半导体模块制造技术

半导体模块具备：具有在厚度方向上隔开间隔的主面以及背面的导电基板；与上述主面电接合且具有开关功能的半导体元件；以及构成由上述半导体元件进行开关的主电路电流的路径的导通部件。上述半导体元件在上述厚度方向上观察时呈具有四个角部的矩形形状。上述导通部件具有在上述厚度方向上观察时与上述半导体元件重叠的部分。另外，上述导通部件不与上述半导体元件的上述四个角部中的至少三个角部重叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块


[0001]本公开涉及半导体模块。

技术介绍

[0002]以往，公知有具备MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用开关元件的半导体模块。这种半导体模块搭载于工业设备至家电、信息终端、汽车用设备的各种电子设备。在专利文献1中，公开了以往的半导体模块(功率模块)。专利文献1所记载的半导体模块具备半导体元件、以及支撑基板(陶瓷基板)。半导体元件例如是Si(硅)制的IGBT。支撑基板支撑半导体元件。支撑基板包含绝缘性的基材、以及层叠于基材的两面的导体层。基材例如由陶瓷构成。各导体层例如由Cu(铜)构成，在一方的导体层接合有半导体元件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015－220382号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]近年来，要求电子设备的节能化、高性能化以及小型化。因此，需要搭载于电子设备的半导体模块的性能提高、小型化等。
[0008]鉴于上述事情，本公开的一个课题是提供一种半导体模块，其在实现寄生电阻成分的抑制的方面具有优选的模块构造。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]基于本公开提供的半导体模块具备：导电基板，其具有在厚度方向上隔开间隔的主面以及背面；至少一个半导体元件，其与上述主面电接合，且具有开关功能；以及导通部件，其构成由上述半导体元件进行开关的主电路电流的路径。上述半导体元件在上述厚度方向上观察时呈具有四个角部的矩形形状。上述导通部件具有在上述厚度方向上观察时与上述半导体元件重叠的部分，上述导通部件不与上述四个角部中的至少三个角部重叠。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本公开的上述结构，能够提供在实现寄生电阻成分的抑制的方面优选的模块构造。
附图说明
[0013]图1是第一实施方式的半导体模块的立体图。
[0014]图2是在图1的立体图中省略了封固树脂、树脂部以及树脂填充部的图。
[0015]图3是在图2的立体图中省略了导通部件的图。
[0016]图4是表示第一实施方式的半导体模块的俯视图。
[0017]图5是在图4的俯视图中用想象线示出封固树脂、树脂部以及树脂填充部的图。
[0018]图6是放大了图5的一部分的局部放大图，省略了封固树脂、树脂部以及树脂填充部的想象线。
[0019]图7是放大了图6的一部分的局部放大图。
[0020]图8是在图5的俯视图中用想象线示出导通部件的一部分的图。
[0021]图9是表示第一实施方式的半导体模块的主视图。
[0022]图10是表示第一实施方式的半导体模块的仰视图。
[0023]图11是表示第一实施方式的半导体模块的左侧视图。
[0024]图12是表示第一实施方式的半导体模块的右侧视图。
[0025]图13是沿图5的XIII－XIII线的剖视图。
[0026]图14是沿图5的XIV－XIV线的剖视图。
[0027]图15是放大了图14的一部分的局部放大图。
[0028]图16是沿图5的XVI－XVI线的剖视图。
[0029]图17是沿图5的XVII－XVII线的剖视图。
[0030]图18是沿图5的XVIII－XVIII线的剖视图。
[0031]图19是沿图5的XIX－XIX线的剖视图。
[0032]图20是第一实施方式的半导体模块的电路构成例。
[0033]图21是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的俯视图。
[0034]图22是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的剖面示意图。
[0035]图23是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的俯视图。
[0036]图24是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的剖切部端面图，与图13所示的剖面对应。
[0037]图25是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图，与放大了图13所示的剖面的一部分的图对应。
[0038]图26是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图，与放大了图14所示的剖面的一部分的图对应。
[0039]图27是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图，与放大了图14所示的剖面的一部分的图对应。
[0040]图28是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图，与放大了图13所示的剖面的一部分的图对应。
