率负相关。
[0008]优选地，相邻的所述谐振器的交错量与所述交指结构的耦合量正相关。
[0009]优选地，所述基板为介电常数为9.8的氧化铝陶瓷基板，所述基板的长度小于等于8mm，宽度小于等于3.5mm，厚度为0.25
‑
0.30mm。
[0010]优选地，所述薄膜微带滤波器在低端侧的带外抑制大于等于50dB，高端侧的带外抑制大于等于40dB。
[0011]优选地，所述薄膜微带滤波器的带内回波大于等于15dB。
[0012]优选地，所述薄膜微带滤波器还包括输入端口，所述输入端口通过阻抗为50欧姆的阻抗线连接在所述谐振器组最外侧的所述谐振器上。
[0013]由于上述技术方案的运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：本专利技术提供的基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，包括长条形的基板和设置在基板上的谐振器组，基板两侧长边中点的连线构成中心线，谐振器组包括多个谐振器，谐振器呈平行于中心线的长条形，位于中心线两侧的谐振器相互对称，通过使相邻的谐
振器相间隔且交错设置，能够形成具有耦合功能的交指结构，通过在所有谐振器上均不开孔，使得电流能够缓慢通过，从而减小干扰，提升高端抑制，扩大适用范围，在实际制作时，还能够避免因通孔尺寸误差对中心频率产生的影响，使中心频率更加稳定。
附图说明
[0014]图1是现有技术中薄膜微带滤波器的结构示意图。
[0015]图2是图1的电气性能图。
[0016]图3是本专利技术优选实施例的结构示意图。
[0017]图4是图3的电气性能图。
[0018]其中：10.基板；11.中心线；20.谐振器组；21.谐振器；22.接地通孔；30.输入端口；40.阻抗线。
实施方式
[0019]下面结合附图对本专利技术的技术方案进行详细描述。
[0020]如图3所示，本专利技术提供的薄膜微带滤波器，中心频率F0=35Ghz，带宽0.6Ghz，在低端侧29.4Ghz处的抑制大于等于50dB，在高端侧40Ghz处的抑制大于等于40dB，带内回波大于等于15dB，其包括长条形的基板10和设置在基板10上的谐振器组20，以及输入端口30，基板10为介电常数为9.8的氧化铝陶瓷基板，基板10的长度等于8mm，宽度等于3.5mm，厚度为0.254mm，基板10两侧长边中点的连线构成中心线11，谐振器组20包括七个谐振器21，谐振器21呈平行于中心线11的长条形，位于中心线11两侧的谐振器21相互对称，位于中间位置的谐振器21经过中心线11，并沿中心线11对称分布，相邻的谐振器21相间隔且交错设置，形成具有耦合功能的交指结构，所有谐振器21上均不开孔，输入端口30通过阻抗为50欧姆的阻抗线40连接在谐振器组20最外侧的谐振器21上。
[0021]这样设置的好处在于，既能够通过交指结构形成耦合，又能够使电流缓慢通过，减小干扰并提升高端抑制，在实际制作时，还能够避免因通孔尺寸误差对中心频率产生的影响，使中心频率更加稳定。
[0022]在本实施例中，由于取消了谐振器21上的通孔，会影响中心频率及耦合量，可通过调整谐振器21的长度来改变中心频率，还可通过调整相邻谐振器21的交错量改变耦合量，具体地，增加谐振器21的长度，能够降低中心频率，缩短谐振器21的长度，能够提升中心频率，增加相邻相邻谐振器21的交错量，能够增加交指结构的耦合量，减小相邻相邻谐振器21的交错量，能够减小交指结构的耦合量，也就是说，谐振器21的长度与该薄膜微带滤波器的中心频率负相关，相邻的谐振器21的交错量与交指结构的耦合量正相关。
[0023]以上仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，包括长条形的基板和设置在所述基板上的谐振器组，所述基板两侧长边中点的连线构成中心线，所述谐振器组包括多个谐振器，其特征在于：所述谐振器呈平行于所述中心线的长条形，位于所述中心线两侧的所述谐振器相互对称，相邻的所述谐振器相间隔且交错设置，形成交指结构，所有所述谐振器上均不开孔。2.根据权利要求1所述的基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，其特征在于：所述谐振器组包括2n+1个所述谐振器，位于中间位置的所述谐振器经过所述中心线，并沿所述中心线对称分布，其中，n为大于等于1的自然数。3.根据权利要求1所述的基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，其特征在于：所述谐振器的长度与所述薄膜微带滤波器的中心频率负相关。4.根据权利要求1所述的基于交指结构的高端高抑制薄膜微带滤波器，其特征在于：相邻的所述谐振器的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱琦，刘亚东，张颖，
申请(专利权)人：江苏灿勤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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