【技术实现步骤摘要】
空穴传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
[0001]本公开涉及钙钛矿太阳能电池
,具体涉及一种快速氧化Spiro空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
[0002]钙钛矿太阳能电池自2009年专利技术,由于其制备成本低廉,沉积方法简单,光电效率高等一系列优势,其发展十分迅速。目前,钙钛矿太阳能电池的最高效率已经达25%以上,已经成为新一代光伏中最有可能商业化的技术。对于实现超高效率的钙钛矿太阳能电池,空穴传输材料2,2
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,7,7
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四[N,N
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二(4
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甲氧基苯基)氨基]‑
9,9
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螺二芴(简称为Spiro)起到了重要作用。但是Spiro材料由于本身的较低载流子浓度和空穴迁移率,故需要通过氧化剂氧化Spiro以获得p型自掺杂的自由基态的Spiro
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。传统的双三氟甲磺酰亚胺锂(简称为LiTFSI)掺杂则需要Spiro薄膜在水和氧气作用下长时间氧化8~24小时才能具备较高的电导率和空穴抽取能力。这种Spiro长时间和水氧接触的氧化方式会极大增加下层钙钛矿薄膜的分解风险,同时也增大了钙钛矿太阳能电池的制备周期和时间成本。
技术实现思路
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]有鉴于此,本公开提供了一种快速氧化Spiro空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法,用于解决传统Spiro空穴传输层氧化时间长、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种快速氧化Spiro空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括:S1,将2,2
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,7,7
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四[N,N
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二(4
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甲氧基苯基)氨基]
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螺二芴溶解于有机溶剂中,得到Spiro溶液;S2,向所述Spiro溶液中加入碘单质,所述碘单质有利于加速生成p型的被氧化的自由基态Spiro
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;S3,将S2所得的混合溶液进行旋涂,置于干燥柜中使之进行快速氧化,得到Spiro空穴传输层。2.根据权利要求1所述的快速氧化Spiro空穴传输层的制备方法,其特征在于,所述S1中有机溶剂包括氯苯、甲苯中的一种。3.根据权利要求1所述的快速氧化Spiro空穴传输层的制备方法,其特征在于,所述S1中Spiro溶液的浓度范围为72.3~90.0mg/mL。4.根据权利要求1所述的快速氧化Spiro空穴传输层的制备方法,其特征在于,所述S2所得的混合溶液中碘单质掺杂的浓度范围为7~14mol%。5.根据权利要求1所述的快速氧化Spiro空穴传输层的制备方法,其特征在于,所述S3中干燥柜的温度范围为20~25℃,湿度<1%;所述S3中快速氧化的时间为4~5小时。6.一种快速氧化Spiro空穴传输层,其特征在于,包括:2,2
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,7,7
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四[N,N
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二(4
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甲氧基苯基)氨基]
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螺二芴;碘单质;其中,所述碘单质与所述2,2
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,7,7
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四[N,N
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二(4
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甲氧基苯基)氨基]
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9,9
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螺二芴通过氧化反应生成p型的被氧化的自由基态Spiro
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,有利于进行快速氧化步骤。7.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,自下而上依次包括:透明导电衬底(1),用于将钙钛矿太阳能电池内产生的电子输运至所述钙钛矿太阳能电池的外...
【专利技术属性】
技术研发人员:马飞,赵洋,游经碧,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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