基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序制造方法及图纸

提供一种技术，具有：处理容器，其对基板进行处理；外侧容器，其覆盖处理容器的外周；气体流路，其形成于外侧容器与处理容器的外周之间；排气路，其与气体流路连通；调整阀，其构成为能够调整排气路的流导；第一排气装置，其被设置在排气路上且调整阀的下游；压力传感器，其测定外侧容器内的压力；控制部，其构成为能够根据由压力传感器测定出的压力来控制第一排气装置而调整第一排气装置的排气风量。排气装置而调整第一排气装置的排气风量。排气装置而调整第一排气装置的排气风量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序。

技术介绍

[0002]公开了在基板处理装置中设置有使温度调整气体在处理容器与等离子体生成部之间流动的流路、从该流路排出温度调整气体的排气路、以及被设置于排气路的调整阀的构造(例如，参照日本特开2014
‑
170634号公报)。在该基板处理装置中，利用被设置于排气路或与排气路的前端连接的排气装置排出温度调整气体。此时，通过根据处理容器的温度对调整阀的开度进行调整来控制温度调整气体的流量(排气风量)，将处理容器的温度维持在规定的温度。

技术实现思路

[0003]专利技术要解决的课题
[0004]然而，因处理容器的温度变动、与排气路的前端连接的排气装置中的压力变动等原因，有时难以维持稳定的排气风量。
[0005]本公开的目的在于，以稳定的风量对处理容器的周围的空间进行排气，稳定地维持处理容器的温度。
[0006]用于解决课题的手段
[0007]根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：处理容器，其对基板进行处理；外侧容器，其覆盖所述处理容器的外周；气体流路，其形成于所述外侧容器与所述处理容器的外周之间；排气路，其与所述气体流路连通；调整阀，其构成为能够调整所述排气路的流导；第一排气装置，其被设置在所述排气路上且所述调整阀的下游；压力传感器，其被设置于所述外侧容器内，测定所述外侧容器内的压力；控制部，其构成为能够根据由所述压力传感器测定出的压力来控制所述第一排气装置而调整所述第一排气装置的排气风量。
[0008]专利技术效果
[0009]根据本公开，能够以稳定的风量对处理容器的周围的空间进行排气，稳定地维持处理容器的温度。
附图说明
[0010]图1是本公开的一实施方式的基板处理装置的概略剖视图。
[0011]图2是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的控制部(控制单元)的结构的图。
[0012]图3是表示本公开的一实施方式的基板处理工序的流程图。
[0013]图4是表示与风门的开度对应的、第二排气装置的风量与罩差压的关系的线图。
[0014]图5是表示与第一排气装置(风扇)以及第二排气装置(鼓风机)的工作频率对应的、风门开度与罩差压的关系的线图。
[0015]图6是表示使第二排气装置(鼓风机)的风量变动时的差压、第一排气装置(风扇)的工作频率以及处理容器的温度的变化的线图。
[0016]图7是表示在等离子体生成部中使高频连续进行了放电时的、差压、第一排气装置(风扇)的工作频率以及处理容器的温度的变化的线图。
具体实施方式
[0017]以下，根据附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中使用相同的附图标记表示的结构要素是指相同或同样的结构要素。此外，在以下说明的实施方式中，有时省略重复的说明以及附图标记。另外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0018]＜本公开的一实施方式＞
[0019](1)基板处理装置的结构
[0020]以下，使用图1对本公开的第一实施方式的基板处理装置进行说明。本实施方式的基板处理装置100构成为主要对形成在基板面上的膜进行氧化处理。该基板处理装置100具有：处理容器203、覆盖处理容器203的外周的作为外侧容器的一例的遮蔽板1223、气体流路1000、排气路1002、作为调整阀的一例的风门1004、作为第一排气装置的一例的风扇1010、压力传感器1006、作为控制部的控制器221、以及等离子体生成部1008。
[0021](处理室)
[0022]基板处理装置100具有对晶片200进行等离子体处理的处理炉202。在处理炉202中设置有构成处理室201并对作为基板的一例的晶片200进行处理的处理容器203。处理容器203具有作为第一容器的圆顶型的上侧容器210和作为第二容器的碗型的下侧容器211。上侧容器210覆盖在下侧容器211之上，由此，形成处理室201。上侧容器210例如由氧化铝(Al2O3)或石英(SiO2)等非金属材料形成，下侧容器211例如由铝(Al)形成。
[0023]另外，在下侧容器211的下部侧壁设置有闸阀244。闸阀244构成为，在打开时，能够使用搬送机构(未图示)，经由搬入搬出口245向处理室201内搬入晶片200，或向处理室201外搬出晶片200。闸阀244构成为在关闭时成为保持处理室201内的气密性的隔离阀。
[0024]处理室201具有在周围设置有线圈212的等离子体生成空间201a和与等离子体生成空间201a连通并对晶片200进行处理的基板处理空间201b。等离子体生成空间201a是生成等离子体的空间，是指处理室内的、与线圈212的下端相比更靠上方且与线圈212的上端相比更靠下方的空间。另一方面，基板处理空间201b是使用等离子体对基板进行处理的空间，是指与线圈212的下端相比更靠下方的空间。在本实施方式中，构成为等离子体生成空间201a与基板处理空间201b的水平方向的直径大致相同。