[0041]图29是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图，与放大了图14所示的剖面的一部分的图对应。
[0042]图30表示第二实施方式的半导体模块，是与图5相同的俯视图。
[0043]图31是放大了图30的一部分的局部放大图，省略了封固树脂、树脂部以及树脂填充部的想象线。
[0044]图32是放大了图31的一部分的局部放大图。
[0045]图33表示第三实施方式的半导体模块，是与图5相同的俯视图。
[0046]图34是沿图33的XXXIV－XXXIV线的剖视图。
具体实施方式
[0047]以下参照附图对本公开的半导体模块的优选的实施方式进行说明。在以下的说明中，对于相同或类似的构成要素标注相同的符号，并省略重复的说明。
[0048]图1～图20表示第一实施方式的半导体模块A1。半导体模块A1具备多个半导体元件10、导电基板2、支撑基板3、多个输入端子41～43、多个输出端子44、多个控制端子45、控制端子支撑体5、导通部件6、第一导电性接合材料71、第二导电性接合材料72、多个金属丝731～735、封固树脂8、树脂部87以及树脂填充部88。
[0049]图1是表示半导体模块A1的立体图。图2是在图1的立体图中省略了封固树脂8、树脂部87以及树脂填充部88的图。图3是在图2的立体图中省略了导通部件6的图。图4是表示半导体模块A1的俯视图。图5是在图4的俯视图中用想象线示出封固树脂8、树脂部87以及树脂填充部88的图。图6是放大了图5的一部分的局部放大图。在图6中，省略了封固树脂8、树脂部87以及树脂填充部88的想象线。图7是放大了图6的一部分的局部放大图。图8是在图5的俯视图中用想象线示出导通部件6的一部分(后述的第二导通部件62)的图。图9是表示半导体模块A1的主视图。图10是表示半导体模块A1的仰视图。图11是表示半导体模块A1的左侧视图。图12是表示半导体模块A1的右侧视图。图13是沿图5的XIII－XIII线的剖视图。图14是沿图5的XIV－XIV线的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其特征在于，具备：导电基板，其具有在厚度方向上隔开间隔的主面以及背面；至少一个半导体元件，其与上述主面电接合，且具有开关功能；以及导通部件，其构成由上述半导体元件进行开关的主电路电流的路径，上述半导体元件在上述厚度方向上观察时呈具有四个角部的矩形形状，上述导通部件具有在上述厚度方向上观察时与上述半导体元件重叠的部分，上述导通部件不与上述四个角部中的至少三个角部重叠。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，上述导电基板包含在与上述厚度方向正交的第一方向上相互隔开间隔配置的第一导电部以及第二导电部，上述至少一个半导体元件包括：与上述第一导电部电接合的至少一个第一半导体元件；以及与上述第二导电部电接合的至少一个第二半导体元件，上述导通部件包括：与上述第一半导体元件连接的第一导通部件；以及与上述第二半导体元件连接且在上述厚度方向上观察时与上述第一半导体元件重叠的第二导通部件。3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，还具备：第一输入端子，其相对于上述第一半导体元件位于上述第一方向一方侧，且与上述第一导电部电连接；以及第二输入端子，其相对于上述第一半导体元件位于上述第一方向一方侧，且与上述第二导通部件电连接。4.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，还具备第三输入端子，上述至少一个第一半导体元件包含在与上述厚度方向以及上述第一方向双方正交的第二方向上相互隔开间隔配置的多个第一半导体元件，包含在上述第二方向上相互隔开间隔配置的多个第二半导体元件，上述第三输入端子相对于上述多个第一半导体元件位于上述第一方向一方侧，且与上述多个第二半导体元件连接，上述第一输入端子在上述第二方向上配置在上述第二输入端子以及上述第三输入端子之间，上述第二导通部件包括：与上述第二输入端子连接且在上述第一方向上延伸的第一配线部；与上述第三输入端子连接且在上述第一方向上延伸的第二配线部；与上述第一配线部以及上述第二配线部双方电连接并在上述第二方向上延伸、而且与上述多个第二半导体元件连接的第三配线部；以及与上述第一配线部以及上述第二配线部双方电连接并相对于上述第三配线部位于上述第一方向一方侧、而且在上述厚度方向上观察时与上述多个第一半导体元件重叠的第四配线部。5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，上述多个第一半导体元件分别具有：在上述厚度方向上观察时位于上述第一方向一方侧位置且沿上述第二方向的第一边；位于上述第一方向另一方侧且沿上述第二方向的第二边；位于上述第二方向一方侧且沿上述第一方向的第三边；以及位于上述第二方向另一方侧且沿上述第一方向的第四边，
上述第四配线部具有在上述厚度方向上观察时与上述多个第一半导体元件重叠的多个区域，各区域具有位于上述第一方向一方侧的第一端缘、以及位于上述第一方向另一方侧的第二端缘，在上述厚度方...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷川昂平，林健二，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：