[0025](基座)
[0026]在处理室201的底侧中央配置有载置晶片200的作为基板载置部的基座217。
[0027]在基座217的内部一体地埋入有作为加热机构的加热器217b。加热器217b构成为，当被供给电力时，能够将晶片200表面加热至例如25℃至750℃左右。
[0028]基座217与下侧容器211电绝缘。为了进一步提高在载置于基座217的晶片200上生成的等离子体的密度的均匀性，阻抗调整电极217c被设置于基座217内部，经由作为阻抗调
整部的阻抗可变机构275接地。
[0029]在基座217设置有具有使基座升降的驱动机构的基座升降机构268。另外，在基座217设置有贯通孔217a，并且在下侧容器211的底面设置有晶片顶起销266。在通过基座升降机构268使基座217下降时，晶片顶起销266在与基座217非接触的状态下穿过贯通孔217a。本实施方式的基板载置部主要由基座217及加热器217b、电极217c构成。
[0030](气体供给部)
[0031]在处理室201的上方，即上侧容器210的上部设置有气体供给头236。气体供给头236具有：帽状的盖体233、气体导入口234、缓冲室237、开口238、遮蔽板240以及气体吹出口239，构成为能够向处理室201内供给反应气体。缓冲室237具有作为分散空间的功能，该分散空间使从气体导入口234导入的反应气体分散。
[0032]供给含氧气体的含氧气体供给管232a的下游端、供给含氢气体的含氢气体供给管232b的下游端、以及供给非活性气体的非活性气体供给管232c以合流的方式与气体导入口234连接。在含氧气体供给管2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理容器，其处理基板；外侧容器，其覆盖所述处理容器的外周；气体流路，其形成于所述外侧容器与所述处理容器的外周之间；排气路，其与所述气体流路连通；调整阀，其构成为能够调整所述排气路的流导；第一排气装置，其被设置在所述排气路上且所述调整阀的下游；压力传感器，其测定所述外侧容器内的压力；控制部，其构成为能够根据由所述压力传感器测定出的压力，控制所述第一排气装置来调整所述第一排气装置的排气风量。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：等离子体生成部，其在所述外侧容器与所述处理容器的外周之间以沿着所述处理容器的外周的方式被设置，由构成为被供给高频电力的电极构成，对供给到所述处理容器内的气体进行等离子体激发，所述电极由以卷绕于所述处理容器的外周的方式设置的线圈构成。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部构成为能够控制所述第一排气装置，以使由所述压力传感器测定出的压力与大气压的差压成为规定的差压值。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，根据所述规定的差压值对所述调整阀设定预先确定的开度。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述调整阀根据所述规定的差压值和与所述排气路的下游侧连接的第二排气装置的排气风量来设定预先确定的开度。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，针对所述预先确定的开度设定有比在不使所述第一排气装置进行动作的状态下由所述压力传感器测定出的压力与大气压的差压成为所述规定的差压值的值小的值。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部构成为能够根据所述规定的差压值进行控制，以使所述调整阀的开度成为预先确定的开度。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部构成为能够根据所述规定的差压值和与所述排气路的下游侧连接的第二排气装置的排气风量进行控制，以使所述调整阀的开度成为预先确定的开度。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述预先确定的开度被设定为，比在不使所述第一排气装置进行动作的状态下由所述压力传感器测定出的压力与大气压的差压成为所述规定的差压值的值小。10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：温度传感器，其测定所述处理容器的温度，所述规定的差压根据由所述温度传感器测定出的温度来设定。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为能够控制所述第一排气装置，以使由所述压力传感器测定出的压力与大气压的所述差压成为根据由所述温度传感器测定出的温度而设定的所述规定的差压。12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力传感器被设置在所述外侧容器内且所述气体流路与所述排气路之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻田哲明，小西顺也，室林正季，保井毅，佐藤武夫，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：